5月20日訊，有投資者向【萬(wàn)順新材(300057)、股吧】（300057）提問(wèn)， 董秘您好，根據(jù)公司披露，高阻隔膜項(xiàng)目采用電子束技術(shù)，不過(guò)據(jù)了解，PECVD技術(shù)也可以生產(chǎn)阻隔性達(dá)到10-6的高阻隔膜，請(qǐng)問(wèn)電子束技術(shù)和PECVD技術(shù)在生產(chǎn)高阻隔膜中的優(yōu)劣勢(shì)，公司怎么看？謝謝

　　公司回答表示，您好，兩種技術(shù)的不同點(diǎn)：1．PECVD是指等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積法，該技術(shù)利用含薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)，在襯底表面進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。EB電子束蒸鍍是物理氣相沉積的一種，該技術(shù)利用電磁場(chǎng)精準(zhǔn)高能轟擊被蒸鍍耙材，使之氣化而附著在基材表面上。2．兩種方法都能形成高阻隔膜層，但適應(yīng)的基材有差異，PECVD多為片狀基材，且速度慢，生產(chǎn)效率較低，而EB電子束蒸鍍可適應(yīng)柔性卷簡(jiǎn)基材，速度快，生產(chǎn)效率高。3．PECVD設(shè)備可用以加工處理片基太陽(yáng)能電池片等電子器件，而EB卷對(duì)卷柔性蒸鍍主要用于生產(chǎn)PET阻隔保鮮膜，也可生產(chǎn)部分電子元器件所需高阻隔膜材料。4．PECVD存在著制程化學(xué)污染及防治問(wèn)題，而EB電子束蒸鍍是一種物理過(guò)程，環(huán)保性更優(yōu)。謝謝您的關(guān)注。