博創(chuàng)科技漲停 國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期開工
來源： 互聯(lián)網(wǎng)
作者：佚名
摘要： 博創(chuàng)科技漲停 國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期開工
6月22日14點(diǎn)13分，博創(chuàng)科技盤中打開漲停，現(xiàn)報(bào)56.55元，成交3.11億元，換手率4.96%。該股之前于14點(diǎn)12分漲停。
異動(dòng)原因揭秘：6月20日，國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期在武漢東湖高新區(qū)開工。國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目由紫光集團(tuán)、國家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè)，計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠。該項(xiàng)目一期于2016年底開工建設(shè)，進(jìn)展順利，32層、64層存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并成功研制出全球首款128層三維閃存芯片。
公司的英國子公司具備全球較領(lǐng)先的PLC芯片制造能力，比如AWG芯片、MEMS芯片等。
關(guān)鍵詞：
審核：yj164
編輯:yj164
博創(chuàng)科技
