1月4日，【新潔能(605111)、股吧】在投資者互動平臺上表示，公司SiC MOSFET、GaN HEMT產(chǎn)品正處于流片驗證階段，目前整體進展順利。

　　資料顯示，新潔能的主營業(yè)務(wù)為MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)設(shè)計及銷售。其主要產(chǎn)品是MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體功率器件，銷售的產(chǎn)品按照是否封裝可以分為芯片和封裝成品。新潔能產(chǎn)品系列齊全，廣泛應(yīng)用于消費電子、汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯(lián)網(wǎng)、光伏新能源等領(lǐng)域。新潔能為國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計企業(yè)之一，在中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會發(fā)布的2016年、2017年、2018年和2019年中國半導(dǎo)體功率器件企業(yè)排行榜中，連續(xù)四年名列“中國半導(dǎo)體功率器件十強企業(yè)”。新潔能為國內(nèi)MOSFET等功率器件市場占有率排名前列的本土企業(yè)。

　　據(jù)了解， 新潔能與科研院所在功率器件設(shè)計領(lǐng)域開展長期合作，針對重點項目成立了技術(shù)攻關(guān)小組。新潔能持續(xù)推進高端MOSFET、IGBT的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，在已推出先進的超結(jié)功率MOSFET、屏蔽柵功率MOSFET和超薄晶圓IGBT數(shù)款產(chǎn)品基礎(chǔ)上，進一步對上述產(chǎn)品升級換代。

　　新潔能目前亦率先在國內(nèi)研發(fā)并量產(chǎn)基于12英寸芯片工藝平臺的MOSFET產(chǎn)品，新增開發(fā)多款模塊產(chǎn)品及功率IC產(chǎn)品以不斷豐富產(chǎn)品品類；并進一步提前布局半導(dǎo)體功率器件最先進的技術(shù)領(lǐng)域，開展對SiC/GaN寬禁帶半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，緊跟最先進的技術(shù)梯隊，提升新潔能核心產(chǎn)品競爭力和國內(nèi)外市場地位。

　　在產(chǎn)能產(chǎn)線問題上，新潔能表示，公司是國內(nèi)僅有的同時在華虹宏力一廠、二廠、三廠以及七廠（12英寸）開展產(chǎn)品開發(fā)和大生產(chǎn)業(yè)務(wù)的設(shè)計公司。公司今年在保證原有8英寸平臺產(chǎn)能相對穩(wěn)定的基礎(chǔ)上，通過與華虹宏力12英寸平臺開展業(yè)務(wù)合作等方式積極擴充產(chǎn)能；目前整體產(chǎn)能水平相比2020年已有較為明顯的提升。從歷史發(fā)展來看，公司歷年的產(chǎn)能均保持穩(wěn)定增長的水平。