普冉股份的概念股是:存儲(chǔ)芯片、MCU芯片、華為、小米、擬減持、芯片、高送轉(zhuǎn)、滬港通、半導(dǎo)體[查看全部]
普冉股份所屬板塊是 上游行業(yè)：電子 ,當(dāng)前行業(yè)：半導(dǎo)體及元件 ,下級(jí)行業(yè)：集成電路[查看全部]
普冉股份的子公司有:0個(gè),分別是[查看全部]
普冉股份的注冊(cè)資金是:7551.53萬(wàn)元[查看全部]
近年來(lái)，集成電路行業(yè)按照摩爾定律繼續(xù)發(fā)展演變，芯片的集成度和性能不斷改善 升級(jí)。存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)化程度較高，差異化競(jìng)爭(zhēng)較小，因此技術(shù)升級(jí)是存儲(chǔ)器芯 片公司間競(jìng)爭(zhēng)的主要策略，存儲(chǔ)器芯片的技術(shù)升級(jí)主要體現(xiàn)在工藝制程和產(chǎn)品性能兩方 面。 1）NOR Flash 可穿戴設(shè)備、傳感器、汽車、智能家居等新興電子產(chǎn)品需要用到不同容量的 NOR Flash 產(chǎn)品，同時(shí)不同的使用場(chǎng)景對(duì) NOR Flash 的功能和性能方面提出了更多樣化的要 求，包括高速隨機(jī)讀取、睡眠模式喚醒、“即時(shí)開啟”等功能?；谙掠慰蛻舻漠a(chǎn)品需 求，NOR Flash 產(chǎn)品不斷在工藝制程和產(chǎn)品性能上方面實(shí)現(xiàn)了技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)品迭代。 工藝制程方面，NOR Flash 芯片企業(yè)通過升級(jí)工藝制程提升存儲(chǔ)器芯片中的存儲(chǔ)密 度，工藝制程從 90nm 發(fā)展到了 65nm、55nm，考慮到下游客戶對(duì)低功耗、小型化的要 求不斷提高，各個(gè) NOR Flash 芯片廠商正在針對(duì)制程升級(jí)開展研發(fā)和設(shè)計(jì)，繼續(xù)向 40nm 及以下工藝推進(jìn)，以實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品功耗的進(jìn)一步降低。 容量方面，隨著下游電子產(chǎn)品功能日益豐富，存儲(chǔ)器芯片的容量逐漸提高。如藍(lán)牙 耳機(jī)的主動(dòng)降噪功能，推動(dòng) NOR Flash 的容量需求從 8Mbit、16Mbit 升級(jí)到 32Mbit 和 64Mbit，在蘋果的 AirPods 產(chǎn)品中采用了 128Mbit 的 NOR Flash 方案。 功耗方面，終端消費(fèi)電子廠商為了實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的產(chǎn)品續(xù)航時(shí)間，對(duì)存儲(chǔ)器芯片的功耗 提出了更高的要求，存儲(chǔ)器芯片行業(yè)整體表現(xiàn)出功耗指標(biāo)下降的趨勢(shì)，低功耗已經(jīng)成為 存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)品的重要競(jìng)爭(zhēng)力之一。讀取速度方面，隨著物聯(lián)網(wǎng)部署的快速推進(jìn)，產(chǎn)生了海量數(shù)據(jù)信息的存儲(chǔ)需求，對(duì) 存儲(chǔ)器芯片的數(shù)據(jù)讀取速度提出了更高的要求，截至 2019 年年底行業(yè)內(nèi) NOR Flash 的 數(shù)據(jù)讀取頻率可達(dá)到 200MHz，數(shù)據(jù)讀取速度可達(dá)到 400Mbit/s。 2）EEPROM 行業(yè) 除了攝像頭模組外，EEPROM 在通信、工業(yè)、醫(yī)療和汽車等市場(chǎng)的應(yīng)用保持著穩(wěn) 定增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。EEPROM 存儲(chǔ)器芯片整體表現(xiàn)出存儲(chǔ)容量和可靠性上升的特點(diǎn)，具體 在工藝制程和性能方面的表現(xiàn)如下： 工藝制程方面，EEPROM 產(chǎn)品的主流工藝制程已經(jīng)發(fā)展到了 130nm，未來(lái)有望繼 續(xù)向 95nm 及以下推進(jìn)。 容量方面，隨著下游電子產(chǎn)品功能日益豐富，存儲(chǔ)器芯片的容量逐漸提高。如手機(jī) 攝像頭的快速對(duì)焦和成相品質(zhì)提升，EEPROM 的容量需求也逐漸從 32Kbit、64Kbit 提 升到 128Kbit、256Kbit；如智能電表正在轉(zhuǎn)換成 256Kbit、512Kbit、1Mbit 和 2Mbit EEPROM。隨著下游產(chǎn)品的逐步升級(jí)，高容量 EEPROM 的市場(chǎng)占比將持續(xù)提升； 可靠性方面，芯片的可靠性要求在逐步提高。當(dāng)前行業(yè)內(nèi) EEPROM 產(chǎn)品主流的可 擦寫次數(shù)為 100 萬(wàn)次，數(shù)據(jù)保存時(shí)間為 100 年，隨著工業(yè)、汽車電子等應(yīng)用場(chǎng)景的拓展， 對(duì) EEPROM 的產(chǎn)品可靠性提出了更高的要求，包括更長(zhǎng)的數(shù)據(jù)保存時(shí)間、更多的擦寫 次數(shù)等方面。[查看全部]
每股資本公積金是:20.12元[查看全部]
普冉股份公司 2023-12-31 財(cái)務(wù)報(bào)告，營(yíng)業(yè)總收入112705.0萬(wàn)元，營(yíng)業(yè)總收入同比增長(zhǎng)率21.87%，基本每股收益-0.64元，每股凈資產(chǎn)25.5414元，凈資產(chǎn)收益率-2.47%，凈利潤(rùn)-4827.43萬(wàn)元，凈利潤(rùn)同比增長(zhǎng)-158.06%。[查看全部]
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半導(dǎo)體、集成電路及相關(guān)產(chǎn)品的開發(fā)、設(shè)計(jì)、銷售，網(wǎng)絡(luò)科技、計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)服務(wù)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓，從事貨物及技術(shù)的進(jìn)出口業(yè)務(wù)。【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)】[查看全部]
普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司是低功耗SPI NOR Flash 存儲(chǔ)器芯片和高可靠性IIC EEPROM存儲(chǔ)器芯片的供應(yīng)商。作為一家技術(shù)創(chuàng)新型半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，總部位于上海張江高科技園區(qū)，深圳設(shè)有銷售和現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用服務(wù)與支持中心。 作為半導(dǎo)體行業(yè)的創(chuàng)新者，普冉聯(lián)合國(guó)內(nèi)領(lǐng)先晶圓廠，整合先進(jìn)的設(shè)計(jì)和工藝優(yōu)勢(shì)，致力于研發(fā)28nm~55nm低功耗、高可靠性的NOR型串行Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)品，可應(yīng)用于傳統(tǒng)的消費(fèi)類和工業(yè)市場(chǎng)以及新興的應(yīng)用市場(chǎng)。普冉的NOR型串行Flash存儲(chǔ)器產(chǎn)品，具有極具競(jìng)爭(zhēng)力的裸芯片尺寸和高性能優(yōu)勢(shì)，為MCP 和MCU 方案商提供了一個(gè)很好的選擇。 普冉還推出的130nm 非易失性IIC EEPROM存儲(chǔ)器具備業(yè)界領(lǐng)先的400萬(wàn)次擦寫壽命、6KV靜電防護(hù)能力、極低的工作電流和靜態(tài)功耗，在智能電網(wǎng)、汽車前裝、工業(yè)控制、以及新興的IoT領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。[查看全部]
2023-06-13[查看全部]
全國(guó)社保基金一一四組合、深圳南山創(chuàng)維信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)業(yè)投資基金(有限合伙)[查看全部]
普冉股份上市時(shí)間為：2021-08-23[查看全部]
2023-06-14[查看全部]
