11月29日，有媒體報(bào)道稱，華為已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)IGBT，目前正從某國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的IGBT廠商中挖人，對(duì)此，中證君尚未證實(shí)這一消息。

　　但消息一出，已讓不少投資者感覺(jué)到IGBT的投資潛力，微博上還有評(píng)論開(kāi)始猜測(cè)華為瞧得上哪家企業(yè)，會(huì)從國(guó)內(nèi)哪家IGBT廠商挖人。

　　受利好因素刺激，功率半導(dǎo)體概念股今日逆勢(shì)上漲。截至11月29日收盤，臺(tái)基股份股價(jià)漲停，此外，捷捷微電、【揚(yáng)杰科技(300373)、股吧】等漲逾4%，華微電子漲逾2%。

　　國(guó)內(nèi)一位半導(dǎo)體行業(yè)人士對(duì)中證君分析稱，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，中國(guó)企業(yè)處于低端和弱勢(shì)地位，市場(chǎng)被英飛凌、安森美、安世等歐美供應(yīng)商壟斷。這些功率器件在電子產(chǎn)品里應(yīng)用廣泛，市場(chǎng)空間非常大。只要用到電的器件均會(huì)用到功率器件，而IGBT不僅是功率器件的一個(gè)種類，還是非常重要和關(guān)鍵的器件。華為海思已經(jīng)做了很多芯片，即使華為做IGBT也是正常的，目前國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)非常少，發(fā)展的潛力和空間很大。

　　IGBT被稱為電子行業(yè)里的“CPU”

　　IGBT全名叫絕緣柵雙極型晶體管。

　　簡(jiǎn)單講是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān)，但能承受幾十到幾百伏電壓、幾十到幾百安電流、每秒鐘開(kāi)關(guān)頻率最高達(dá)幾萬(wàn)次。

　　采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有高效節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)，它的應(yīng)用非常廣泛，小到家電、大到飛機(jī)、艦船、交通、電網(wǎng)等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，都會(huì)用到IGBT，被稱為電子行業(yè)里的“CPU”。

　　市場(chǎng)人士指出，IGBT誕生于20世紀(jì)80年代，進(jìn)入工業(yè)應(yīng)用時(shí)間較晚，雖然目前占整體功率半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)份額仍然不大，但它代表了未來(lái)的發(fā)展方向，市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)很快。

　　IGBT依賴進(jìn)口，華為自研保障供應(yīng)鏈安全

　　中國(guó)大陸功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)約50%，但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市場(chǎng)上，90%以上主要依賴進(jìn)口，基本被國(guó)外歐美、日本企業(yè)壟斷。

　　根據(jù)華為此前公布的2018年核心供應(yīng)商目錄，英飛凌(infineon)是華為IGBT的核心供應(yīng)商。公開(kāi)資料顯示，英飛凌每年向華為的銷售額約為1億美元，其中主要產(chǎn)品為IGBT芯片。英飛凌總部位于德國(guó)，是全球功率半導(dǎo)體龍頭。

　　目前，全球 IGBT主要的供應(yīng)商包括英飛凌、恩智浦、富士電機(jī)、東芝、三菱、意法半導(dǎo)體等歐美以及日本的企業(yè)。從電壓上分類，英飛凌占據(jù)了600-1700V 范圍中 IGBT 的頭把交椅，而恩智浦則是占據(jù)了低壓 IGBT 的市場(chǎng)第一，2500V以上的高壓則主要由三菱提供，【中國(guó)中車(601766)、股吧】受益于高鐵對(duì)大功率IGBT的需求，在 4500V 以上的產(chǎn)品上市場(chǎng)份額位列全球第五。整體來(lái)講，中國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)還很薄弱。

　　IHS Markit 2018年報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，在2017年度 IGBT 模塊供應(yīng)商全球市場(chǎng)份額排名中，英飛凌排名第一。

來(lái)源：斯達(dá)股份招股書(shū)

　　2019年5月，有報(bào)道稱，英飛凌曾對(duì)華為暫停供貨。不過(guò)，英飛凌澄清了該傳聞，英飛凌在電郵發(fā)送的聲明中表示：“英飛凌向華為提供的絕大多數(shù)產(chǎn)品不受美國(guó)出口管制法律的限制，因此將繼續(xù)發(fā)貨。”任正非也在當(dāng)時(shí)的媒體專訪中辟謠稱德國(guó)芯片廠商英飛凌沒(méi)有停止供貨。

　　從供應(yīng)鏈安全角度，華為對(duì)IGBT展開(kāi)自研毫不令人意外。

　　國(guó)產(chǎn)IGBT廠商都有哪些？

　　近年來(lái)，我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)化水平有了一定提升，【比亞迪(002594)、股吧】微電子、中車時(shí)代電氣等企業(yè)有不錯(cuò)的表現(xiàn)。

　　根據(jù)集邦咨詢《2019中國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)發(fā)展及市場(chǎng)報(bào)告》，2016 年，國(guó)內(nèi)IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 105.4億元。2017年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)為 128億人民幣，2018年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)為153億人民幣，相較2017年同比增長(zhǎng)19.91%。受益于新能源汽車和工業(yè)領(lǐng)域的需求大幅增加，中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模仍將持續(xù)增長(zhǎng)，到2025年，中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到522億人民幣，年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)19.11%。

　　國(guó)金證券研報(bào)稱，目前國(guó)內(nèi)IGBT產(chǎn)業(yè)相對(duì)薄弱，但處在快速發(fā)展階段，已經(jīng)形成了相對(duì)完整的IGBT產(chǎn)業(yè)鏈。未來(lái)隨著國(guó)內(nèi)新能源車的放量，中國(guó) IGBT 企業(yè)將迎來(lái)快速發(fā)展及進(jìn)口替代的良好機(jī)遇，看好國(guó)內(nèi)IGBT龍頭公司。

　　中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)今年5月發(fā)布了2018年中國(guó)十大半導(dǎo)體功率器件企業(yè)。揚(yáng)杰科技、【華微電子(600360)、股吧】、蘇州固锝、捷捷微電這四家A股公司躋身前十強(qiáng)。

　　據(jù)媒體報(bào)道，比亞迪考慮讓IGBT業(yè)務(wù)獨(dú)立進(jìn)行IPO。

　　集邦資訊報(bào)告顯示，比亞迪微電子憑借擁有終端的優(yōu)勢(shì)，取得中國(guó)車用IGBT市場(chǎng)超過(guò)兩成的市占率，已成為中國(guó)銷售額前三的IGBT供應(yīng)商。

　　IGBT模組廠商斯達(dá)股份近日已經(jīng)過(guò)會(huì)，即將登陸上交所主板。其招股書(shū)介紹，公司目前已成為少數(shù)實(shí)現(xiàn)IGBT大規(guī)模生產(chǎn)的國(guó)內(nèi)企業(yè)之一，是國(guó)內(nèi)多家知名工業(yè)控制企業(yè)的主要 IGBT 模塊供應(yīng)商。公司自主研發(fā)設(shè)計(jì)的 IGBT 芯片及快恢復(fù)二極管芯片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，在一定程度上化解了公司在芯片供應(yīng)上依賴國(guó)外供應(yīng)商的風(fēng)險(xiǎn)。公司在600V-1700V IGBT 模塊的技術(shù)水平及生產(chǎn)規(guī)模上均處于領(lǐng)先地位。

　　車用市場(chǎng)上，中車時(shí)代電氣的IGBT業(yè)務(wù)有望在今年實(shí)現(xiàn)首次盈利。光大證券表示，港股中車時(shí)代電氣今年上半年IGBT業(yè)務(wù)收入約 3 億元，全年?duì)I收有望達(dá)到7億元左右，該業(yè)務(wù)有望全年首次實(shí)現(xiàn)盈利。公司IGBT二期工廠預(yù)計(jì)明年下半年正式投產(chǎn)，帶來(lái)電動(dòng)車相關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)能提升。

　　在電網(wǎng)市場(chǎng)方面，今年10月份，國(guó)電南瑞宣布與國(guó)家電網(wǎng)有限公司下屬科研單位全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司共同投資設(shè)立南瑞聯(lián)研功率半導(dǎo)體有限責(zé)任公司，實(shí)施IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，項(xiàng)目投資總額為16.44 億元，建設(shè)期42個(gè)月。中信證券稱，電網(wǎng)側(cè)聚焦高壓IGBT，產(chǎn)品進(jìn)口依賴大。高壓IGBT產(chǎn)品下游應(yīng)用主要包括電網(wǎng)、軌交、風(fēng)力發(fā)電等領(lǐng)域，是國(guó)內(nèi)高端制造領(lǐng)域亟待突破的核心元器件。

　　據(jù)工信部網(wǎng)站10月發(fā)布的消息，工信部復(fù)函政協(xié)十三屆全國(guó)委員會(huì)第二次會(huì)議第2282號(hào)(公交郵電類256號(hào))提案表示，將持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展。下一步，工信部和相關(guān)部門將繼續(xù)加快推進(jìn)開(kāi)放發(fā)展，引導(dǎo)國(guó)內(nèi)企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)等加強(qiáng)與先進(jìn)發(fā)達(dá)國(guó)家產(chǎn)學(xué)研機(jī)構(gòu)的戰(zhàn)略合作，進(jìn)一步鼓勵(lì)我國(guó)企業(yè)引進(jìn)國(guó)外專家團(tuán)隊(duì)，促進(jìn)我國(guó)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)能力的提升，此外，積極部署新材料及新一代產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā)。

　　卡位碳化硅基IGBT，或迎爆發(fā)式增長(zhǎng)

　　業(yè)內(nèi)人士普遍認(rèn)為，硅基IGBT逼近材料特性極限，技術(shù)升級(jí)迫在眉睫。

　　第三代半導(dǎo)體材料碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導(dǎo)體器件更理想襯底材料，綜合性能較硅材料可提升上千倍，無(wú)論是英飛凌、ST等全球功率半導(dǎo)體巨頭還是比亞迪微電子、中車時(shí)代電氣等國(guó)內(nèi)功率廠商都重注該領(lǐng)域，同樣，開(kāi)始向功率半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)軍的華為也不例外。

　　據(jù)天眼查顯示，今年8月，華為公司旗下哈勃科技投資有限公司投資了山東天岳先進(jìn)材料科技有限公司，持股10%。山東天岳是專業(yè)從事碳化硅和藍(lán)寶石單晶生長(zhǎng)和襯底加工的高新技術(shù)企業(yè)。據(jù)山東天岳介紹，今后可以廣泛應(yīng)用于大功率高頻電子器件、半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)。

　　國(guó)金證券研報(bào)介紹，未來(lái) IGBT 將向更低的開(kāi)關(guān)損耗、更高的電流密度以及更高的工作溫度發(fā)展，隨著數(shù)萬(wàn)伏高壓、高于 500 ℃的高溫、高頻、大功率等需求的提出，硅基IGBT的性能已經(jīng)逼近材料特性極限，因此碳化硅(SiC)基IGBT將站上歷史舞臺(tái)。

　　國(guó)金證券稱，未來(lái)5-10年，在600V以上的高頻高壓領(lǐng)域，SiC-IGBT會(huì)開(kāi)始在某些特定的應(yīng)用場(chǎng)景中滲透，如純電動(dòng)車中的車載充電器以及數(shù)據(jù)中心供電單元(在車載充電器中，SiC-IGBT可以縮小充電器體積約 50%， 同時(shí)可以提升充電效率以及減少充電時(shí)間，使用期間能量效率提升5%)。預(yù)測(cè)至2022 年，SiC元器件的市場(chǎng)規(guī)模約10億美元，2018-2020年CAGR 為28%，而2020年之后市場(chǎng)規(guī)模加速增長(zhǎng)，2020-2022年復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到40%。

　　不少功率半導(dǎo)體廠商已經(jīng)開(kāi)始提前卡位。

　　今天漲停的臺(tái)基股份今年8月曾披露定增方案，擬募資不超過(guò)7億元，投入新型高功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)升級(jí)項(xiàng)目。定增項(xiàng)目包括 IGBT模塊封測(cè)線(兼容SiC等第三代寬禁帶半導(dǎo)體功率器件) 、高功率半導(dǎo)體脈沖功率開(kāi)關(guān)生產(chǎn)線、晶圓線擴(kuò)建項(xiàng)目(配合固態(tài)脈沖開(kāi)關(guān))和新型高功率半導(dǎo)研發(fā)和營(yíng)銷中心項(xiàng)目。

　　斯達(dá)股份招股書(shū)也介紹，在大力推廣常規(guī) IGBT 模塊的同時(shí)，依靠自身的專業(yè)技術(shù)，積極布局寬禁帶半導(dǎo)體模塊(SiC 模塊、GaN 模塊)，不斷豐富自身產(chǎn)品種類，加強(qiáng)自身競(jìng)爭(zhēng)力，進(jìn)一步鞏固自身行業(yè)地位。公司表示，目前已經(jīng)開(kāi)發(fā)出應(yīng)用于光伏的SiC器件模塊，供客戶批量使用，車用 SiC 模塊已完成樣品認(rèn)證。