三星計劃明年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 沿用雙層堆棧架構
摘要: 三星電子計劃明年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,將沿用雙層堆棧架構,超過300層。報道稱,這將使三星的進度超過SK海力士,后者計劃2025年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構的321層NAND閃存。
三星電子計劃明年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,將沿用雙層堆棧架構,超過300層。報道稱,這將使三星的進度超過SK海力士,后者計劃2025年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構的321層NAND閃存。
堆棧
摘要: 三星電子計劃明年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,將沿用雙層堆棧架構,超過300層。報道稱,這將使三星的進度超過SK海力士,后者計劃2025年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構的321層NAND閃存。
三星電子計劃明年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,將沿用雙層堆棧架構,超過300層。報道稱,這將使三星的進度超過SK海力士,后者計劃2025年上半年量產(chǎn)三層堆棧架構的321層NAND閃存。
堆棧
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