在國(guó)家“雙碳”政策的持續(xù)推動(dòng)下，新能源市場(chǎng)爆發(fā)。作為功率半導(dǎo)體應(yīng)用的重要領(lǐng)域，新能源滲透率的快速提升也將拉動(dòng)功率器件的高速增長(zhǎng)。據(jù)英飛凌數(shù)據(jù)，純電動(dòng)車單車較燃油車新增400美元功率半導(dǎo)體用量，風(fēng)光儲(chǔ)設(shè)備的功率半導(dǎo)體單位含量為2000-5000歐元/兆瓦。

　　功率半導(dǎo)體中以MOSFET、IGBT器件為主。在新能源車電動(dòng)化時(shí)代中，中高壓MOSFET作為DC-DC、OBC等電源重要組成部分應(yīng)用于新能源車中，單車用量達(dá)至200個(gè)以上。隨著新能源汽車智能化時(shí)代的到來(lái)，高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)、安全、娛樂等功能均需要大量的功率MOSFET，未來(lái)中高端車型中MOSFET單車用量將增至400個(gè)。在太陽(yáng)能、風(fēng)能等新能源發(fā)電中，需運(yùn)用功率半導(dǎo)體器件的轉(zhuǎn)換才能入網(wǎng)傳輸，由于新能源發(fā)電大多工作在高壓環(huán)境，以高壓超級(jí)結(jié)MOSFET和IGBT為首的高功率器件迎來(lái)了重要的發(fā)展機(jī)遇。

　　于今年2月科創(chuàng)板上市的【東微半導(dǎo)(688261)、股吧】，是一家以高性能高端功率器件為主的功率半導(dǎo)體廠商，擁有國(guó)際化團(tuán)隊(duì)、具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力、掌握國(guó)際核心技術(shù)。其主營(yíng)的中高壓MOSFET及IGBT芯片大量出貨給光儲(chǔ)、車載電子等新能源應(yīng)用市場(chǎng)。

　　東微半導(dǎo)首席技術(shù)官王鵬飛博士畢業(yè)于德國(guó)慕尼黑工業(yè)大學(xué)，曾獲國(guó)家高層次人才計(jì)劃科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才、上海市特聘專家、上海市高校特聘教授等榮譽(yù)稱號(hào)。命名了知名的TFET（隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管）器件，并首次制造出互補(bǔ)隧穿晶體管（CTFET）。此外，王鵬飛博士還曾在Science雜志上發(fā)表高質(zhì)量的研究論文，先后獲授權(quán)發(fā)明專利70余項(xiàng)，其中美國(guó)專利授權(quán)30余項(xiàng)。

　　一、東微半導(dǎo)產(chǎn)品特點(diǎn)

　　東微半導(dǎo)的技術(shù)具備鮮明的特點(diǎn)。在IGBT器件上，東微半導(dǎo)擁有公司獨(dú)創(chuàng)的TGBT器件結(jié)構(gòu)，其第一代650V TGBT芯片已經(jīng)達(dá)到國(guó)際主流的第七代IGBT技術(shù)水平，第二代TGBT也已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。東微半導(dǎo)IGBT產(chǎn)品以單管為主，應(yīng)用在分布式光伏逆變器、充電樁模塊中。此外，東微的IGBT還以裸片形式提供給模塊廠商用于IGBT模塊制造，開始逐漸切入IGBT模塊領(lǐng)域。

　　東微半導(dǎo)MOSFET則以高壓超級(jí)結(jié)為主，77%集中于工業(yè)、車規(guī)級(jí)應(yīng)用。東微半導(dǎo)的高壓超級(jí)結(jié)MOSFET在新能源車直流充電樁細(xì)分領(lǐng)域已占據(jù)20%-30%份額（按照定期報(bào)告數(shù)據(jù)粗略統(tǒng)計(jì)），并進(jìn)入了車載OBC的應(yīng)用領(lǐng)域。

　　功率半導(dǎo)體廠商2020-2021年?duì)I收增速及扣非凈利潤(rùn)增速

　　數(shù)據(jù)來(lái)源：【斯達(dá)半導(dǎo)(603290)、股吧】、宏偉科技、新潔能、東微半導(dǎo)年度報(bào)告

　　拿A股的四家功率芯片上市公司的財(cái)務(wù)做比較，東微半導(dǎo)的增速表現(xiàn)也比較亮眼。據(jù)東微半導(dǎo)最新三季報(bào)顯示，公司受益于下游新能源車、光儲(chǔ)等持續(xù)高景氣度，2022Q1-Q3實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入7.90億元，同比增長(zhǎng)41.29%；歸屬于上市公司股東的凈利潤(rùn)2.00億元，同比增長(zhǎng)115.62%。在三季度半導(dǎo)體領(lǐng)域業(yè)績(jī)出現(xiàn)兩極分化后，公司仍維持了高增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。東微半導(dǎo)能夠在本土眾多功率半導(dǎo)體企業(yè)中脫穎而出，不僅得益于其終端應(yīng)用聚焦新能源高景氣賽道，能覆蓋多領(lǐng)域頭部玩家，也得益于公司較快的技術(shù)追趕速度，迅速對(duì)許多國(guó)產(chǎn)難度較大的芯片實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)替代。

　　二、東微半導(dǎo)乘風(fēng)而上？

　　東微半導(dǎo)擁有高壓超級(jí)結(jié)MOSFET、中低壓屏蔽柵MOSFET、超級(jí)硅MOSFET以及具有獨(dú)立知識(shí)產(chǎn)權(quán)的IGBT類產(chǎn)品TGBT；產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源汽車直流充電樁、新能源汽車車載充電器、5G基站及通信電源、光伏逆變器等領(lǐng)域。

　　1、聚焦新能源汽車、光儲(chǔ)等高景氣賽道，覆蓋多領(lǐng)域頭部玩家

　　自“雙碳”政策發(fā)布以來(lái)，我國(guó)新能源發(fā)展一直如火如荼。在新能源車領(lǐng)域，中汽協(xié)數(shù)據(jù)顯示，2022年1-11月我國(guó)新能源汽車?yán)塾?jì)產(chǎn)銷量為625.3萬(wàn)輛和606.7萬(wàn)輛，同比均增長(zhǎng)1倍，繼續(xù)保持快速增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。而伴隨新能源汽車高速發(fā)展的同時(shí)，新能源汽車直流充電樁也迎來(lái)廣大發(fā)展機(jī)遇，截至2021年末我國(guó)充電樁數(shù)量達(dá)261.7萬(wàn)個(gè)，車樁比為2.4：1，但仍遠(yuǎn)低于《電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施發(fā)展指南》規(guī)劃的1：1的指標(biāo)，預(yù)計(jì)2021-2024年中國(guó)新能源汽車充電樁行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模CAGR將維持在29%。在公共直流充電樁中使用的功率器件以高壓MOSFET為主。2016年，東微半導(dǎo)便率先量產(chǎn)國(guó)內(nèi)首款自主研發(fā)充電樁用功率半導(dǎo)體器件GreenMOS高壓超級(jí)結(jié)MOSFET，在其最新半年報(bào)中可以看到充電樁和車載充電機(jī)營(yíng)收同比增長(zhǎng)達(dá)60%和1350%，公司作為國(guó)內(nèi)充電樁芯片的領(lǐng)頭羊，未來(lái)將繼續(xù)受益于新能源汽車滲透率提升、充電樁建設(shè)加快帶來(lái)的業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。

　　數(shù)據(jù)來(lái)源：中國(guó)充電聯(lián)盟

　　在光儲(chǔ)領(lǐng)域，數(shù)據(jù)顯示2022年1-10月我國(guó)光伏新增裝機(jī)同比增長(zhǎng)98.7%，創(chuàng)下歷史上按年新增裝機(jī)量的最高記錄，東微半導(dǎo)的高壓超結(jié)MOS、IGBT產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光伏逆變及儲(chǔ)能領(lǐng)域，據(jù)公司2022半年報(bào)顯示，公司在光伏逆變器的營(yíng)收同比增長(zhǎng)近300%。據(jù)預(yù)計(jì)我國(guó)2025年光伏微逆變器的行業(yè)規(guī)模有望達(dá)到206億元，2020-2025年CAGR達(dá)到24.8%，隨著公司TGBT產(chǎn)能的逐漸釋放，將加快公司在光儲(chǔ)領(lǐng)域市占率的提升，成為公司的第二增長(zhǎng)曲線。

　　同時(shí)，公司在這些高景氣度領(lǐng)域也積累了眾多頭部客戶，公司曾獲得比亞迪全資子公司弗迪動(dòng)力有限公司頒發(fā)的“2021年度優(yōu)秀供應(yīng)商”榮譽(yù)稱號(hào)；在光伏逆變、儲(chǔ)能應(yīng)用領(lǐng)域，高壓器件批量出貨給Enphase、昱能科技、【禾邁股份(688032)、股吧】等客戶，此外在工業(yè)電源、5G基站及通信電源等領(lǐng)域也擁有知名終端用戶，如華為、維諦技術(shù)、通用電氣等。包含中高壓MOS、超級(jí)硅MOS及IGBT在內(nèi)豐富的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，使得公司能夠覆蓋上述領(lǐng)域的1200多家用戶，下游高景氣度和強(qiáng)大的客戶群體提高了公司的品牌競(jìng)爭(zhēng)力和知名度，為業(yè)績(jī)的增長(zhǎng)做出了保障。

　　2、技術(shù)迭代速度快，凸顯創(chuàng)新能力，加深代工合作

　　公司專注于器件底層結(jié)構(gòu)創(chuàng)新，擁有多項(xiàng)差異化設(shè)計(jì)及工藝專利。在下游需求穩(wěn)步成長(zhǎng)的超級(jí)結(jié)MOSFET領(lǐng)域，公司產(chǎn)品已迭代至第四代，第五代產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)展順利，多款產(chǎn)品已追平國(guó)際領(lǐng)先水平。中低壓屏蔽柵MOSFET領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)在工業(yè)、車規(guī)領(lǐng)域的規(guī)?；N售。在IGBT領(lǐng)域，公司自主研發(fā)的TGBT第一代產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)大規(guī)模出貨，多款第二代產(chǎn)品已進(jìn)入批量生產(chǎn)階段。在第三代化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域，公司已經(jīng)在專利技術(shù)形成布局，相關(guān)產(chǎn)品也已進(jìn)入客戶認(rèn)證狀態(tài)。

　　公司在8寸產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上進(jìn)行優(yōu)化，并加快在12寸線的技術(shù)轉(zhuǎn)移，快速擴(kuò)大12寸超級(jí)結(jié)MOSFET、屏蔽柵MOSFET及TGBT的產(chǎn)品規(guī)格與系列，2022年上半年，公司獲得了華虹半導(dǎo)體“12英寸平臺(tái)累計(jì)出貨100萬(wàn)片卓越貢獻(xiàn)客戶”榮譽(yù)稱號(hào)?？梢钥吹剑瑬|微半導(dǎo)具有與上游供應(yīng)商實(shí)現(xiàn)深度定制化開發(fā)的能力，實(shí)現(xiàn)雙方技術(shù)能力的相互促進(jìn)和共同提升，從而也保障了公司產(chǎn)能，擴(kuò)大產(chǎn)能占有率并迅速轉(zhuǎn)化為市場(chǎng)份額。

　　三、結(jié)語(yǔ)

　　公司處于高景氣度的賽道。隨著公司更多高性能功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的成功開發(fā)，公司有望繼續(xù)維持高速成長(zhǎng)，持續(xù)擴(kuò)大其在中高壓MOS的市場(chǎng)份額。憑借公司突出的創(chuàng)新能力，有望在IGBT和第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)中異軍突起。