芯導(dǎo)科技(688230.SH):第三代半導(dǎo)體650V GaN HEMT產(chǎn)品已初步形成系列化
摘要: 5月17日丨芯導(dǎo)科技(688230.SH)近日在接待機構(gòu)投資者調(diào)研時表示,公司在對現(xiàn)有產(chǎn)品進行升級迭代的同時,也在不斷豐富產(chǎn)品陣容。公司第三代半導(dǎo)體650VGaNHEMT產(chǎn)品已初步形成系列化,
5月17日丨芯導(dǎo)科技(688230.SH)近日在接待機構(gòu)投資者調(diào)研時表示,公司在對現(xiàn)有產(chǎn)品進行升級迭代的同時,也在不斷豐富產(chǎn)品陣容。公司第三代半導(dǎo)體650V GaN HEMT產(chǎn)品已初步形成系列化,包含110mR~900mR范圍,采用多種封裝形式,在電源、PD快充適配器等領(lǐng)域重點推廣。

IGBT產(chǎn)品方面,公司650V/1200V 100A以下小電流產(chǎn)品已初步形成產(chǎn)品系列化,通流能力在25A~75A范圍,采用TO-247/TO-247PLUS單管封裝形式,目前在工業(yè)控制等領(lǐng)域重點推廣。同時,公司1200V 100A 以上大電流產(chǎn)品設(shè)計和工藝平臺建成,首顆1200V 200A芯片完成測試評價,參數(shù)一致性好,具有高可靠性和強魯棒性。1200V 150A等系列化產(chǎn)品陸續(xù)進行流片產(chǎn)出。大電流產(chǎn)品主要采用Econodual3/62mm等模塊封裝形式,重點在儲能等新能源領(lǐng)域推廣。
封裝形式






