【新潔能(605111)、股吧】（605111）是國內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體設(shè)計企業(yè)，主營MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)設(shè)計及銷售。公司擁有溝槽型MOSFET、屏蔽柵MOSFET、超結(jié)MOSFET、IGBT四大產(chǎn)品平臺，覆蓋12V-1350V電壓/0.1A-350A電流范圍1300多種產(chǎn)品，在產(chǎn)品性能和規(guī)格數(shù)量上國內(nèi)領(lǐng)先，并且已在12英寸芯片工藝平臺實現(xiàn)量產(chǎn)，成為國內(nèi)8/12英寸芯片工藝平臺投片量最大的半導(dǎo)體功率器件設(shè)計公司之一，也是我國MOSFET系列產(chǎn)品最齊全的廠商之一。公司產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費電子、汽車電子、工業(yè)電子、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車/充電樁、光伏新能源和智能裝備制造等領(lǐng)域。

　　功率半導(dǎo)體是電子裝置電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電壓和頻率，或?qū)⒅绷鬓D(zhuǎn)換為交流，交流轉(zhuǎn)換為直流等的電力轉(zhuǎn)換。從下游需求來看，消費電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等市場需求旺盛，疊加行業(yè)產(chǎn)能錯配，行業(yè)景氣再次上升。MOSFET、IGBT市場的主要份額仍被英飛凌等海外廠商占據(jù)，國產(chǎn)替代空間廣闊。未來，隨著國內(nèi)功率半導(dǎo)體逐步突破高端產(chǎn)品的技術(shù)瓶頸，我國功率半導(dǎo)體對進口的依賴將會進一步減弱，國產(chǎn)替代效應(yīng)將持續(xù)顯現(xiàn)。

　　公司采用Fabless生產(chǎn)模式，晶圓代工和封測供應(yīng)商包括華虹宏力、華潤上華、長電科技（600584）等;其中，公司作為華虹宏力最大投片量半導(dǎo)體功率器件客戶。自2018年下半年開始，公司開始自建封裝產(chǎn)線。公司產(chǎn)品銷售主要采用直銷與經(jīng)銷結(jié)合的模式，終端客戶包括海爾、富士康、三星、中興通訊、寧德時代（300750）、飛利浦照明、TP-LINK、長城汽車（601633）等知名廠商，品牌實力突出。功率器件對可靠性要求較高，客戶一經(jīng)認(rèn)證且規(guī)模化使用后不會輕易替換，當(dāng)前終端企業(yè)正逐漸放開國產(chǎn)功率器件認(rèn)證，公司將暢享行業(yè)快速發(fā)展紅利。

　　目前MOSFET等功率半導(dǎo)體主流晶圓尺寸為8英寸。8寸晶圓代工產(chǎn)能供不應(yīng)求，MOSFET產(chǎn)能受限。多種需求因素疊加下，晶圓代工產(chǎn)能利用率從2020年二季度末開始逐漸提升至滿產(chǎn)，而其中MOSFET主要使用的8寸晶圓代工產(chǎn)能緊缺現(xiàn)象尤其嚴(yán)重，引發(fā)全球半導(dǎo)體市場出現(xiàn)交期拉長和普遍漲價現(xiàn)象。公司在國內(nèi)率先開發(fā)了基于12英寸芯片低導(dǎo)通電阻工藝平臺，中低壓SGTMOS平臺在12英寸芯片產(chǎn)線實現(xiàn)量產(chǎn)。公司的12英寸芯片自2020年四季度起進行規(guī)模投產(chǎn)，2020年12英寸芯片實現(xiàn)回片1.32萬余片，預(yù)計2021年12英寸回片量將大幅增加，全年產(chǎn)能增長帶來的營收貢獻約為30%-40%。

　　IGBT國產(chǎn)替代趨勢明確，公司IGBT收入預(yù)計大幅增長。目前國內(nèi)IGBT市場，特別是快速增長的新能源車用IGBT市場主要由海外供應(yīng)商如英飛凌、意法半導(dǎo)體等壟斷。公司部分IGBT產(chǎn)品的參數(shù)性能及送樣表現(xiàn)與國外一線品牌同類產(chǎn)品基本相當(dāng)，具有較強的進口替代優(yōu)勢。IGBT是公司目前重點的深化方向，2021年收入有望取得大幅增長。

　　在MOSFET和IGBT基礎(chǔ)上，公司前瞻布局第三代半導(dǎo)體功率器件。目前已選定代工合作伙伴，1200V新能源汽車用SiCMOSFET和650VPD電源用GaNHEMT正在積極研發(fā)中。公司募投項目計劃投資1.14億元進行碳化硅功率器件的產(chǎn)業(yè)化，有望提前卡位，受益于碳化硅市場爆發(fā)的紅利。

　　國金證券表示，公司上市之后估值波動較大，大部分時間在77-130倍PE之間波動。預(yù)計公司2021-2023年歸母凈利潤分別為3.1億元、3.8億元和4.1億元?？紤]到公司未來兩年由于產(chǎn)能提升、價格上漲、屏蔽柵和超結(jié)MOSFET以及IGBT上量帶來的業(yè)績高確定性增長，參考行業(yè)平均估值，給予公司2022年60倍目標(biāo)PE值，對應(yīng)目標(biāo)價160元/股，給予“買入”評級。

　　華創(chuàng)證券表示，公司作為業(yè)內(nèi)最早布局MOS業(yè)務(wù)的廠商，技術(shù)實力、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、客戶結(jié)構(gòu)顯著領(lǐng)先競爭對手，重點需求領(lǐng)域亦有望持續(xù)突破，代工公司高端器件產(chǎn)品放量，在目前功率半導(dǎo)體景氣度周期向上的背景下，公司行業(yè)議價力持續(xù)增強，帶動公司盈利能力不斷提升。預(yù)計公司2021-2023年EPS分別為3.48元、4.61元和5.71元。結(jié)合行業(yè)平均估值水平及公司自身所處發(fā)展階段，給予公司2021年60倍PE估值，對應(yīng)目標(biāo)價208.8元/股，維持“強推”評級。