長(zhǎng)鑫科技科創(chuàng)板IPO獲受理
摘要: (記者何昕怡)12月30日,上交所官網(wǎng)顯示,長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司(下稱“長(zhǎng)鑫科技”)科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)獲受理,擬募資額為295億元。招股書(shū)顯示,長(zhǎng)鑫科技專注于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)的設(shè)計(jì)、
(記者何昕怡)12月30日,上交所官網(wǎng)顯示,長(zhǎng)鑫科技集團(tuán)股份有限公司(下稱“長(zhǎng)鑫科技”)科創(chuàng)板IPO申請(qǐng)獲受理,擬募資額為295億元。
招股書(shū)顯示,長(zhǎng)鑫科技專注于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片(DRAM)的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司現(xiàn)已形成DDR系列、LPDDR系列等多元化產(chǎn)品布局,并可提供DRAM晶圓、DRAM芯片、DRAM模組等多樣化的產(chǎn)品方案,可以有效滿足服務(wù)器、移動(dòng)設(shè)備、個(gè)人電腦、智能汽車等市場(chǎng)需求。公司在合肥、北京兩地共擁有3座12英寸DRAM晶圓廠。根據(jù)Omdia的數(shù)據(jù),按照產(chǎn)能和出貨量統(tǒng)計(jì),公司已成為中國(guó)第一、全球第四的DRAM廠商。

此次IPO,公司擬募資295億元,用于存儲(chǔ)器晶圓制造量產(chǎn)線技術(shù)升級(jí)改造項(xiàng)目、DRAM存儲(chǔ)器技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器前瞻技術(shù)研究與開(kāi)發(fā)項(xiàng)目。
從股權(quán)結(jié)構(gòu)來(lái)看,長(zhǎng)鑫科技無(wú)控股股東、實(shí)際控制人。直接持有公司5%以上股份的股東為清輝集電、長(zhǎng)鑫集成、大基金二期、合肥集鑫及安徽省投;截至招股書(shū)簽署日,分別持有長(zhǎng)鑫科技21.67%、11.71%、8.73%、8.37%及7.91%的股權(quán),不存在單一持股比例超過(guò)50%的股東,公司的股權(quán)結(jié)構(gòu)較為分散。
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