汽車電動(dòng)化對(duì)高壓充電平臺(tái)以及功率器件提出了更高要求，SiC憑借耐高壓、耐高溫、高效率、高頻率、抗輻射等優(yōu)勢(shì)，在電控場(chǎng)景中能量損耗比Si基芯片減少一半，被認(rèn)為將取代IGBT，成為未來(lái)高壓充電平臺(tái)的核心器件，也是電動(dòng)汽車性能和應(yīng)用體驗(yàn)度提升的關(guān)鍵器件。

　　據(jù)意法半導(dǎo)體，使用SiC器件能使電動(dòng)車平均減重150kg至200kg，延長(zhǎng)電池壽命，使電車?yán)m(xù)航里程平均超過(guò)600公里。據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)，采用碳化硅能使整車成本節(jié)省約2000美元，包括節(jié)省600美元電池成本、600美元汽車空間成本，節(jié)省1000美元散熱系統(tǒng)成本。機(jī)構(gòu)認(rèn)為，在新能源車、光伏發(fā)電等重點(diǎn)行業(yè)終端出貨量快速成長(zhǎng)，SiC滲透率提升且短期內(nèi)器件價(jià)格降幅有限的背景下，2022-2024年SiC器件市場(chǎng)規(guī)模有望迎來(lái)增速最快的三年周期。

　　據(jù)主題庫(kù)顯示，相關(guān)上市公司中：

　　【海特高新(002023)、股吧】表示，公司和新能源車企合作，開(kāi)展SiC(碳化硅)功率芯片的研發(fā)制造，車規(guī)級(jí)質(zhì)量管理體系的推行工作正在有序推進(jìn)中，適用于新能源充電樁應(yīng)用的高效率、高功率SiC(碳化硅)功率芯片即將發(fā)布。

　　國(guó)星光電推出的第三代半產(chǎn)品SiC功率分立器件產(chǎn)品、GaN-DFN器件可應(yīng)用于汽車充電樁等領(lǐng)域，目前處于小批量接單配合客戶送樣測(cè)試。