先進(jìn)封裝+存儲芯片+HJT設(shè)備+鈣鈦礦電池 邁為股份觸及漲停
摘要: 今日走勢:邁為股份(300751)今日觸及漲停板,該股近一年漲停1次。異動原因揭秘:行業(yè)原因:DRAM與Flash年內(nèi)價格分別上漲超4倍和近3倍,現(xiàn)貨市場供不應(yīng)求。
今日走勢:邁為股份(300751)今日觸及漲停板,該股近一年漲停1次。
異動原因揭秘:行業(yè)原因:
DRAM與Flash年內(nèi)價格分別上漲超4倍和近3倍,現(xiàn)貨市場供不應(yīng)求。美光宣布退出消費級內(nèi)存與SSD業(yè)務(wù),產(chǎn)能轉(zhuǎn)向AI驅(qū)動的高利潤產(chǎn)品,導(dǎo)致消費級存儲供應(yīng)緊張。由于AI服務(wù)器擠占晶圓產(chǎn)能,原廠優(yōu)先保障高利潤訂單,DDR4等成熟制程產(chǎn)品供給收縮,迫使下游廠商“減配”或提價。
公司原因:
1、據(jù)2025年9月25日互動易,公司高選擇比刻蝕、原子層沉積設(shè)備已進(jìn)入多家頭部晶圓廠和存儲廠商量產(chǎn)階段。
2、據(jù)2025年8月22日半年報,公司晶圓混合鍵合、臨時鍵合、D2WTCB鍵合等先進(jìn)封裝設(shè)備已交付多家客戶,干拋式晶圓研拋一體設(shè)備即將量產(chǎn)。
3、據(jù)2025年5月31日公告,公司可轉(zhuǎn)債募投“鈣鈦礦疊層太陽能電池裝備產(chǎn)業(yè)化項目”已獲4項授權(quán)專利,鈣鈦礦疊層設(shè)備持續(xù)推進(jìn)。
4、據(jù)2024年年度報告,公司GW級雙面微晶異質(zhì)結(jié)高效電池整線裝備升級完成,HJT電池設(shè)備實現(xiàn)整線海外銷售,技術(shù)降本增效持續(xù)推進(jìn)。
?。庳?zé)聲明:本內(nèi)容由AI技術(shù)搜集公開信息總結(jié)生成,僅供參考,不構(gòu)成投資建議,以上市公司公告為準(zhǔn))
后市分析:該股今日觸及漲停,后市或有繼續(xù)沖高動能。
晶圓,AI








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