A股三大指數(shù)今日漲跌不一，截止收盤，滬指漲0.10%，收?qǐng)?bào)3916.23點(diǎn)；深證成指跌0.25%，收?qǐng)?bào)13086.41點(diǎn)；創(chuàng)業(yè)板指漲0.38%，收?qǐng)?bào)3037.44點(diǎn)。滬深兩市成交額跌破2萬(wàn)億，今日僅有19311億，較昨日縮量1417億。行業(yè)板塊漲少跌多，保險(xiǎn)、煤炭行業(yè)、航運(yùn)港口、銀行板塊漲幅居前，小金屬、貴金屬、風(fēng)電設(shè)備、鋼鐵行業(yè)、采掘行業(yè)、化肥行業(yè)跌幅居前。個(gè)股方面，上漲股票數(shù)量接近1200只，逾50只股票漲停。

　　據(jù)媒體報(bào)道，存儲(chǔ)模組大廠威剛董事長(zhǎng)陳立白表示，當(dāng)前DRAM內(nèi)存、NAND閃存、固態(tài)硬盤、機(jī)械硬盤等存儲(chǔ)產(chǎn)品全面缺貨，這種情況30年未見(jiàn)。他認(rèn)為這背后是云服務(wù)供應(yīng)商大規(guī)模采購(gòu)的強(qiáng)勁需求推動(dòng)，存儲(chǔ)行業(yè)將迎來(lái)多年期牛市。針對(duì)DDR4內(nèi)存市場(chǎng)，陳立白指出三星半導(dǎo)體、SK海力士、美光等三大DRAM廠商已拆除DDR4產(chǎn)線設(shè)備，重新生產(chǎn)DDR4并不劃算。這意味著DDR4將進(jìn)入約2年的長(zhǎng)尾市場(chǎng)階段，供應(yīng)缺口遠(yuǎn)超預(yù)期。

　　近年來(lái)，隨著AI技術(shù)飛速發(fā)展以及AI數(shù)據(jù)中心等基建需求大增，存儲(chǔ)芯片需求相當(dāng)旺盛。信達(dá)證券表示，AI產(chǎn)品增長(zhǎng)影響存儲(chǔ)供需兩端，四季度DRAM和NAND價(jià)格預(yù)計(jì)延續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。德邦證券指出，本輪存儲(chǔ)芯片的需求更多源自大型科技公司在AI時(shí)代的算力基建，持續(xù)性可能更強(qiáng)?！　?img rel='nofollow' src='http://image.yjcf360.com/202510/346fa47d8140493caac88578a967b4fc.png' border='0' onload='javascript:if(this.width>500)this.width=500' align='center' hspace=10 vspace=10 alt=''>　　信達(dá)證券：四季度DRAM和NAND價(jià)格預(yù)計(jì)延續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)

　　AI產(chǎn)品增長(zhǎng)影響存儲(chǔ)供需兩端，四季度DRAM和NAND價(jià)格預(yù)計(jì)延續(xù)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。TrendForce則預(yù)估，第四季度舊制程DRAM整體價(jià)格環(huán)比增長(zhǎng)8%～13%，HBM價(jià)格環(huán)比增漲13%～18%；NANDFlash第四季度各類產(chǎn)品合約價(jià)或?qū)⑷嫔蠞q，平均漲幅預(yù)計(jì)達(dá)到5%～10%。

　　德邦證券：本輪存儲(chǔ)芯片上行周期持續(xù)性可能更強(qiáng)

　　存儲(chǔ)芯片于2024年開啟新上行周期，核心受益于AI基建帶來(lái)的需求增長(zhǎng)。前兩輪周期本質(zhì)更多依托消費(fèi)端發(fā)力，而本輪存儲(chǔ)芯片的需求更多源自大型科技公司在AI時(shí)代的算力基建，持續(xù)性可能更強(qiáng)。

　　天風(fēng)證券：HBM瓶頸凸顯產(chǎn)業(yè)痛點(diǎn)

　　AI推理成價(jià)值核心，HBM瓶頸凸顯產(chǎn)業(yè)痛點(diǎn)。當(dāng)前，AI推理已成為衡量大模型商業(yè)化價(jià)值的關(guān)鍵標(biāo)尺，為突破算力瓶頸與“存儲(chǔ)墻”制約，“以存代算”作為一種顛覆性技術(shù)范式應(yīng)運(yùn)而生。該技術(shù)通過(guò)將AI推理過(guò)程中的矢量數(shù)據(jù)昂貴的DRAM和HBM顯存遷移至大容量、高性價(jià)比的SSD介質(zhì)，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)層從內(nèi)存向SSD的戰(zhàn)略擴(kuò)展，而非簡(jiǎn)單替代。其核心價(jià)值在于顯著降低首Token時(shí)延、提升推理吞吐量，并大幅優(yōu)化端到端的推理成本，為AI大規(guī)模落地提供可行路徑。

　　中信證券：2026年大容量QLCSSD有望出現(xiàn)爆發(fā)性增長(zhǎng)

　　9月以來(lái)，根據(jù)Bloomberg、CFM閃存市場(chǎng)，NANDFlashWafer和部分存儲(chǔ)模組均有不同程度上漲，漲幅個(gè)位數(shù)。展望后續(xù)，TrendForce預(yù)計(jì)2025年四季度NANDFlash價(jià)格將上漲5%～10%，后續(xù)數(shù)據(jù)中心eSSD漲價(jià)幅度有望超市場(chǎng)預(yù)期，2026年大容量QLCSSD有望出現(xiàn)爆發(fā)性增長(zhǎng)。

　　國(guó)金證券：DRAM價(jià)格或繼續(xù)增長(zhǎng)

　　根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，由于三大DRAM原廠將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向高階產(chǎn)品，并陸續(xù)宣布PC/Server用DDR4以及Mobile用LPDDR4X進(jìn)入產(chǎn)品生命周期末期(EOL)，引發(fā)市場(chǎng)對(duì)舊世代產(chǎn)品積極備貨，疊加傳統(tǒng)旺季備貨動(dòng)能，將推升2025年第三季一般型DRAM(ConventionalDRAM)價(jià)格季增10%至15%，若納入HBM，整體DRAM漲幅將季增15%至20%。

　　(本文不構(gòu)成任何投資建議，投資者據(jù)此操作，一切后果自負(fù)。市場(chǎng)有風(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。)