首創(chuàng)證券:給予斯達(dá)半導(dǎo)買入評(píng)級(jí)
摘要: 下游領(lǐng)域需求旺盛,預(yù)計(jì)全年業(yè)績(jī)高速增長(zhǎng)。公司預(yù)計(jì)2021年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)3.9-4.0億元,同比+115.85%至+121.38%;實(shí)現(xiàn)扣非后歸母凈利潤(rùn)3.7-3.8億元,同比+138.07%至+144.51%。
下游領(lǐng)域需求旺盛,預(yù)計(jì)全年業(yè)績(jī)高速增長(zhǎng)。公司預(yù)計(jì)2021年實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)3.9-4.0億元,同比+115.85%至+121.38%;實(shí)現(xiàn)扣非后歸母凈利潤(rùn)3.7-3.8億元,同比+138.07%至+144.51%。
2021Q4業(yè)績(jī)環(huán)比繼續(xù)增長(zhǎng),公司IGBT龍頭優(yōu)勢(shì)顯著。2021Q4預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)1.23-1.33億元,同比+165.21%至+186.69%,環(huán)比+9.71%至+18.59%;實(shí)現(xiàn)扣非后歸母凈利潤(rùn)1.19-1.29億元,同比+197.29%至+222.37%,環(huán)比+7.93%至+17.03%。
國(guó)內(nèi)IGBT龍頭,市占率持續(xù)提升。公司深耕IGBT領(lǐng)域多年,近年來(lái)公司全球模塊市占率持續(xù)提升。根據(jù)Omdia報(bào)告,2020年【斯達(dá)半導(dǎo)(603290)、股吧】IGBT模塊排名全球第六,較2019年提升一名,全球市占率達(dá)2.8%,同比+0.3pct,依舊是國(guó)內(nèi)唯一進(jìn)入全球IGBT模塊前十的公司。
公司深耕IGBT多年,車規(guī)領(lǐng)域先發(fā)優(yōu)勢(shì)明顯。公司于2013年研發(fā)出車規(guī)級(jí)IGBT模塊,2019年公司車規(guī)級(jí)IGBT模塊配套超過(guò)20家終端汽車品牌,合計(jì)配套超16萬(wàn)輛新能源車。2021H1公司主電機(jī)控制器IGBT模塊配套數(shù)量超20萬(wàn)輛新能源車。此外,2021H1公司第六代Trench-FS650V/750Vigbt芯片和模塊獲多家新能源車主電機(jī)控制器平臺(tái)定點(diǎn),有望在2023年起逐漸釋放收入。
自建產(chǎn)線布局SiC芯片,預(yù)計(jì)2022年SiC模塊有望加速放量。公司擬自建產(chǎn)線,開(kāi)展SiC芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化,達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)6寸SiC芯片產(chǎn)能達(dá)到6萬(wàn)片/年。2015年公司攻克了銀漿燒結(jié)、銅線鍵合等技術(shù),研發(fā)出SiC模塊系列,目前公司車規(guī)級(jí)SiC模塊已獲得國(guó)內(nèi)外多家車企和Tier1客戶定點(diǎn),截至2021年9月8日,公司車規(guī)級(jí)SiCMOSFET在手訂單達(dá)3.43億元。目前公司定點(diǎn)的車規(guī)級(jí)SiC模塊項(xiàng)目以及未交訂單全部使用進(jìn)口芯片。
斯達(dá)半導(dǎo)








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