近年來(lái)，隨著社會(huì)的發(fā)展，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)需求量持續(xù)增高，出現(xiàn)嚴(yán)重供需不足的情況，以前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體器件過(guò)度依賴(lài)進(jìn)口，但隨著政策的推動(dòng)，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆勢(shì)上揚(yáng)，將迎來(lái)黃金發(fā)展期，接下來(lái)【華微電子(600360)、股吧】將全面發(fā)揮自身優(yōu)勢(shì)，助力國(guó)產(chǎn)替代化。

　　半導(dǎo)體是一個(gè)事關(guān)國(guó)家戰(zhàn)略安全和產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的重要產(chǎn)業(yè)。而打破缺芯之痛，是我國(guó)近年來(lái)一直堅(jiān)持的戰(zhàn)略布局重心。2020年，中美科技爭(zhēng)端持續(xù)發(fā)酵，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)卷入其中，給我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)再敲警鐘。

　　今年5月，美國(guó)商務(wù)部加碼對(duì)華為的出口管制措施，要求使用美國(guó)設(shè)備和技術(shù)的外國(guó)半導(dǎo)體公司，須獲美國(guó)政府許可，才可向華為出口供貨。

　　國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)應(yīng)如何面對(duì)美國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的制裁？上述華微電子負(fù)責(zé)人表示，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，到現(xiàn)在這個(gè)節(jié)點(diǎn)上，需要的是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的上游企業(yè)解決材料、設(shè)備等配套，半導(dǎo)體企業(yè)自身練好內(nèi)功，把下游企業(yè)需求的半導(dǎo)體產(chǎn)品做好。同時(shí)，我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)要加快國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程，要加快推進(jìn)刻膠、化學(xué)試劑等關(guān)鍵原材料的國(guó)產(chǎn)替代計(jì)劃。

　　上述華微電子負(fù)責(zé)人說(shuō)，相對(duì)于共計(jì)半導(dǎo)體品牌，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體品牌的產(chǎn)品主要集中在低端領(lǐng)域，不過(guò)，現(xiàn)在中高端應(yīng)用的客戶(hù)有訴求進(jìn)行國(guó)產(chǎn)替代，從這方面講，給予了國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體品牌進(jìn)入中高端領(lǐng)域的機(jī)會(huì)。

　　華微電子是我國(guó)功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)，也是一直踐行國(guó)產(chǎn)替代戰(zhàn)略的企業(yè)之一，目前華微電子擁有4英寸、5英寸與6英寸等多條功率半導(dǎo)體分立器件以及IC芯片生產(chǎn)線。

　　據(jù)悉，華微電子在終端設(shè)計(jì)、工藝制造和產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面擁有多項(xiàng)專(zhuān)利及 工藝訣竅，尤其是在IGBT薄片工藝、Trench工藝、壽命控制和終端設(shè)計(jì)技術(shù)等方面擁有獨(dú)特的核心技術(shù)在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。多位業(yè)內(nèi)人士表示，經(jīng)歷半個(gè)多世紀(jì)的技術(shù)積累，華微電子有望成為功率半導(dǎo)體器件替代進(jìn)口的有力競(jìng)爭(zhēng)者。

　　未來(lái)，華微電子將繼續(xù)把握國(guó)產(chǎn)替代趨勢(shì)，進(jìn)一步加大研發(fā)投入，將重點(diǎn)在IGBT、超結(jié)MOS和中低壓MOS這些硅基器件上繼續(xù)升級(jí)現(xiàn)有的工藝平臺(tái)，同時(shí)加快8英寸生產(chǎn)線建設(shè)，開(kāi)發(fā)第五代溝槽FS IGBT、第二代超結(jié)MOSFET和第二代CCT中低壓MOSFET，同時(shí)還將開(kāi)發(fā)和布局第三代半導(dǎo)體，目前華微電子已開(kāi)發(fā)出SiC二極管樣品，下一步將進(jìn)行GaN HEMT器件的開(kāi)發(fā)工作，助力打造“中國(guó)芯”。