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　　中信證券研究 文|徐濤 王子源

　　美國(guó)商務(wù)部于2024年12月2日更新了半導(dǎo)體出口管制政策和實(shí)體清單，主要針對(duì)中國(guó)大陸半導(dǎo)體企業(yè)。本次制裁仍然是主要圍繞先進(jìn)制程的“小院高墻”式策略，意在卡住中國(guó)先進(jìn)半導(dǎo)體發(fā)展進(jìn)程，相關(guān)內(nèi)容與此前媒體報(bào)道內(nèi)容差別不大，市場(chǎng)已有所預(yù)期，由于相關(guān)企業(yè)已有提前準(zhǔn)備，我們認(rèn)為短期實(shí)際影響有限，長(zhǎng)期而言則需放棄幻想，自立自強(qiáng)，有望進(jìn)一步加速全產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

　　▍美國(guó)更新出口管制規(guī)則并新增實(shí)體清單，瞄準(zhǔn)中國(guó)大陸半導(dǎo)體領(lǐng)域。

　　2024年12月2日北京時(shí)間晚間，美國(guó)工業(yè)和安全局（BIS）發(fā)布了《出口管理?xiàng)l例（EAR）》的修訂說(shuō)明，修訂半導(dǎo)體相關(guān)的出口管制規(guī)則，同時(shí)將 140個(gè)中國(guó)實(shí)體列入“實(shí)體清單”。核心內(nèi)容包括但不限于：1）實(shí)體清單新增140家公司，并修改對(duì)部分企業(yè)（標(biāo)注“腳注5” 的企業(yè)）供應(yīng)含美技術(shù)外國(guó)產(chǎn)品的限制要求，以及從驗(yàn)證最終用戶 （VEU） “白名單”計(jì)劃中刪除3家中國(guó)企業(yè)；2）針對(duì)高帶寬內(nèi)存（HBM）增加新的管制措施（增加新的3A090.c編碼）；3）擴(kuò)展了部分半導(dǎo)體制造設(shè)備和相關(guān)物品的管制品類，適用于外國(guó)直接產(chǎn)品規(guī)則。

　　▍針對(duì)實(shí)體清單企業(yè)和白名單的更新主要包含三部分。

　　1）新增140家實(shí)體清單公司，主要為國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體制造、設(shè)備廠商，也涉及EDA、投資公司。本次新增實(shí)體清單的公司包括半導(dǎo)體設(shè)備廠商北方華創(chuàng)、拓荊科技、盛美上海、至純科技、中科飛測(cè)、新凱來(lái)、凱世通、華峰測(cè)控、爍科中科信、華海清科、芯源微、北京屹唐、東方晶源、上海睿勵(lì)等半導(dǎo)體設(shè)備廠商及部分子公司；半導(dǎo)體制造商青島芯恩、昇維旭、鵬新旭、武漢新芯等；EDA廠商華大九天及其子公司；半導(dǎo)體材料廠商南大光電及其子公司、上海新昇（滬硅產(chǎn)業(yè)旗下）、珠?；?、至純精密氣體等；半導(dǎo)體海外并購(gòu)相關(guān)的建廣資產(chǎn)、智路資本、聞泰科技（維權(quán)）等。實(shí)體清單內(nèi)企業(yè)在購(gòu)買美國(guó)技術(shù)含量25%以上產(chǎn)品時(shí)受到限制。

　　2）對(duì)14家實(shí)體清單中的晶圓廠及研發(fā)中心增加了“腳注5”限制，更嚴(yán)格限制含美技術(shù)產(chǎn)品的采購(gòu)。BIS針對(duì)14家已經(jīng)被列入實(shí)體清單或新列入的晶圓廠和研發(fā)中心增加了“腳注5”，包括福建晉華、中芯北京、中芯國(guó)際、中芯北方、鵬芯微、ICRD、中芯南方、武漢新芯、青島芯恩、中科院微電子所、上海集成電路裝備材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、張江實(shí)驗(yàn)室、北方集成電路技術(shù)創(chuàng)新中心、中芯國(guó)際集成電路新技術(shù)研發(fā)公司等，BIS限制采用美國(guó)技術(shù)的公司（包括美系和非美系）向這些中國(guó)公司出口任何含有美國(guó)技術(shù)的產(chǎn)品。此外BIS對(duì)中芯國(guó)際的許可（分析師）批準(zhǔn)政策也做了修訂。

　　3）3家半導(dǎo)體公司被移除VEU清單。BIS將三家中國(guó)半導(dǎo)體公司從VEU（授權(quán)驗(yàn)證最終用戶）“白名單”清單移除，分別為中微公司、華虹半導(dǎo)體和華潤(rùn)微，VEU公司無(wú)需從 BIS 獲得出口、再出口或轉(zhuǎn)讓（國(guó)內(nèi)）許可證，現(xiàn)在被移除后，購(gòu)買受管制的商品、軟件和/或技術(shù)均需要通過(guò)BIS審查。

　　▍HBM和先進(jìn)DRAM的限制加碼，新增限制HBM的技術(shù)參數(shù)，主流HBM產(chǎn)品受管制。

　　1）新增HBM管制物項(xiàng)編碼：針對(duì)HBM增加了3A090.c管制物項(xiàng)編碼，存儲(chǔ)帶寬密度超過(guò)每平方毫米2GB/s即受到管制，BIS表示當(dāng)前所有量產(chǎn)中的HBM均受限；3A090.c主要針對(duì)獨(dú)立HBM，而對(duì)于HBM與邏輯合封的產(chǎn)品，則主要聚焦算力芯片部分，看TPP和性能密度是否受限（根據(jù)3A090.a/3A090.b）；此外，對(duì)于美國(guó)或盟友企業(yè)在中國(guó)工廠封裝等情形，設(shè)置了許可例外條件，當(dāng)滿足HBM內(nèi)存帶寬密度小于3.3GB/s/mm2等一系列條件時(shí)，可申請(qǐng)?jiān)S可證例外授權(quán)，對(duì)產(chǎn)品去向仍有嚴(yán)格管控。

　　2）修改先進(jìn)DRAM定義：在限制半導(dǎo)體設(shè)備時(shí)，將先進(jìn)DRAM的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)從“18 納米半間距或更小”修正為當(dāng) DRAM集成電路的存儲(chǔ)單元面積小于0.0019μm2或存儲(chǔ)密度大于 0.288Gbit/mm2時(shí)，該集成電路即符合 “先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路 （Advanced-Node IC） ”，從而限制3D DRAM等技術(shù)，達(dá)到這一水平的國(guó)內(nèi)DRAM存儲(chǔ)廠采購(gòu)含美技術(shù)設(shè)備需要許可證。

　　▍修訂“商業(yè)管制清單CCL”，新增8類高端設(shè)備管制。

　　BIS在管制清單中新增8種品類（ECCN 3B001），后續(xù)此類設(shè)備的采購(gòu)均需要許可要求或推定拒絕，主要包括：用于封裝含硅通孔（TSV）芯片（如 HBM 芯片）的刻蝕設(shè)備；用于在先進(jìn)集成電路的金屬線之間沉積低介電材料的設(shè)備；用于先進(jìn)存儲(chǔ)器集成電路中低電阻率金屬（鉬和釕）的沉積設(shè)備；用于先進(jìn) DRAM中絕緣體沉積的設(shè)備；部分用先進(jìn)節(jié)點(diǎn)鎢沉積的物理沉積設(shè)備；能夠用于先進(jìn)節(jié)點(diǎn)集成電路生產(chǎn)的納米壓印光刻設(shè)備（套刻精度小于 1.5nm）；用于先進(jìn)制程的高端單片清洗設(shè)備（如超臨界清洗）；控制用于改善EUV光刻整體圖形的沉積或刻蝕設(shè)備等。同時(shí)，7種商品從原 ECCN 3B001 移入新的 ECCN 3B993，不再需要許可要求或推定拒絕，原因是這些商品與制程節(jié)點(diǎn)無(wú)關(guān)，并已在非先進(jìn)節(jié)點(diǎn)制造應(yīng)用中得到廣泛使用。

　　▍風(fēng)險(xiǎn)因素：

　　全球宏觀經(jīng)濟(jì)低迷風(fēng)險(xiǎn)，下游需求不及預(yù)期，國(guó)際產(chǎn)業(yè)環(huán)境變化和貿(mào)易摩擦加劇風(fēng)險(xiǎn)，國(guó)產(chǎn)化推進(jìn)不及預(yù)期，匯率大幅波動(dòng)，美國(guó)制裁加劇，日荷等美國(guó)盟友收緊半導(dǎo)體政策等。

　　▍投資策略：

　　本次制裁內(nèi)容與此前媒體報(bào)道內(nèi)容差別不大，市場(chǎng)已有所預(yù)期，由于相關(guān)企業(yè)已有準(zhǔn)備，已經(jīng)提前進(jìn)行了長(zhǎng)期囤貨和去美供應(yīng)鏈切換，我們認(rèn)為短期實(shí)際影響有限，對(duì)企業(yè)業(yè)務(wù)連續(xù)性不構(gòu)成顯著影響，長(zhǎng)期而言則需放棄幻想，自立自強(qiáng)，有望進(jìn)一步加速全產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

　　1）半導(dǎo)體零部件企業(yè)國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)一步加速。制裁走向上游，建議關(guān)注零部件國(guó)產(chǎn)替代機(jī)會(huì)。

　　2）設(shè)備企業(yè)國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)明確，當(dāng)前最應(yīng)關(guān)注具備先進(jìn)制程、平臺(tái)化、細(xì)分國(guó)產(chǎn)化率低的公司。

　　3）先進(jìn)封裝在AI芯片領(lǐng)域發(fā)揮作用增強(qiáng)，在2.5D/3D/HBM相關(guān)方向有持續(xù)技術(shù)迭代空間。建議關(guān)注國(guó)內(nèi)布局先進(jìn)封裝的廠商。

　　4）晶圓廠作為半導(dǎo)體先進(jìn)國(guó)產(chǎn)替代核心戰(zhàn)略資產(chǎn)地位強(qiáng)化。

　　本文節(jié)選自中信證券研究部已于當(dāng)日發(fā)布的《晨會(huì)》報(bào)告，具體分析內(nèi)容（包括相關(guān)風(fēng)險(xiǎn)提示等）請(qǐng)?jiān)斠?jiàn)報(bào)告。若因?qū)?bào)告的摘編而產(chǎn)生歧義，應(yīng)以報(bào)告發(fā)布當(dāng)日的完整內(nèi)容為準(zhǔn)。