中國是功率半導體消費大國，有著龐大的需求量，但是相對于而言，國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展較為落后，芯片高端人才缺乏，為了打破國際品牌的市場壟斷情況，【華微電子(600360)、股吧】重視研發(fā)與人才培養(yǎng)，引領行業(yè)快速發(fā)展。

　　據(jù)悉，早在20世紀60年代初，國家就在東北三省布局建設了以遼晶、哈晶為代表的十多家半導體廠，但是時至今日，只有華微電子生存下來，并逐步發(fā)展壯大，成為我國東北地區(qū)碩果僅存的整建制半導體企業(yè)。

　　華微電子認為，產(chǎn)品創(chuàng)新、技術進步是發(fā)展的動力。華微電子一直重視研發(fā)和技術人才培養(yǎng)，是國家級企業(yè)技術中心，國家創(chuàng)新型企業(yè)、國家博士后科研工作站，公司每年對試驗室進行可持續(xù)性投入，以提升自主創(chuàng)新能力建設。

　　2013年以來，華微電子的研發(fā)支出不斷上升，研發(fā)支出總額占營業(yè)收入的6%左右，研發(fā)人員達到600人以上，多的時候754人，研發(fā)人數(shù)占比始終保持在30%以上。

　　相關人士介紹，華微電子技術建有專門的實驗室，EDA器件工藝仿真實驗室，應用實驗室、失效分析實驗室、可靠性實驗室、大功率實驗室、計量實驗室。其中，失效分析實驗室和計量實驗室獲得CNAS認證。

　　近年來，華微電子通過積極引進先進技術與標準，廣泛開展產(chǎn)學研等技術交流與合作，建立技術研發(fā)與技術標準相結(jié)合的管理機制，注重先進技術的運用、消化和吸收，并逐步在FRD、IGBT、SBD VDMOS等產(chǎn)品開發(fā)中推廣運用，公司的技術實力也得到顯著提高，其中1350VTrench IGBT項目，成功攻克深槽刻蝕與填充、高均勻性多晶回刻與刻蝕工藝、Ti/Tin淀積與RTP退火工藝等難題，Trench IGBT工藝平臺的開發(fā)成功，讓華微電子在功率器件研制開發(fā)方面更為全面，將進一步促進國內(nèi)新型電力電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展，提高節(jié)能減排關鍵部件的國產(chǎn)化水平及權重。

　　此外，在新能源汽車雙面散熱模塊，華微電子實現(xiàn)功率模塊雙面散熱超薄結(jié)構，縮小模塊體積，提高模塊功率密度和效率，降低功率損耗，適應未來電控系統(tǒng)輕量化要求，產(chǎn)品技術將達到同等國際標桿水平。同時，公司開發(fā)高壓3300V～4500V的IGBT和FRD產(chǎn)品，實現(xiàn)超高壓大功率器件的國產(chǎn)化。