美光科技(MU)：全球首款232層NAND Flash已正式量產(chǎn)
來源： 互聯(lián)網(wǎng)
作者：佚名
摘要： 據(jù)悉，當(dāng)?shù)貢r間周三，美光科技(MU)宣布全球首款232層儲存型閃存（NANDFlash）已正式量產(chǎn)，該產(chǎn)品采用業(yè)界頂尖的創(chuàng)新技術(shù)，將為儲存解決方案帶來前所未有的效能。
據(jù)悉，當(dāng)?shù)貢r間周三，美光科技(MU)宣布全球首款232層儲存型閃存（NAND Flash） 已正式量產(chǎn)，該產(chǎn)品采用業(yè)界頂尖的創(chuàng)新技術(shù)，將為儲存解決方案帶來前所未有的效能。
該閃存具備業(yè)界最高的單位儲存密度（areal density），并提供與前幾代 NAND 相比更高的容量和更佳的能源效率，提供從終端使用者到云端之間大部分?jǐn)?shù)據(jù)密集型應(yīng)用最佳支持。
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