英飛凌官宣50億歐元擴產(chǎn) 第三代半導體有望迎來需求快速成長
摘要: 功率半導體大廠英飛凌宣布,計劃在未來五年內(nèi)投資高達50億歐元,用于在馬來西亞建造全球最大的8英寸SiC功率晶圓廠。
功率半導體大廠英飛凌宣布,計劃在未來五年內(nèi)投資高達50億歐元,用于在馬來西亞建造全球最大的8英寸SiC功率晶圓廠。
新能源車全球普及加速,功率密度標準持續(xù)提升為SiC產(chǎn)業(yè)落地提供契機。目前各國制定的電動車發(fā)展路線圖中,功率密度標準逼近主流Si基器件的性能極限,SiC器件成為理想替代。中信證券認為,SiC有望在電動汽車產(chǎn)業(yè)加速發(fā)展及滲透率提升的雙重推動下迎來需求快速成長。根據(jù)Yole預測,2021-2027年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模有望從10.90億美元增長到62.97億美元,保持年均34%的復合增速。
據(jù)財聯(lián)社主題庫顯示,相關上市公司中:
天岳先進是國內(nèi)領先的第三代半導體襯底材料生產(chǎn)商,主要從事碳化硅襯底的研產(chǎn)銷,主要產(chǎn)品包括半絕緣型和導電型碳化硅襯底,6英寸產(chǎn)品已送樣至多家國內(nèi)外知名客戶。
露笑科技碳化硅業(yè)務主要為碳化硅襯底片和長晶爐的生產(chǎn)和銷售,已成功研發(fā)6英寸的導電型碳化硅襯底片,襯底質(zhì)量與國外廠家基本保持一致水準,并開始批量生產(chǎn)。
碳化硅,SiC






