化合物半導(dǎo)體性能優(yōu)異，發(fā)展前景廣闊?；衔锇雽?dǎo)體主要指砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等第二、第三代半導(dǎo)體，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多。砷化鎵：具有高頻、抗輻射、耐高溫的特性，大規(guī)模應(yīng)用于無線通訊領(lǐng)域，目前已經(jīng)成為PA和Switch的主流材料；氮化鎵：主要被應(yīng)用于通訊基站、功率器件等領(lǐng)域，功放效率高、功率密度大，因而能節(jié)省大量電能，同時減少基站體積和質(zhì)量；碳化硅：主要用于大功率高頻功率器件，IHS預(yù)測到2025年SiC功率半導(dǎo)體的市場規(guī)模有望達(dá)到30億美元，在未來的10年內(nèi)，SiC器件將開始大范圍地應(yīng)用于工業(yè)及電動汽車領(lǐng)域，近期碳化硅產(chǎn)業(yè)化進(jìn)度開始加速，意法、英飛凌等中游廠商開始鎖定上游晶圓貨源。

　　5G提速，射頻市場有望高速成長。4月初，美、韓率先宣布5G商用，日本向四大運(yùn)營商分配5G頻段，預(yù)計明年春正式商用。在海外5G積極推進(jìn)商用的節(jié)奏下，全球5G推進(jìn)提速預(yù)期強(qiáng)烈，從基站端到終端射頻需求都有望加速增長。在射頻器件領(lǐng)域，目前LDMOS、GaAs、GaN三者占比相差不大，預(yù)計到2025年，在砷化鎵市場份額基本維持不變的情況下，氮化鎵有望替代大部分LDMOS份額，占據(jù)射頻器件市場半壁江山。

　　化合物芯片國產(chǎn)替代踏上征程，持續(xù)加碼化合物半導(dǎo)體。我們認(rèn)為III-V族化合物半導(dǎo)體是【三安光電(600703)、股吧】下一個十年的核心成長驅(qū)動及跟蹤重點(diǎn)，5G無線通訊基站、智能手機(jī)、WiFi與光纖等高速數(shù)據(jù)傳輸、汽車/工業(yè)/太陽能等功率芯片，都將對化合物半導(dǎo)體產(chǎn)生強(qiáng)勁的需求。由三安光電研發(fā)的Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體材料的應(yīng)用領(lǐng)域從原有的LED外延片、芯片，延伸到了光通訊器件、射頻與濾波器、功率型半導(dǎo)體三個新領(lǐng)域，基本涵蓋了今后Ⅲ-V族化合物半導(dǎo)體材料應(yīng)用的重要領(lǐng)域。

　　建議關(guān)注：

　　【三安光電】全工藝平臺布局，持續(xù)加碼化合物半導(dǎo)體，III-V族化合物半導(dǎo)體是三安光電下一個十年的核心成長驅(qū)動力風(fēng)險提示：下游需求不及預(yù)期、5G進(jìn)展不及預(yù)期、汽車電氣化進(jìn)展不及預(yù)期。