中宏網(wǎng)股票頻道9月6日電 8月31日晚，上交所科創(chuàng)板上市委公告，山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司（下稱：天岳先進(jìn)或發(fā)行人）首發(fā)申請(qǐng)將于9月7日上會(huì)。擬募集資金20億元，投資于碳化硅半導(dǎo)體材料項(xiàng)目，且披露此項(xiàng)目已列入《2021年上海市重大建設(shè)項(xiàng)目清單》。作為高新科技企業(yè)、獨(dú)角獸企業(yè)，國(guó)家級(jí)專精特新小巨人企業(yè)，天岳先進(jìn)此次沖A，除資方大鱷云集被不斷關(guān)注外，其背后的意義也顯得非凡。

　　十年磨一劍今朝沖A

　　資料顯示，天岳先進(jìn)成立于2010年11月，是一家國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的寬禁帶（第三代）半導(dǎo)體襯底材料生產(chǎn)商，主要從事碳化硅襯底的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。其主要產(chǎn)品目前已覆蓋半絕緣型和導(dǎo)電型碳化硅襯底，供應(yīng)至國(guó)內(nèi)碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)的下游核心客戶，同時(shí)已被部分國(guó)外頂尖的半導(dǎo)體公司使用，廣泛應(yīng)用于電力電子、微波電子、光電子等領(lǐng)域。

　　天岳先進(jìn)成立初期，依托新研發(fā)產(chǎn)品主要有2英寸、3英寸、4英寸碳化硅單晶襯底。這些新材料廣泛應(yīng)用于大功率高頻電子器件、半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)等領(lǐng)域，是第三代半導(dǎo)體的核心材料，屬于《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)和技術(shù)發(fā)展規(guī)劃綱要》和國(guó)家“十二五”發(fā)展規(guī)劃中重點(diǎn)培育和發(fā)展的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。在碳化硅產(chǎn)品方面，天岳先進(jìn)2011年與山東大學(xué)簽訂碳化硅技術(shù)轉(zhuǎn)讓和戰(zhàn)略性合作協(xié)議后，迅速籌集資金，采用非常規(guī)的建設(shè)方式，在半年多的時(shí)間內(nèi)，即完成了廠房的建設(shè)和相關(guān)設(shè)備的采購(gòu)工作，并在僅3年的時(shí)間里實(shí)現(xiàn)了該材料的量產(chǎn)。

　　由于國(guó)內(nèi)企業(yè)在碳化硅領(lǐng)域起步較晚，目前，天岳先進(jìn)與全球行業(yè)龍頭企業(yè)之間除在各尺寸量產(chǎn)能力推出時(shí)間、大尺寸產(chǎn)品供應(yīng)情況及供應(yīng)鏈配套等方面尚存在一定差距外，同尺寸產(chǎn)品在技術(shù)參數(shù)上已無明顯差距。

　　重研發(fā)高投入屢獲殊榮

　　2018年至2020年，天岳先進(jìn)的營(yíng)收分別為13613.4萬元、26855.84萬元及42481.19萬元，歸母凈利潤(rùn)分別為-4213.96萬元、-20068.36萬元和-64161.32萬元，扣非凈利潤(rùn)分別為-5296.18萬元、522.91萬元和2268.78萬元。盡管尚未實(shí)現(xiàn)盈利，但其研發(fā)投入并不少。2018年至2020年，其研發(fā)投入占營(yíng)業(yè)收入的比例分別為9.05%、6.97%和10.71%。

　　高投入雖然暫時(shí)沒有帶來相應(yīng)的利潤(rùn)，但經(jīng)過十年的發(fā)展，天岳先進(jìn)已經(jīng)逐漸拉近了在碳化硅領(lǐng)域中與國(guó)際行業(yè)巨頭之間的技術(shù)差距。作為全國(guó)勞動(dòng)模范、國(guó)務(wù)院特殊津貼專家，天岳先進(jìn)掌門人宗艷民先生帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)先后攻克了原料提純、碳化硅材料生長(zhǎng)及缺陷控制、襯底加工等一系列難題，掌握了碳化硅半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)化核心關(guān)鍵技術(shù)，實(shí)現(xiàn)2-6英寸寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)或產(chǎn)業(yè)化，實(shí)現(xiàn)了國(guó)家核心戰(zhàn)略材料的自主可控。

　　與此同時(shí)，培養(yǎng)出了一批高素質(zhì)的研發(fā)人員，承擔(dān)了多項(xiàng)國(guó)家和省部級(jí)重大科研項(xiàng)目。目前，天岳先進(jìn)已擁有數(shù)百項(xiàng)專利等自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，獲得了國(guó)家、省、市級(jí)的科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)和技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)等系列榮譽(yù)?？蒲屑夹g(shù)的突飛猛進(jìn)，也相應(yīng)的促使從天岳先進(jìn)的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了從量到質(zhì)的轉(zhuǎn)變。根據(jù)國(guó)際知名行業(yè)咨詢機(jī)構(gòu)Yole的統(tǒng)計(jì)，2019年及2020年，天岳先進(jìn)已躋身半絕緣型碳化硅襯底市場(chǎng)的世界前三。

　　肩重任戰(zhàn)略保障顯擔(dān)當(dāng)

　　由于碳化硅襯底材料是新的一代半導(dǎo)體材料，處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新興和前沿發(fā)展方向之一，被廣泛用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域，具有重大的戰(zhàn)略意義。長(zhǎng)期以來，相關(guān)核心技術(shù)和生產(chǎn)供給被部分發(fā)達(dá)國(guó)家所壟斷，對(duì)我國(guó)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展及安全造成嚴(yán)重沖擊。在此背景下，天岳先進(jìn)作為我國(guó)碳化硅襯底領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，在國(guó)家亟需的時(shí)候，擔(dān)當(dāng)起了國(guó)家核心戰(zhàn)略物資的保障供應(yīng)重任，批量供應(yīng)了半絕緣型碳化硅襯底材料，成功實(shí)現(xiàn)該產(chǎn)品的自主可控。

　　目前，天岳先進(jìn)分別作為863計(jì)劃新材料技術(shù)領(lǐng)域中導(dǎo)電型碳化硅襯底相關(guān)研究課題和《2013年新材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)項(xiàng)目》中導(dǎo)電型碳化硅襯底相關(guān)項(xiàng)目的牽頭單位之一，已成功掌握了導(dǎo)電型碳化硅襯底材料制備的技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化能力。在優(yōu)先保障半絕緣型碳化硅襯底材料戰(zhàn)略供應(yīng)之余，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)電型碳化硅襯底材料的研發(fā)和小批量銷售，且性能在電力電子領(lǐng)域客戶中得到了有效的驗(yàn)證。

　　搶布局未來車道誰與爭(zhēng)鋒

　　自去年小米發(fā)布65W的氮化鎵充電器后，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料就受到了越來越多的資方關(guān)注。公開報(bào)道顯示，國(guó)際巨頭紛紛加大了碳化硅半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。而國(guó)內(nèi)資方也不甘落后，從天岳先進(jìn)股東榜單可以看出，新進(jìn)股東中大咖云集，包括深創(chuàng)投、科創(chuàng)板上市公司中微公司、華為投資控股有限公司全資持有的哈勃投資等。

　　創(chuàng)道投資咨詢執(zhí)行董事步日欣曾在接受媒體采訪時(shí)表示，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平，國(guó)內(nèi)和國(guó)外相比是有差距的，但這個(gè)差距已經(jīng)比第一代第二代半導(dǎo)體要小很多，而且國(guó)內(nèi)已經(jīng)有意識(shí)在主動(dòng)發(fā)展產(chǎn)業(yè)，補(bǔ)齊短板。目前整個(gè)產(chǎn)業(yè)還處在初期，未來產(chǎn)業(yè)發(fā)展的格局尚未完全確定，所以在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，我們還是有追趕機(jī)會(huì)的。

　　為加快推進(jìn)第三代半導(dǎo)體材料行業(yè)的發(fā)展，國(guó)家層面先后出臺(tái)《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2019版)》《國(guó)務(wù)院關(guān)于印發(fā)進(jìn)一步鼓勵(lì)軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》等鼓勵(lì)性、支持性政策；地方層面也積極響應(yīng)，通過政策將實(shí)質(zhì)性的人、財(cái)、物資源注入，推動(dòng)著各地半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的集聚和發(fā)展。政策落地和行業(yè)需求也促進(jìn)了國(guó)內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，中國(guó)正逐步成為全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體材料生產(chǎn)的主要市場(chǎng)之一。因此，我國(guó)若能在第三代半導(dǎo)體上游行業(yè)襯底材料方面實(shí)現(xiàn)突破，將有望在半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)換道超車。

　　責(zé)任編輯：呂怡蕾

審核：凌薇