超3300股上漲，滬指逼近4000點創(chuàng)年內新高！存儲器多股漲?！?/h1>
來源： 財經網
作者：佚名
摘要： 10月27日，A股市場震蕩上漲，滬指盤中一度突破3999點，再創(chuàng)年內新高。滬深兩市成交額2.36萬億，較上一個交易日放量3650億。盤面上，市場熱點輪番活躍，存儲芯片概念股全天走強，
10月27日，A股市場震蕩上漲，滬指盤中一度突破3999點，再創(chuàng)年內新高。滬深兩市成交額2.36萬億，較上一個交易日放量3650億。
盤面上，市場熱點輪番活躍，存儲芯片概念股全天走強，德明利2連板創(chuàng)新高，江波龍、香農芯創(chuàng)等多只個股創(chuàng)新高，時空科技4連板。算力硬件概念股延續(xù)強勢，匯綠生態(tài)6天4板創(chuàng)新高，新易盛、中際旭創(chuàng)盤中均創(chuàng)歷史新高。核電概念表現(xiàn)活躍，東方鉭業(yè)（000962）3天2板，安泰科技（000969）等多股漲停。下跌方面，風電概念集體走弱，海力風電大跌。板塊方面，存儲芯片、CPO、可控核聚變等板塊漲幅居前，游戲、風電設備等板塊跌幅居前。
存儲器多股漲停
光刻機、半導體走強
存儲器板塊爆發(fā)，中電港、大為股份等多股漲停。
國金證券指出，AI應用端效果的不斷顯現(xiàn)，投資層面，建議重點關注景氣度持續(xù)向上的存儲產業(yè)鏈。
東莞證券指出，本輪海外存儲巨頭集體漲價，主要驅動力為AI應用爆發(fā)，導致對AI服務器、數(shù)據中心用的高性能存儲芯片（如AI服務器的DRAM、NAND）需求激增，從而推動整個存儲市場的價格上行，建議關注存儲模組、利基存儲、存儲配套設備材料等受益環(huán)節(jié)。
光刻機、半導體設備概念股走強，多股大漲。
消息面上，我國首個EUV光刻膠標準立項。國家標準委網站顯示，我國首個EUV光刻膠標準——《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》作為擬立項標準，10月23日開始公示，截止時間為11月22日。標準的起草單位包括上海大學、張江國家實驗室、上海華力集成電路制造有限公司、上海微電子裝備（集團）股份有限公司。
據悉，該標準的制定不僅能夠填補國內在該領域的技術標準空白，更將通過建立統(tǒng)一的測試方法體系，為國內外EUV光刻膠的性能評價提供客觀標尺。
此外，近日北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結構、界面分布與纏結行為，指導開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產業(yè)化方案。相關論文近日刊發(fā)于《自然·通訊》。
中國銀河證券表示，該方案首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結構、界面分布與纏結行為，當前光刻技術是推動集成電路芯片制程工藝持續(xù)微縮的核心驅動力之一。銀河證券認為，光刻膠作為半導體、印制電路板、平板顯示等行業(yè)的基礎材料，其技術進步可以促進相關產業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展，上游材料供應商、設備制造商，中游光刻膠生產企業(yè)，以及下游光刻膠產品應用企業(yè)都能從中受益。
光大證券指出，半導體材料板塊正處于需求擴張與國產替代的共振階段。光刻膠等核心材料既受益于晶圓投片量增加，又面臨國產化率提升的政策支持。預計2025年中國大陸光刻膠市場規(guī)模同比增長6.8%至179億元。
關鍵詞：
光刻膠,存儲,概念股
審核：yj174
編輯:yj127
來源： 財經網
作者：佚名
摘要： 10月27日，A股市場震蕩上漲，滬指盤中一度突破3999點，再創(chuàng)年內新高。滬深兩市成交額2.36萬億，較上一個交易日放量3650億。盤面上，市場熱點輪番活躍，存儲芯片概念股全天走強，
10月27日，A股市場震蕩上漲，滬指盤中一度突破3999點，再創(chuàng)年內新高。滬深兩市成交額2.36萬億，較上一個交易日放量3650億。
盤面上，市場熱點輪番活躍，存儲芯片概念股全天走強，德明利2連板創(chuàng)新高，江波龍、香農芯創(chuàng)等多只個股創(chuàng)新高，時空科技4連板。算力硬件概念股延續(xù)強勢，匯綠生態(tài)6天4板創(chuàng)新高，新易盛、中際旭創(chuàng)盤中均創(chuàng)歷史新高。核電概念表現(xiàn)活躍，東方鉭業(yè)（000962）3天2板，安泰科技（000969）等多股漲停。下跌方面，風電概念集體走弱，海力風電大跌。板塊方面，存儲芯片、CPO、可控核聚變等板塊漲幅居前，游戲、風電設備等板塊跌幅居前。
存儲器多股漲停
光刻機、半導體走強
存儲器板塊爆發(fā)，中電港、大為股份等多股漲停。
國金證券指出，AI應用端效果的不斷顯現(xiàn)，投資層面，建議重點關注景氣度持續(xù)向上的存儲產業(yè)鏈。
東莞證券指出，本輪海外存儲巨頭集體漲價，主要驅動力為AI應用爆發(fā)，導致對AI服務器、數(shù)據中心用的高性能存儲芯片（如AI服務器的DRAM、NAND）需求激增，從而推動整個存儲市場的價格上行，建議關注存儲模組、利基存儲、存儲配套設備材料等受益環(huán)節(jié)。
光刻機、半導體設備概念股走強，多股大漲。
消息面上，我國首個EUV光刻膠標準立項。國家標準委網站顯示，我國首個EUV光刻膠標準——《極紫外（EUV）光刻膠測試方法》作為擬立項標準，10月23日開始公示，截止時間為11月22日。標準的起草單位包括上海大學、張江國家實驗室、上海華力集成電路制造有限公司、上海微電子裝備（集團）股份有限公司。
據悉，該標準的制定不僅能夠填補國內在該領域的技術標準空白，更將通過建立統(tǒng)一的測試方法體系，為國內外EUV光刻膠的性能評價提供客觀標尺。
此外，近日北京大學化學與分子工程學院彭海琳教授團隊及合作者通過冷凍電子斷層掃描技術，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結構、界面分布與纏結行為，指導開發(fā)出可顯著減少光刻缺陷的產業(yè)化方案。相關論文近日刊發(fā)于《自然·通訊》。
中國銀河證券表示，該方案首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結構、界面分布與纏結行為，當前光刻技術是推動集成電路芯片制程工藝持續(xù)微縮的核心驅動力之一。銀河證券認為，光刻膠作為半導體、印制電路板、平板顯示等行業(yè)的基礎材料，其技術進步可以促進相關產業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展，上游材料供應商、設備制造商，中游光刻膠生產企業(yè)，以及下游光刻膠產品應用企業(yè)都能從中受益。
光大證券指出，半導體材料板塊正處于需求擴張與國產替代的共振階段。光刻膠等核心材料既受益于晶圓投片量增加，又面臨國產化率提升的政策支持。預計2025年中國大陸光刻膠市場規(guī)模同比增長6.8%至179億元。
關鍵詞：
審核：yj174
編輯:yj127
光刻膠,存儲,概念股
