立昂微:砷化鎵HBT、pHEMT器件性能主要來自于外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
摘要: 消息,立昂微(605358)04月24日在投資者關(guān)系平臺上答復(fù)投資者關(guān)心的問題。投資者:立昂東芯官網(wǎng)顯示:解決了無線射頻不同應(yīng)用市場中對砷化鎵外延生長材料性能的不同要求的關(guān)鍵技術(shù),
消息,立昂微(605358)04月24日在投資者關(guān)系平臺上答復(fù)投資者關(guān)心的問題。
投資者:立昂東芯官網(wǎng)顯示:解決了無線射頻不同應(yīng)用市場中對砷化鎵外延生長材料性能的不同要求的關(guān)鍵技術(shù),具有多種具有自主知識產(chǎn)權(quán)的銦鎵磷(InGaP)外延生長材料以滿足高線性度、低噪音、高可靠性等的不同需求。公司的砷化鎵外延片不是外采的嗎,為啥能解決砷化鎵外延生長中的關(guān)鍵技術(shù)。
立昂微董秘:尊敬的投資者:您好,感謝您對本公司的關(guān)注。砷化鎵HBT、pHEMT器件性能主要來自于外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),利用能帶剪裁、異質(zhì)結(jié)帶來的特殊特性實(shí)現(xiàn)性能提升,立昂東芯生產(chǎn)所需的外延片為公司設(shè)計(jì)后委托外延廠加工,材料結(jié)構(gòu)的知識產(chǎn)權(quán)屬于公司。此外,外延材料的特性需要結(jié)合工藝才能發(fā)揮作用,一些金屬-半導(dǎo)體界面,工藝制程的蝕刻、熱處理、表面處理等都會對材料特性形成影響,因此,分析外延品質(zhì)、改進(jìn)空間以及故障分析集中在晶圓加工產(chǎn)線,找到根因才是解決外延生長中關(guān)鍵層控制的核心要素。謝謝
投資者:公司官網(wǎng)上有IPD濾波器的技術(shù),公司在這個(gè)技術(shù)上有沒有產(chǎn)品出貨?
立昂微董秘:尊敬的投資者:您好,感謝您對本公司的關(guān)注。立昂東芯是化合物半導(dǎo)體射頻芯片代工產(chǎn)線,代工線的產(chǎn)品是成套的器件工藝,具體到功放、濾波器產(chǎn)品等屬于(委托公司加工晶圓的)設(shè)計(jì)公司的產(chǎn)品。有較多的客戶用立昂東芯的IPD工藝研制和批產(chǎn)濾波器,此類濾波器適合高頻寬帶應(yīng)用需求,與市場常見的SAW/BAW濾波器不是一類產(chǎn)品。謝謝
投資者:海寧東芯24年底新增的6萬片/年的產(chǎn)能設(shè)備調(diào)試好了嗎?有出貨嗎?設(shè)備調(diào)試一般需要多久
立昂微董秘:尊敬的投資者:您好,感謝您對本公司的關(guān)注。海寧東芯新增的6萬片/年的產(chǎn)能設(shè)備已于2024年底通線,目前正在對產(chǎn)線進(jìn)行調(diào)試,謝謝。
投資者:公司BiHemt技術(shù)能夠用于低軌衛(wèi)星的Ku\ka波段,且國內(nèi)只有立昂東芯有這個(gè)BiHemt的產(chǎn)能?
立昂微董秘:尊敬的投資者:您好,感謝您對本公司的關(guān)注。目前低軌衛(wèi)星集中在毫米波頻段,立昂東芯是目前國內(nèi)唯一能提供0.15μmE-pHEMT/0.15μmD-pHEMT多功能工藝(簡稱雙0.15ED工藝)的代工線,其他友商還在追趕之中。BiHEMT是集成了pHEMT和HBT的多功能工藝,其集成的是HBT高線性和pHEMT高增益的特點(diǎn)。謝謝
投資者:從立昂東芯的角度,用于面部識別、激光雷達(dá)和光通信的vcsel,在技術(shù)上有什么不同?

立昂微董秘:尊敬的投資者:您好,感謝您對本公司的關(guān)注。面部識別通常是用VCSEL單管,在小功率下,通過TOF(飛行時(shí)間)或者DOE(衍射光柵)技術(shù)對近距離的物體進(jìn)行形貌掃描/識別;激光雷達(dá),特別是車載激光雷達(dá)的主雷達(dá),需要滿足探測距離遠(yuǎn)、工藝環(huán)境惡劣的特點(diǎn),需要較大的功率密度且需要較高的穩(wěn)定性;光通信的VCSEL主要特點(diǎn)是高速與低功耗。整體上激光雷達(dá)技術(shù)難度最高,面部識別和短距離傳感方面的器件技術(shù)難度相對低一些,謝謝。
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