近日，賽晶科技發(fā)布2023年業(yè)績報告。2023年，公司銷售收入約10.5億元，同比增長15%；毛利率32%，同比增長4個百分點。受此影響，公司盈利水平實現(xiàn)逆勢高增，歸屬母公司凈利潤約3155萬元，同比增長高達31%。在業(yè)績說明會上，公司還稱力爭實現(xiàn)2024年營收增長50%經(jīng)營目標。

　　公司的業(yè)績拐點正式確立。在強勁的盈利增長勢頭背后，是公司在特高壓和功率半導體領(lǐng)域的發(fā)展發(fā)生了飛躍。

　　直流輸電領(lǐng)域再迎突破

　　公司為輸配電工程提供陽極飽和電抗器、電力電容器等器件產(chǎn)品，業(yè)務主要涉及特高壓直流輸電、柔性直流輸電項目。

　　電網(wǎng)輸配電業(yè)務是公司的基本盤和壓艙石。2023年，電網(wǎng)輸配電業(yè)務表現(xiàn)非常亮眼。得益于特高壓項目密集落地，公司的直流輸電領(lǐng)域的銷售收入同比增長43%，達2.5億元。

　　海通證券的研報認為，特高壓建設(shè)在提速，金上-湖北，隴東-山東，哈密-重慶，寧夏-湖南直流特高壓工程已經(jīng)開工，2024年預計開工5條直流特高壓，2條交流特高壓。國聯(lián)證券研究所指出，根據(jù)十四五規(guī)劃，我國至少要建設(shè)直流特高壓12條，預計總投資在2400億元以上。而面向“十五五”的電網(wǎng)投資計劃也有望陸續(xù)出爐。按照十五五規(guī)劃，預計年均開工3-4條直流特高壓，行業(yè)景氣度將持續(xù)。而根據(jù)2025年并網(wǎng)的規(guī)劃，今明兩年將是行業(yè)投資高速增長的階段。作為行業(yè)龍頭，公司在過去一年深度受益于特高壓密集開工的紅利，取得相關(guān)訂單和交付增長；展望未來，這樣高景氣度很高機會將延續(xù)，使得實現(xiàn)成長加速跑。

　　值得一提的是，2024年初，公司的兩款柔直用直流支撐電容器順利通過國家級新產(chǎn)品技術(shù)鑒定，為該類產(chǎn)品的批量工程應用做好了準備。

　　“柔直”指的是柔性直流輸電技術(shù)（VSC-HVDC）。該技術(shù)是在傳統(tǒng)直流輸電技術(shù)基礎(chǔ)上，使用了大功率IGBT替代了晶閘管，并利用脈寬調(diào)制技術(shù)進行電能的轉(zhuǎn)換輸送，無功補償能力、無需支撐電源、無換相失敗、靈活的功率控制等方面具有很強的優(yōu)勢?？梢哉f，柔性直流輸電技術(shù)是新一代電力電子技術(shù)在輸電領(lǐng)域的應用，是電力電子技術(shù)的未來，具備廣闊的發(fā)展空間。不過，國海證券研究所指出，在柔性直流輸電技術(shù)中，其關(guān)鍵的柔直換流閥等關(guān)鍵設(shè)備中，電力電子器件對進口產(chǎn)品的依賴性較高，仍存在核心技術(shù)受制于人、國產(chǎn)化率偏低等問題，全國產(chǎn)化發(fā)展步履緩慢。賽晶科技取得的進步，加快了柔直工程中直流支撐電容器大規(guī)模國產(chǎn)替代的步伐，同時也為公司進一步打開柔性直流輸電業(yè)務的發(fā)展空間奠定基礎(chǔ)。

　　高端功率半導體國產(chǎn)替代的中堅力量

　　除了在電力電子技術(shù)領(lǐng)域快速成長，公司的自研功率半導體也取得快速突破。2023年，公司在功率半導體的潛力初步兌現(xiàn)，自研功率半導體業(yè)務收入8145萬元，同比增長高達105%，實現(xiàn)翻倍！可見，半導體業(yè)務已構(gòu)成公司第二成長曲線，成為新的增長極。

　　國海證券指出，賽晶科技是業(yè)內(nèi)技術(shù)領(lǐng)先并深具影響力的電力電子器件供應商和系統(tǒng)集成商，也是國際領(lǐng)先的創(chuàng)新研發(fā)型企業(yè)。根據(jù)公開消息，賽晶科技旗下?lián)碛腥易庸救脒x2023年度第一批浙江省專精特新中小企業(yè)，能側(cè)面說明公司的研發(fā)實力獲得官方的認可。

　　值得關(guān)注的是，賽晶科技深耕功率半導體領(lǐng)域多年，近年來在該領(lǐng)域勢如破竹。

　　從功率半導體的發(fā)展軌跡來看，高功率、高頻率（小型化）與低功耗是技術(shù)演進的方向。目前，功率器件主要包括功率二極管、雙極性晶體管、功率MOSFET和IGBT。其中MOSFET、IGBT？是功率分立器件中比重最大的產(chǎn)品。

　　2020年，賽晶科技正式發(fā)布IGBT首款產(chǎn)品；次年，公司首條IGBT生產(chǎn)線竣工投產(chǎn)，i20 IGBT芯片和ED封裝IGBT模塊實現(xiàn)量產(chǎn)。2023年，賽晶科技推出1700V IGBT及FRD芯片，ST封裝IGBT模塊、HEEV封裝SiC模塊、EVD封裝IGBT模塊等多款新產(chǎn)品。據(jù)悉，SiC模塊是車規(guī)級產(chǎn)品。此外，賽晶科技啟動了電壓為1200V和1700V，包含Si IGBT和SiC MOSFET的多個系列芯片和模塊研發(fā)，有望于2024年內(nèi)陸續(xù)推出。這意味著公司不僅向更高端的IGBT進發(fā)，還正在切入第三代半導體賽道。

　　按照全球主流技術(shù)水平來說，SIC MOSFET、IGBT等高端分立器件是功率器件中較為尖端、技術(shù)含量較高的分類。由于此類產(chǎn)品技術(shù)門檻更高、工藝復雜性更強，因此我國整體產(chǎn)業(yè)技術(shù)水平仍與全球領(lǐng)先水平的仍存在較大差距，是功率半導體國產(chǎn)替代的核心領(lǐng)域。不難看出，公司正向著“國際一流水平的國產(chǎn)功率半導體廠商”的目標快速前行。

　　賽晶科技半導體產(chǎn)品已順利進入產(chǎn)業(yè)化階段，并獲得下游的認可。2023年，公司實現(xiàn)批量供貨的客戶群體達38家，較去年同期增長36%?！颁N售收入的94%都來自進入門檻高、品質(zhì)要求苛刻的新能源發(fā)電、儲能和電動汽車領(lǐng)域?！辟惥Э萍脊芾韺釉跇I(yè)績說明會上表示。

　　值得一提的是，2023年，賽晶科技除了不斷完善產(chǎn)品布局、提升產(chǎn)品滲透率，還持續(xù)擴充產(chǎn)能。在業(yè)績說明會上，賽晶科技管理層披露，2024年公司將加快產(chǎn)能擴充，力爭完成第三條IGBT模塊和第一條碳化硅模塊封測生產(chǎn)線的建成。生產(chǎn)線建成后，有利于公司進行更高效的內(nèi)部協(xié)同與生產(chǎn)研發(fā)，加快新產(chǎn)品及新工藝的快速推出。未來，公司有望加快邁向高端功率半導體大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化的新階段。

　　2023年業(yè)績報告標志著賽晶科技業(yè)績拐點的確立。在業(yè)績背后，是公司在直接輸電領(lǐng)域和功率半導體領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)展和創(chuàng)新。隨著公司逐步確立起在行業(yè)中的領(lǐng)導地位，未來可能實現(xiàn)更加可觀的業(yè)績增長。