【華微電子(600360)、股吧】（600360）8月30日晚間披露2021年半年報(bào)。報(bào)告期內(nèi)，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)收9.92億元，同比增長(zhǎng)23.45%；凈利潤(rùn)2661萬(wàn)元，同比增長(zhǎng)43.59%；基本每股收益0.03元/股，同比增長(zhǎng)50.00%。

　　報(bào)告期內(nèi)，半導(dǎo)體芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程快速推進(jìn)，公司以產(chǎn)業(yè)政策為指導(dǎo)，充分發(fā)揮自身產(chǎn)品、技術(shù)優(yōu)勢(shì)，持續(xù)推進(jìn)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、客戶結(jié)構(gòu)、市場(chǎng)結(jié)構(gòu)“三項(xiàng)結(jié)構(gòu)調(diào)整”發(fā)展戰(zhàn)略。目前公司具備國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的制造能力，擁有4英寸至8英寸等多條功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線，報(bào)告期內(nèi)各尺寸晶圓生產(chǎn)能力為400萬(wàn)片/年，封裝資源為24億只/年。公司產(chǎn)品種類基本覆蓋了功率半導(dǎo)體器件的全部范圍，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、變頻、工業(yè)控制、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域。同時(shí)，公司充分發(fā)揮功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)研發(fā)、芯片制造、封裝測(cè)試為一體的IDM企業(yè)技術(shù)研發(fā)優(yōu)勢(shì)，積極布局寬禁帶半導(dǎo)體，加速產(chǎn)品轉(zhuǎn)型，努力開(kāi)發(fā)應(yīng)用于汽車電子、電力碳中和、儲(chǔ)能逆變等領(lǐng)域產(chǎn)品，向戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域快速拓展，為公司可持續(xù)發(fā)展、提升盈利能力以及主營(yíng)業(yè)務(wù)增長(zhǎng)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。目前公司核心產(chǎn)品分為四大主類，以IGBT（絕緣柵雙極晶體管）、MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)、BJT(雙極晶體管)為主的全控型功率器件；以Thyristor（晶體閘流管）為主的半控型功率器件；以Schottky（肖特基二極管）、FRD（快恢復(fù)二極管）為主的不可控型功率二極管器件；以及IPM（功率模塊）、PM（功率模塊）。

　　報(bào)告期內(nèi)，公司積極布局上下游領(lǐng)域，垂直打通半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，加速形成強(qiáng)大、完善的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)體系，實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體自主可控。目前公司已掌握眾多高端功率半導(dǎo)體器件的核心設(shè)計(jì)技術(shù)、終端設(shè)計(jì)、工藝控制技術(shù)等，如VLD終端、1700V以上高壓產(chǎn)品技術(shù)、深槽刻蝕技術(shù)、薄片加工技術(shù)等，并積極布局以SiC和GaN為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件技術(shù)，具備推動(dòng)產(chǎn)業(yè)向智能化轉(zhuǎn)型升級(jí)的技術(shù)研發(fā)能力與產(chǎn)品國(guó)產(chǎn)化能力。

　　公司具備強(qiáng)大的硬件基礎(chǔ)，具有功能齊備的實(shí)驗(yàn)中心、CNAS國(guó)家認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室，被認(rèn)證為國(guó)家企業(yè)技術(shù)中心。公司具備獨(dú)特的地域優(yōu)勢(shì)，地處“中國(guó)最適宜建廠的城市”――吉林市，穩(wěn)定的產(chǎn)業(yè)技術(shù)人才資源以及充沛的水力、電力保障，使公司擁有功率半導(dǎo)體制造最為寶貴的“資源優(yōu)勢(shì)”。（劉鐸）