據(jù)報道，美光公司計劃率先支持佳能的納米印刷技術(shù)，從而進一步降低生產(chǎn)DRAM存儲芯片的單層成本。美光在近日演講中表示，由于光學系統(tǒng)本身性質(zhì)，DRAM層的圖案很難用光學光刻技術(shù)進行印刷，而納米打印方式可以用更精細的方式打印出來，且鑒于納米印刷技術(shù)應用成本是沉浸式光刻技術(shù)的五分之一，因此是非常不錯的解決方案。佳能于2023年10月公布FPA-1200NZ2C納米壓印光刻(NIL)半導體設(shè)備，預計最快將于今年出貨，將為芯片生產(chǎn)開辟了一條新的途徑。此前，內(nèi)存大廠SK海力士也引入了佳能納米壓印機，用于進行3D NAND的生產(chǎn)測試。

　　納米壓印是一種微納加工技術(shù)，它采用傳統(tǒng)機械模具微復型原理，能夠代替?zhèn)鹘y(tǒng)且復雜的光學光刻技術(shù)。相較于目前已商用化的EUV光刻技術(shù)，納米壓印技術(shù)可大幅減少耗能，并降低設(shè)備成本。另外，納米壓印設(shè)備還可以使得芯片制造商降低對于ASML的EUV光刻機的依賴，使得臺積電、三星等晶圓代工廠可以有第二個路線選擇，可以更靈活地為客戶生產(chǎn)小批量芯片。分析師認為，納米壓印技術(shù)在特定領(lǐng)域有替代傳統(tǒng)光學光刻的可能，隨著下游應用領(lǐng)域擴大以及該技術(shù)滲透率提升，該市場有望持續(xù)成長。