2月3日，專項(xiàng)解讀存儲芯片概念走勢。今日該板塊迎來縮量反彈，反彈力度較為強(qiáng)勁，盤中走勢呈現(xiàn)吞沒昨日陰線的態(tài)勢。當(dāng)前市場核心疑問集中于：此次反彈能否持續(xù)？該反彈屬于趨勢反轉(zhuǎn)信號，還是僅為階段性反彈？本文將結(jié)合量價關(guān)系、支撐壓力位及板塊核心邏輯，對存儲芯片概念后續(xù)走勢進(jìn)行深入拆解，為投資者提供專業(yè)參考。

　　分析板塊后續(xù)走勢，需先明確其前期下行的核心邏輯——股市運(yùn)行遵循“下跌邏輯與上漲邏輯相對應(yīng)”的原則，唯有明晰板塊下行的成因，才能精準(zhǔn)判斷其后續(xù)上漲的可能性及路徑。回顧前期走勢，存儲芯片概念在一波上升行情中，股價雖創(chuàng)下新高，但成交量未能同步跟進(jìn)，進(jìn)而形成量價背離態(tài)勢。需明確的是，量價背離本身屬于市場常見現(xiàn)象，關(guān)鍵風(fēng)險點(diǎn)在于背離后的爆量信號。

　　量價背離的確認(rèn)信號為放量陰線的出現(xiàn)：若量價背離次日出現(xiàn)放量陰線，則可確認(rèn)背離態(tài)勢形成，此時操作邏輯較為清晰——以該放量陰線的開盤價繪制水平線，該水平線即為板塊核心壓力位，若股價無法有效突破該壓力位，便會進(jìn)入下行通道。在股價未能突破壓力位的情況下，板塊核心邏輯轉(zhuǎn)為尋找支撐位，唯有支撐位未被跌破，后續(xù)行情才具備延續(xù)的基礎(chǔ)。

　　結(jié)合板塊前期上升行情，核心支撐位需依托走勢中漲幅最大的陽線確定。在前期上升波段中，一根漲幅達(dá)4個點(diǎn)的陽線為該波段漲幅最大的K線，遠(yuǎn)超同期其他2個點(diǎn)左右漲幅的陽線，因此以該根4個點(diǎn)陽線的開盤價繪制水平線，即可確定核心支撐區(qū)間。值得注意的是，該根陽線形成了跳空缺口，該缺口具備較強(qiáng)的支撐力度，可將其納入支撐區(qū)間綜合考量。

　　昨日板塊股價已觸及該核心支撐區(qū)間，筆者昨日已提示該位置為低吸機(jī)會，今日板塊如期迎來反彈。但需重點(diǎn)關(guān)注的是，此次反彈呈現(xiàn)縮量態(tài)勢，屬于弱反彈范疇，且股價未能站上5天線，未能形成有效的動能支撐，因此明日將成為板塊走勢的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。從短期來看，5天線已對板塊股價形成明顯壓力，針對昨日低吸的投資者，建議明日在股價反彈至5天線附近時可適時高拋。

　　高拋后需重點(diǎn)跟蹤板塊能否成功站上5天線：若股價無法站上5天線，板塊大概率將再度回落，重新測試前期核心支撐區(qū)間，同時需同步關(guān)注5周平均線的支撐力度。當(dāng)前板塊股價距離月線級別支撐尚有一定距離，短期走勢的核心變量完全集中于明日——若能成功站上5天線，且后續(xù)形成均線金叉，板塊有望積蓄動能，向前期高點(diǎn)發(fā)起沖擊。核心邏輯在于，存儲芯片作為半導(dǎo)體及元件概念的核心細(xì)分領(lǐng)域，具備明確的漲價邏輯支撐，據(jù)機(jī)構(gòu)預(yù)測，2026年一季度存儲芯片價格將持續(xù)上漲，其中DRAM價格漲幅逼近95%，NAND閃存漲幅達(dá)55%-60%，行業(yè)進(jìn)入超級漲價周期，這也使得存儲芯片成為半導(dǎo)體及元件概念反彈的核心急先鋒，今日其走勢已顯著強(qiáng)于半導(dǎo)體及元件概念整體表現(xiàn)。