SiC芯片+海外拓展+IGBT模塊 斯達(dá)半導(dǎo)觸及漲停
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作者：佚名
摘要： 今日走勢(shì)：斯達(dá)半導(dǎo)（603290）今日觸及漲停板，該股近一年漲停4次。異動(dòng)原因揭秘：1、據(jù)2025年6月28日可轉(zhuǎn)債公告，公司擬通過(guò)發(fā)行可轉(zhuǎn)債募集資金擴(kuò)大車(chē)規(guī)級(jí)SiCMOSFET模塊產(chǎn)能，
今日走勢(shì)：斯達(dá)半導(dǎo)（603290）今日觸及漲停板，該股近一年漲停4次。
異動(dòng)原因揭秘：1、據(jù)2025年6月28日可轉(zhuǎn)債公告，公司擬通過(guò)發(fā)行可轉(zhuǎn)債募集資金擴(kuò)大車(chē)規(guī)級(jí)SiCMOSFET模塊產(chǎn)能，以滿足新能源汽車(chē)行業(yè)客戶需求。
2、據(jù)互動(dòng)易2024年8月9日回復(fù)，公司自主IGBT芯片車(chē)規(guī)級(jí)模塊已在歐洲一線品牌Tier1客戶大批量交付，終端客戶覆蓋國(guó)內(nèi)主要新能源汽車(chē)品牌。
3、據(jù)2024年年報(bào)，公司是國(guó)內(nèi)車(chē)規(guī)級(jí)IGBT/SiC模塊主要供應(yīng)商，在新能源汽車(chē)、新能源發(fā)電等領(lǐng)域形成競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
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后市分析：該股今日觸及漲停，后市或有繼續(xù)沖高動(dòng)能。
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