SiC外延設備廠商芯三代啟動上市輔導
摘要: (原標題:SiC外延設備廠商芯三代啟動上市輔導)致力于第三代半導體關鍵設備碳化硅(SiC)外延設備的研發(fā)和產業(yè)化的芯三代啟動上市。2月18日消息,芯三代半導體科技(蘇州)股份有限公司(簡稱“芯三代”)
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致力于第三代半導體關鍵設備碳化硅(SiC)外延設備的研發(fā)和產業(yè)化的芯三代啟動上市。

2月18日消息,芯三代半導體科技(蘇州)股份有限公司(簡稱“芯三代”)在江蘇證監(jiān)局進行輔導備案登記,輔導機構為海通證券。
芯三代成立于2020年,致力于研發(fā)生產半導體相關專業(yè)設備,目前聚焦于第三代半導體SiC-CVD裝備,傾力為業(yè)界提供先進且富有競爭力的量產裝備。SiC-CVD設備用于碳化硅襯底上同質單晶薄膜外延層的生長,SiC外延片主要用于制造功率器件如肖特基二極管、IGBT、MOSFET等電子器件。
據(jù)悉,芯三代將工藝和設備緊密結合研發(fā)的SiC-CVD設備通過溫場控制、流場控制等方面的設計,在高產能、6/8英寸兼容、CoO成本、長時間多爐數(shù)連續(xù)自動生長控制、低缺陷率、維護便利性和可靠性等方面都具有明顯的優(yōu)勢。
公開信息顯示,2023年下半年,芯三代自主研發(fā)的8英寸垂直氣流外延設備已經幫助兩家客戶順利完成8英寸SiC外延工藝的調試和首批8英寸外延片訂單交付,從而證明國產外延設備不僅在6英寸SiC上已經實現(xiàn)超越,在8英寸SiC上也取得突破性進展,尤其在缺陷率指標上更勝一籌。
據(jù)了解,受益于碳化硅下游市場需求逐步放大,外延生長在SiC器件制造成本中占比超20%,SiC外延設備是第三代半導體SiC器件制造的核心裝備之一,下游市場的飛速增長,不斷的擴產需求也助推了碳化硅外延設備的市場增長,國內的外延設備企業(yè)紛紛開始推動布局。
據(jù)InSemi的碳化硅設備市場報告,國內當前碳化硅外延設備的企業(yè)數(shù)量已接近10余家,國產設備的占比在不斷提升,2023年國產設備出貨量占比已全面超越海外。
融資方面,企查查顯示,芯三代已獲得多輪融資,其中2021年12月和2023年6月融資金額分別達到超億元和數(shù)千萬元(人民幣,下同)。具體來看,2023年上半年,芯三代密集完成4輪融資,投資方包括毅達資本、海富產業(yè)基金、上海樺昀、德觀資產、渾璞投資、唐興資本、匯添富資本、華泰紫金投資等眾多機構。
輔導文件顯示,芯三代控股股東為施建新,直接和間接持有公司51.99%的股份。
外延,SiC,碳化硅






