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突然,飆漲90%!芯片,利好突襲!

來(lái)源: 證券時(shí)報(bào)網(wǎng) 作者:佚名

摘要: 存儲(chǔ)的漲價(jià)潮仍在持續(xù)!2月9日,市場(chǎng)研究公司Counterpoint表示,截至2026年第一季度,內(nèi)存價(jià)格環(huán)比上漲80%—90%,迎來(lái)前所未有的創(chuàng)紀(jì)錄暴漲。另外,高盛大幅上調(diào)了DRAM供應(yīng)短缺預(yù)期,

  存儲(chǔ)的漲價(jià)潮仍在持續(xù)!

  2月9日,市場(chǎng)研究公司Counterpoint表示,截至2026年第一季度,內(nèi)存價(jià)格環(huán)比上漲80%—90%,迎來(lái)前所未有的創(chuàng)紀(jì)錄暴漲。

  另外,高盛大幅上調(diào)了DRAM供應(yīng)短缺預(yù)期,并發(fā)出警告稱,市場(chǎng)正處于過(guò)去15年來(lái)最嚴(yán)重的存儲(chǔ)芯片供應(yīng)短缺前夜。而在幾天之前,TrendForce集邦咨詢?nèi)嫔闲薜谝患綝RAM、NAND Flash各產(chǎn)品價(jià)格季度增長(zhǎng)幅度,預(yù)估整體Conventional DRAM合約價(jià)將從1月初公布的季增55%—60%,改為上漲90%—95%。

  今日,在韓國(guó)證券市場(chǎng)上,存儲(chǔ)芯片概念股集體大漲,SK海力士漲近6%,三星電子漲近5%。在A股市場(chǎng)上,存儲(chǔ)芯片概念股也集體走強(qiáng),炬光科技漲超17%,國(guó)芯科技漲超12%,復(fù)旦微電漲近10%,兆易創(chuàng)新(603986)、長(zhǎng)電科技(600584)等漲超6%。

  一季度內(nèi)存價(jià)格飆升90%

  Counterpoint發(fā)布的《2月內(nèi)存價(jià)格追蹤報(bào)告》顯示,截至2026年第一季度,內(nèi)存價(jià)格環(huán)比上漲80%—90%,本輪上漲的主要推手是通用服務(wù)器DRAM價(jià)格大幅攀升。此外,去年第四季度表現(xiàn)相對(duì)平穩(wěn)的NAND閃存,在第一季度也同步上漲80%—90%。疊加部分HBM3e產(chǎn)品價(jià)格走高,市場(chǎng)正呈現(xiàn)全品類、全板塊全面加速上漲態(tài)勢(shì)。

  以服務(wù)器級(jí)內(nèi)存為例,64GB RDIMM合約價(jià)已從去年第四季度的450美元,飆升至第一季度的900美元以上,且二季度有望突破1000美元關(guān)口。高級(jí)分析師Jeongku Choi指出:“存儲(chǔ)器行業(yè)盈利水平預(yù)計(jì)將達(dá)到前所未有的高度。2025年第四季度,DRAM營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率已達(dá)到60%區(qū)間,這是通用DRAM利潤(rùn)率首次超過(guò)HBM。2026年第一季度,DRAM利潤(rùn)率將首次突破歷史峰值。盡管如此,這一水平要么成為新的常態(tài),要么形成極高的基準(zhǔn)——當(dāng)前看似穩(wěn)固,但一旦進(jìn)入下一輪下行周期(若發(fā)生),市場(chǎng)表現(xiàn)可能會(huì)更加慘淡?!?/p>

  此外,TrendForce集邦咨詢最新數(shù)據(jù)顯示,受惠于AI浪潮的推升,存儲(chǔ)器與晶圓代工產(chǎn)值均將在2026年同步創(chuàng)下新高。存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)受供給吃緊與價(jià)格飆升影響,產(chǎn)值規(guī)模大幅擴(kuò)張至5516億美元。盡管晶圓代工產(chǎn)值同步創(chuàng)下2187億美元的新高紀(jì)錄,但存儲(chǔ)器產(chǎn)值規(guī)模已攀升至晶圓代工的2倍以上。

  上一次存儲(chǔ)器超級(jí)循環(huán)落在2017—2019年,主要由云端數(shù)據(jù)中心建置需求所驅(qū)動(dòng),存儲(chǔ)器產(chǎn)值當(dāng)時(shí)也與晶圓代工拉開了顯著差距。然而,此次由AI需求驅(qū)動(dòng)的循環(huán)與前一次相比,缺貨的狀況更為全面。AI產(chǎn)業(yè)重心由模型訓(xùn)練轉(zhuǎn)向大規(guī)模推理應(yīng)用,更強(qiáng)調(diào)實(shí)時(shí)響應(yīng)能力與數(shù)據(jù)存取效率,帶動(dòng)服務(wù)器端對(duì)高容量、高帶寬DRAM的需求持續(xù)擴(kuò)大,單機(jī)搭載容量亦同步提升。除此之外,英偉達(dá)在Vera Rubin平臺(tái)的推廣中,強(qiáng)化了對(duì)高效能存儲(chǔ)的需求,提升Enterprise(企業(yè)級(jí))SSD的重要性。為了在Token生成效能與成本之間取得平衡,業(yè)者正加速采用大容量QLC SSD以應(yīng)對(duì)海量數(shù)據(jù)(603138)存取。

  另一方面,客戶的需求也已顯著改變,不同于過(guò)去以終端客戶為主,此次搶貨潮由CSP(云端服務(wù)供應(yīng)商)拉動(dòng),不僅采購(gòu)量呈指數(shù)級(jí)成長(zhǎng),對(duì)價(jià)格的敏感度相對(duì)較低,使得價(jià)格漲幅同樣超越前一次超級(jí)循環(huán),并創(chuàng)下新紀(jì)錄。

  此前,TrendForce集邦咨詢?nèi)嫔闲薜谝患綝RAM、NAND Flash各產(chǎn)品價(jià)格季成長(zhǎng)幅度,預(yù)估整體Conventional DRAM合約價(jià)將從一月初公布的季增55%—60%,改為上漲90%—95%,NAND Flash合約價(jià)則從季增33%—38%上調(diào)至55%—60%,并且不排除仍有進(jìn)一步上修空間。

  高盛大幅上調(diào)存儲(chǔ)芯片供需缺口預(yù)期

  據(jù)追風(fēng)交易臺(tái),知名投行高盛在2月8日的報(bào)告中表示,2026—2027年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)將經(jīng)歷歷史上最嚴(yán)重的供應(yīng)短缺之一,DRAM、NAND和HBM三大品類供需缺口均大幅擴(kuò)大。

  高盛最新預(yù)測(cè)顯示,2026年和2027年DRAM供不應(yīng)求幅度將達(dá)到4.9%和2.5%,遠(yuǎn)超此前預(yù)期的3.3%和1.1%。其中,2026年的供應(yīng)短缺將是過(guò)去15年以來(lái)最嚴(yán)重的一次。

  驅(qū)動(dòng)這一緊張局面的核心因素在于服務(wù)器需求的爆發(fā)式增長(zhǎng)。高盛將2026年/2027年服務(wù)器DRAM(不含HBM)需求預(yù)期上調(diào)6%/10%,預(yù)計(jì)這兩年的增長(zhǎng)率將分別達(dá)到39%和22%。如果將HBM計(jì)算在內(nèi),服務(wù)器相關(guān)DRAM需求將占全球總需求的53%和57%,服務(wù)器已成為DRAM需求最重要的驅(qū)動(dòng)力。不過(guò),高盛下調(diào)了PC和智能手機(jī)的DRAM需求預(yù)期。

  NAND市場(chǎng)的供需格局同樣大幅收緊。高盛預(yù)計(jì)2026年/2027年NAND供不應(yīng)求幅度為4.2%/2.1%,高于此前預(yù)期的2.5%/1.2%,這將是NAND行業(yè)歷史上最大規(guī)模的短缺之一。其中,企業(yè)級(jí)SSD需求的強(qiáng)勁增長(zhǎng)是主要推動(dòng)力。高盛將2026年/2027年企業(yè)級(jí)SSD需求預(yù)期上調(diào)14%/14%,預(yù)計(jì)增長(zhǎng)率將達(dá)到58%/23%,在全球NAND需求中的占比將升至36%/39%。

  銀河證券指出,1月份,存儲(chǔ)市場(chǎng)延續(xù)2025年四季度以來(lái)的強(qiáng)勢(shì)上漲態(tài)勢(shì),DRAM和NAND閃存價(jià)格漲幅持續(xù)超預(yù)期。三星電子、SK海力士等頭部廠商一季度合約價(jià)大幅上調(diào),其中NAND閃存供應(yīng)價(jià)格上調(diào)超100%,DRAM價(jià)格漲幅達(dá)60%—70%。漲價(jià)核心驅(qū)動(dòng)因素包括:AI服務(wù)器對(duì)HBM需求爆發(fā)、數(shù)據(jù)中心資本開支加碼、產(chǎn)能結(jié)構(gòu)性調(diào)整等,供需缺口持續(xù)擴(kuò)大,預(yù)計(jì)本輪漲價(jià)周期將延續(xù)至2026年年中。當(dāng)前時(shí)點(diǎn),是存儲(chǔ)芯片賽道下一輪周期的新起點(diǎn),在AI服務(wù)器需求高速增長(zhǎng)疊加國(guó)產(chǎn)替代,看好國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)上市公司的投資機(jī)遇。

  招商證券表示,2026年一季度以來(lái)各類存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格環(huán)比急劇上漲,目前在能見度范圍內(nèi)今年存儲(chǔ)價(jià)格持續(xù)上漲可期,同時(shí)2026年全球新增供給有限,預(yù)計(jì)存儲(chǔ)緊缺趨勢(shì)將延續(xù)至2027年。在價(jià)格與需求共振情況下,今年海內(nèi)外存儲(chǔ)將迎來(lái)業(yè)績(jī)釋放大年,后續(xù)市場(chǎng)價(jià)格趨勢(shì)和各環(huán)節(jié)公司業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)持續(xù)性是核心關(guān)注點(diǎn),建議關(guān)注存儲(chǔ)+設(shè)備+產(chǎn)業(yè)鏈三大核心環(huán)節(jié)相關(guān)公司。

  

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DRAM,存儲(chǔ),NAND

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