由SEMI中國主辦、華燦光電（300323）承辦的“化合物半導(dǎo)體設(shè)備與材料論壇”于2020年9月29日在義烏三鼎開元名都大酒店盛世廳舉行。

　　與硅材料相比，以InP、GaAs、SiC、GaN等代表的化合物半導(dǎo)體具有更寬的禁帶，電子漂移飽和速度高、介電常數(shù)小、導(dǎo)電性能好的特點，其本身具有的優(yōu)越性質(zhì)及其在微波功率器件領(lǐng)域應(yīng)用中潛在的巨大前景，非常適用于制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。在光電顯示、5G通訊、功率器件、新能源、現(xiàn)代交通領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。

　　在部分領(lǐng)域，化合物半導(dǎo)體存在良率偏低、加工難、大規(guī)模制造效率不高的難題，制約了其在相關(guān)應(yīng)用領(lǐng)域的普及。因此不斷發(fā)展化合物半導(dǎo)體制制造新技術(shù)，對提高產(chǎn)業(yè)效率、降低成本，發(fā)揮其應(yīng)有的性能發(fā)揮著重要的作用。本次論壇將著重探討化合物半導(dǎo)體最新制造技術(shù)，以及制程中所涉及的關(guān)鍵設(shè)備與材料。

　　此次會議上午場由瀚天天成電子科技（廈門）有限公司總經(jīng)理馮淦先生主持，華燦【光電股份(600184)、股吧】（600184）有限公司總裁周建會先生致歡迎詞。會議下午場由華燦光電副總裁、SEMI中國化合物半導(dǎo)體 & HB-LED標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)委員會主席王江波先生主持。來自化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)華燦光電、福建北電、華泰聯(lián)合證券、愛發(fā)科、南京大學(xué)、中微半導(dǎo)體、中科院蘇州納米所、威科賽樂微電子、奧趨光電、北京郵電大學(xué)、中電科13所、北京聚睿眾邦等參加本次研討會并做報告分享，產(chǎn)業(yè)界超200名嘉賓出席了本次會議。

　　華燦光電 副總裁 王江波

　　華燦光電股份有限公司副總裁王江波就新一代顯示用Mini/MicroLED芯片技術(shù)的研究與展望進(jìn)行了探討。王博士提到步入超高清顯示時代，Mini/Micro LED 技術(shù)是市場的最佳選擇。Micro LED作為下一代的顯示技術(shù)的核心方案，華燦光電及其他產(chǎn)業(yè)鏈龍頭企業(yè)已積極布局。作為全球最大的LED顯示芯片制造商，華燦光電已經(jīng)率先量產(chǎn)Mini LED芯片產(chǎn)品，并應(yīng)用于終端市場。在Micro LED芯片技術(shù)方面，華燦在Sub微米級的工藝線寬控制、芯片側(cè)面漏電保護(hù)、襯底剝離技術(shù)（批量芯片轉(zhuǎn)移）、陣列鍵合技術(shù)（陣列轉(zhuǎn)移鍵合）、Micro LED的光形與取光調(diào)控方面取得了較好的結(jié)果。

　　福建北電 副總經(jīng)理 張潔

　　福建北電新材料科技有限公司副總經(jīng)理張潔介紹大尺寸碳化硅襯底關(guān)鍵制造技術(shù)及挑戰(zhàn)。與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料相比，碳化硅（SiC）在高溫、高頻、高功率和抗輻射器件等方面具有巨大的應(yīng)用潛力。

　　華泰聯(lián)合證券 執(zhí)行總經(jīng)理 田來

　　華泰聯(lián)合證券有限責(zé)任公司執(zhí)行總經(jīng)理田來向大家闡述科創(chuàng)板如何助力中國半導(dǎo)體企業(yè)發(fā)展?？苿?chuàng)板通過其注冊制、包容性、市場化審核高效等特點，對支持半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展有著重大意義?，F(xiàn)今是產(chǎn)業(yè)和資本互幫互助的時代，而半導(dǎo)體作為國家戰(zhàn)略行業(yè)，在得到國家資本和產(chǎn)業(yè)政策雙重大力支持下，A股半導(dǎo)體上市公司將迎來絕佳發(fā)展機遇。

　　愛發(fā)科 研發(fā)工程師 蘆深

　　愛發(fā)科(蘇州)技術(shù)研究開發(fā)有限公司研發(fā)工程師蘆深介紹碳化硅MOSFET的器件結(jié)構(gòu)，愛發(fā)科使用高溫注入可以大幅度的提高SBD和MOSFET的器件良率，以及愛發(fā)科在化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域的離子注入技術(shù)。

　　南京大學(xué) 教授 陸海

　　南京大學(xué)教授陸海詳細(xì)探討了寬禁帶半導(dǎo)體紫外傳感技術(shù)與應(yīng)用。陸教授介紹第三代半導(dǎo)體紫外傳感器技術(shù)、紫外單光子探測技術(shù)。由于其優(yōu)異的材料性能，以III族氮化物和SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體是制備紫外傳感器件的優(yōu)選材料。

　　中微半導(dǎo)體 副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理 郭世平

　　中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司，副總裁兼MOCVD產(chǎn)品事業(yè)部總經(jīng)理郭世平詳細(xì)探討了MOCVD設(shè)備技術(shù)發(fā)展及新挑戰(zhàn)。

　　中科院蘇州納米所 研究員 周宇

　　中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員周宇介紹硅基氮化鎵電子器件及材料研究進(jìn)展。

　　奧趨光電 CEO兼總經(jīng)理 吳亮

　　奧趨光電技術(shù)（杭州）有限公司CEO兼總經(jīng)理吳亮詳細(xì)探討了氮化鋁單晶生長技術(shù)及其裝備進(jìn)展，并分享了氮化鋁單晶在光電領(lǐng)域、5G射頻、功率器件的應(yīng)用展望。

　　北京郵電大學(xué) 教授 唐為華

　　北京郵電大學(xué)教授唐為華介紹關(guān)于氧化鎵光電器件和功率器件特性。中國鎵元素儲量全球第三位，高純度氧化鎵原料儲備豐富，生長晶體能耗降低80%，成品率可達(dá)到50%及以上。

　　中電科13所 教授 孫聶楓

　　河北半導(dǎo)體研究所/中國電子科技南湖研究院教授孫聶楓就InP產(chǎn)業(yè)的新趨勢和發(fā)展進(jìn)行探討。磷化銦（InP）是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。隨著萬物互聯(lián)時代的到來國內(nèi)外InP市場需求增長明顯，InP材料及器件的電子遷移率高、噪聲低、增益高，當(dāng)電子器件工作頻率在100GHz以上時，傳輸速度超過100Gbps時，InP成為首選材料，在微電子領(lǐng)域不可或缺。

　　北京聚睿眾邦 認(rèn)證部部長 王飛飛

　　北京聚睿眾邦科技有限公司認(rèn)證部部長王飛飛介紹了SEMI S2標(biāo)準(zhǔn)、關(guān)鍵技術(shù)及認(rèn)證流程。SEMI S2標(biāo)準(zhǔn)是半導(dǎo)體制造設(shè)備的環(huán)境、健康和安全指南。S2標(biāo)準(zhǔn)圍繞保護(hù)人員、財產(chǎn)和環(huán)境安全，降低設(shè)備風(fēng)險，適用于生產(chǎn)、改良和研發(fā)環(huán)境的所有設(shè)備。半導(dǎo)體設(shè)備經(jīng)過SEMI認(rèn)證更加保障了制造環(huán)境的健康與安全。

　　威科賽樂微電子 總經(jīng)理 蘇小平

　　威科賽樂微電子股份有限公司總經(jīng)理蘇小平分享砷化鎵在半導(dǎo)體激光器領(lǐng)域的應(yīng)用新進(jìn)展。砷化鎵(GaAs)是一種非常重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物，與硅相比禁帶寬度寬(1.43eV)、電子遷移率高(約為硅材料的6倍多)，且具有耐高溫、抗輻射、直接帶隙、消耗功率低等優(yōu)點，在超高頻、超高速、高溫及抗輻射等微電子和光電子器件上時有獨特的應(yīng)用優(yōu)勢。VCSEL市場的高速增長將驅(qū)動高端GaAs襯底需求增長。