高新技術(shù)企業(yè)更新設(shè)備獲鼓勵、半導(dǎo)體設(shè)備前景未來可期
摘要: 今年第四季度,對高新技術(shù)企業(yè)購置設(shè)備的,允許一次性稅前全額扣除并100%加計扣除;對現(xiàn)行按75%稅前加計扣除研發(fā)費(fèi)用的,統(tǒng)一提高到100%,鼓勵改造和更新設(shè)備,激勵企業(yè)增加投入提升創(chuàng)新能力。
高新技術(shù)企業(yè)更新設(shè)備獲鼓勵、半導(dǎo)體設(shè)備前景可期
今年第四季度,對高新技術(shù)企業(yè)購置設(shè)備的,允許一次性稅前全額扣除并100%加計扣除;對現(xiàn)行按75%稅前加計扣除研發(fā)費(fèi)用的,統(tǒng)一提高到100%,鼓勵改造和更新設(shè)備,激勵企業(yè)增加投入提升創(chuàng)新能力。方正證券(601901)陳杭表示,2022年往后,內(nèi)資晶圓廠12英寸潛在擴(kuò)產(chǎn)產(chǎn)能至少155萬片/月,支撐3-4年高景氣周期。其中,【中芯國際(688981)、股吧】(688981)臨港、北京、深圳合計至少24萬片/月,存儲端合肥長鑫、長江存儲各自二期22萬、20萬片待擴(kuò)。疊加功率、三代半導(dǎo)體高需求,行業(yè)資本支出預(yù)計繼續(xù)高位。國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商厚積薄發(fā),產(chǎn)品驗證與新機(jī)研發(fā)齊頭并進(jìn),品線擴(kuò)張與設(shè)備放量賦能長期高成長。盛美上海的SAPS、TEBO兆聲波清洗技術(shù)和Tahoe單片槽式組合清洗技術(shù)為全球首創(chuàng),可應(yīng)用于45nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn);精測電子(300567)的膜厚產(chǎn)品、電子束量測設(shè)備已取得國內(nèi)一線客戶的批量訂單,OCD設(shè)備也獲得多家一線客戶的驗證通過。
8英寸外延晶圓開始出貨、碳化硅功率器件需求急增
據(jù)科技媒體報道,日本半導(dǎo)體材料大廠昭和電工近日宣布,其碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體的8英寸SiC 外延晶圓已開始進(jìn)行樣品出貨。昭和電工表示,和原先使用硅晶圓的功率半導(dǎo)體相比,SiC功率半導(dǎo)體的電力損耗更少、更不易發(fā)熱,來自電動車、再生能源領(lǐng)域的需求急增。開源證券任浪指出,根據(jù)Yole數(shù)據(jù),2021-2027年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望從10.90億美元增長到62.97億美元,其中車規(guī)級市場空間有望從6.85億美元增長至49.86億美元。目前包括比亞迪(002594)、吉利、埃安等量產(chǎn)(或定點(diǎn))車型均已搭載由國產(chǎn)SiC模塊供應(yīng)商提供的主驅(qū)逆變器模塊,國內(nèi)廠商有望充分受益于自主品牌車企與造車新勢力崛起帶來的供應(yīng)鏈機(jī)遇?!?a href="http://m.xfjyyzc.com/gegu/603290/" target="_blank" title="斯達(dá)半導(dǎo)(603290)股票分析,新聞,資金流向,財務(wù)數(shù)據(jù)" >斯達(dá)半導(dǎo)(603290)、股吧】(603290)的乘用車主驅(qū)用SiC MOSFET模塊已開始大批量裝車應(yīng)用,新增多個搭載SiC模塊的800V系統(tǒng)主驅(qū)項目定點(diǎn);三安光電(600703)是碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈龍頭,近期發(fā)布1200V SiC MOSFET系列新品。
新能源乘用車銷量環(huán)比改善、多因素利于高增長延續(xù)
乘聯(lián)會數(shù)據(jù)顯示,8月新能源乘用車零售銷量達(dá)到52.9萬輛,同比增長111.2%,環(huán)比增8.8%。1-8月形成“W型”走勢,國內(nèi)零售326.2萬輛,同比增長119.7%。民生證券認(rèn)為,此次環(huán)比改善超預(yù)期,主要原因為主流車企生產(chǎn)持續(xù)拉升疊加油價上浮,同時各地出臺鼓勵消費(fèi)政策力度大,改變淡季規(guī)律。當(dāng)前新能源新車型持續(xù)推出,在主流價格區(qū)間均有高性價比產(chǎn)品供應(yīng),市場面的接受度有所提升。加之8月極熱天氣帶來的產(chǎn)能損失會在9月釋放,芯片供給改善,9月產(chǎn)銷預(yù)計同比實(shí)現(xiàn)高增長。該機(jī)構(gòu)看好4680技術(shù)迭代,帶動產(chǎn)業(yè)鏈升級,涉及結(jié)構(gòu)件、高鎳正極、LiFSI、碳納米管相關(guān)標(biāo)的,以及高壓快充等新技術(shù)帶來邊際彈性。
SiC,碳化硅,鼓勵








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