核心觀點

　　性能完美替代，SiC器件未來將逐步替代傳統硅基器件：受益于優(yōu)秀的材料特性，隨著量產和技術成熟帶來的成本下降，在新能源時代，SiC即將迎來屬于它的性價比“奇點時刻”：在新能源汽車的主逆變器、車載充電器、快速充電樁、光伏逆變器等場景中均有廣泛的應用空間。碳化硅更是電驅系統向高電壓升級的核“芯”，解決電動汽車里程焦慮和充電速度慢兩大核心痛點，眾多車企對800V電壓平臺的持續(xù)布局再次拉升了碳化硅器件的需求。2030年碳化硅市場規(guī)模將超300億美元，2021到2030年復合增速預計高達50.6%。

　　全球碳化硅產業(yè)格局：美國廠商占據主導地位，國內度過產業(yè)化元年。Wolfspeed的出貨量占據了全球的45%。2021年是國內SiC產業(yè)化元年，2021年一季度國內新增SiC項目合計投資金額達到630億元，超過2020年全年的水平，達到2012-2019年合計值的5倍以上。

　　碳化硅產業(yè)“得材料者得天下”：產業(yè)放量的核心看襯底工藝的突破。碳化硅襯底是整個碳化硅產業(yè)鏈中成本占比最大、技術門檻最高的環(huán)節(jié)，對產業(yè)放量起著決定性作用。根據我們的模型測算，2026年全球SiC襯底有效產能為330萬片，距離同年的襯底629萬片的需求量仍有較大差距。在業(yè)內形成穩(wěn)定且較高的良率規(guī)?；鲐浨?，整個行業(yè)都將持續(xù)呈現供不應求的格局。因此，對于下游廠商而言，誰能夠鎖定頭部材料廠商的優(yōu)質產能，誰就能夠在這一輪產業(yè)浪潮中提前搶灘登陸，搶占先機。目前上游大廠（如wolfspeed）的長期供貨訂單基本都被國際半導體巨頭鎖定。

　　IDM模式可能會成為未來產業(yè)主流模式，同時可能會出現上下游互相滲透的現象。碳化硅產業(yè)具有IDM整合制造模式生存發(fā)展的土壤。上游襯底廠商把握著碳化硅產業(yè)鏈最核心的產能資源，這為它們帶來了產業(yè)鏈內的話語權和主動權，以及向下游器件端延伸的天然優(yōu)勢；下游器件廠商則具備完善的產線、成熟的客戶孵化和客戶資源等一系列先發(fā)優(yōu)勢，有望通過并購和合作等方式向上游材料端延伸。相關企業(yè)：三安光電(行情600703,診股)、天岳先進-U、鳳凰光學(行情600071,診股)、天科合達、東莞天域、瀚天天成、【時代電氣(688187)、股吧】(行情688187,診股)、泰科天潤、基本半導體等。

　　風險提示：上游材料端良率及產能提升不及預期；下游滲透率提升不及預期；SiC成本下降不及預期等。

　　正文如下