本文來(lái)源于科技紅利及方向型資產(chǎn)研究，作者鄭震湘，原標(biāo)題《亮劍！國(guó)運(yùn)之戰(zhàn)：第五章》

　　三次DRAM世界大戰(zhàn)結(jié)束了，大爭(zhēng)之世也結(jié)束了。全球半導(dǎo)體工業(yè)大國(guó)的巨頭們，有的崛起、有的滅亡、有的獲得新生。在全球半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展的歷史長(zhǎng)河中，任何人，任何公司，如果不能挺立潮頭，最終都將是一朵浪花。

　　大爭(zhēng)之世，三次DRAM世界大戰(zhàn)，全球半導(dǎo)體巨頭之間的相愛(ài)相殺，進(jìn)而決定全球半導(dǎo)體工業(yè)大國(guó)之間競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力的此消彼長(zhǎng)。我們從更長(zhǎng)遠(yuǎn)的半導(dǎo)體歷史長(zhǎng)河-全球半導(dǎo)體硅含量的角度，去回顧和總結(jié)人類社會(huì)進(jìn)入硅文明后，美日韓臺(tái)歐，大國(guó)半導(dǎo)體之興衰成敗。

　　在半導(dǎo)體工業(yè)的歷史長(zhǎng)河中，三次全球半導(dǎo)體硅含量提升周期中，回首檢視美國(guó)、日本、韓國(guó)、歐洲、中國(guó)臺(tái)灣省等全球半導(dǎo)體大國(guó)/地區(qū)興衰成敗。夫以銅為鏡，可以正衣冠；以古為鏡，可以知興替；以人為鏡，可以明得失。

　　全球半導(dǎo)體硅含量提升周期，就是全球半導(dǎo)體工業(yè)的歷史長(zhǎng)河。上世紀(jì)70年代開(kāi)始，全球半導(dǎo)體經(jīng)歷三次完整的半導(dǎo)體硅含量提升周期，我們正處于第四次半導(dǎo)體硅含量提升周期之中。

　　圖：半導(dǎo)體工業(yè)的歷史長(zhǎng)河-全球半導(dǎo)體硅含量周期

　　大國(guó)啟示錄-美國(guó)，DRAM和半導(dǎo)體工業(yè)產(chǎn)值在全球市場(chǎng)占有率中的發(fā)展趨勢(shì)：獨(dú)立自主的、完整的半導(dǎo)體工業(yè)體系，完善的人才培養(yǎng)體系。

　　美國(guó)人在1975年之前，通過(guò)軍工國(guó)防的投入領(lǐng)先全球建立了獨(dú)立自主的、完整的半導(dǎo)體工業(yè)體系。同時(shí)美國(guó)人創(chuàng)造硅晶體管、集成電路、MOS、CMOS和DRAM等一系列半導(dǎo)體科技的基礎(chǔ)。

　　圖：大國(guó)啟示錄：美國(guó)-DRAM和半導(dǎo)體工業(yè)

　　英特爾憑借著在MOS、晶體管等技術(shù)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，通過(guò)1K DRAM，硅片直徑為50mm，芯片面積為8.5mm2，集成度為5000，占據(jù)了全球半導(dǎo)體DRAM內(nèi)存市場(chǎng)的82.9%的市場(chǎng)份額。隨后莫斯泰克在4K DRAM，硅片直徑為75mm，芯片面積為15.9mm2，集成度為11000。通過(guò)單晶體管單元，差分讀出技術(shù)和地址復(fù)用技術(shù)等科技紅利的技術(shù)創(chuàng)新取代了英特爾，就集成度而言，全球半導(dǎo)體最先進(jìn)的DRAM集成度從5000提升到11000，增長(zhǎng)了120%。

　　這一時(shí)期，美國(guó)人是全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)絕對(duì)的領(lǐng)導(dǎo)者。這一時(shí)期全球半導(dǎo)體硅含量從0到5%的提升過(guò)程中，大型機(jī)和小型機(jī)從發(fā)明到普及，美國(guó)人抓住了歷史的機(jī)遇。

　　1975-1985年的第一次DRAM世界大戰(zhàn)-美日半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)中，美國(guó)人在DRAM的競(jìng)爭(zhēng)中開(kāi)始全面被日本人趕超，DRAM的全球市場(chǎng)份額從峰值的90%左右，大幅度下滑到20%，這使得美國(guó)半導(dǎo)體在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的占比從峰值的90%滑落到40%左右。

　　美國(guó)人在DRAM的失敗，最主要在于16K、64K、256K DRAM的研制上，全面落后于日本人。以16K DRAM為例，日本人通過(guò)二層多晶硅技術(shù)使得DRAM芯片的集成度達(dá)到37000，這比起當(dāng)時(shí)莫斯泰克、英特爾主流產(chǎn)品的集成度11000整整提升了236%。而日本人通過(guò)循環(huán)位線、折疊數(shù)據(jù)線等新技術(shù)的應(yīng)用，率先推出64K DRAM，集成度再次提升到155000，這比起16k的11000集成度，又提高13倍，這時(shí)候美國(guó)人已經(jīng)基本沒(méi)有能力追趕了。

　　這一時(shí)期美國(guó)人在科技紅利投入上，特別是有效研發(fā)投入上是低于日本人的，雙方之間的DRAM軍備競(jìng)爭(zhēng)已經(jīng)不在一個(gè)層面上進(jìn)行的，日本人通過(guò)64K DRAM，宣告全球半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)入了新的時(shí)期-大規(guī)模集成電路時(shí)代。

　　科技思想上的落后使得美國(guó)人幾乎錯(cuò)失了一個(gè)時(shí)代，美國(guó)50家半導(dǎo)體公司聯(lián)合起來(lái)，秘密結(jié)為同盟，希望能夠在256K DRAM反超日本人，但是日本人憑借“官產(chǎn)學(xué)”三位一體的國(guó)家力量，領(lǐng)先于美國(guó)人早早就實(shí)現(xiàn)了256K DRAM 的規(guī)模量產(chǎn)。日本人的256K DRAM，采用三層多晶硅和冗余技術(shù)等新技術(shù)，將集成度再次推高到555000，這在當(dāng)時(shí)是無(wú)法想象的。

　　美國(guó)人在整個(gè)美日半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)的失敗，可以說(shuō)，全球半導(dǎo)體工業(yè)從MOS晶體管、集成電路時(shí)代向超大規(guī)模集成電路（VLSI）時(shí)代轉(zhuǎn)變過(guò)程中的失敗。關(guān)鍵原因在于科技紅利投入，特別是有效研發(fā)投入上的落后。

　　而這一時(shí)期是第一次全球半導(dǎo)體硅含量提升周期，因?yàn)榇笮蜋C(jī)、小型機(jī)的滲透率快速提升，全球半導(dǎo)體硅含量從5%快速提升到20%，全球半導(dǎo)體工業(yè)產(chǎn)值從5億美金，首次突破1000億美金。

　　從1986-2016年，美國(guó)人開(kāi)始撿起了央格魯-撒克遜人的傳統(tǒng)政策-均衡政策，通過(guò)1986、1991年兩次簽署的《美日半導(dǎo)體協(xié)議》對(duì)日本人進(jìn)行限制。日本人強(qiáng)大，就扶持韓國(guó)人抗衡；韓國(guó)人強(qiáng)大，就借助臺(tái)灣人進(jìn)行制約，保持著在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中的均衡優(yōu)勢(shì)。

　　2012年7月鎂光科技以25億美元的超低價(jià)格收購(gòu)日本爾必達(dá)，隨后，鎂光市值從60億美元暴增至360億美元，成為爾必達(dá)破產(chǎn)的最大受益者。這終結(jié)了美國(guó)人和日本人之間長(zhǎng)達(dá)50年的恩怨情仇，美日半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)畫(huà)上最終句號(hào)。

　　2015年12月美國(guó)鎂光科技以32億美元，并購(gòu)在韓臺(tái)半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)中的失敗者-華亞科技（臺(tái)灣省南亞科和德國(guó)英飛凌合資）。

　　至此，美國(guó)人在全球DRAM內(nèi)存市場(chǎng)成為僅次于韓國(guó)人的存在，全球DRAM市場(chǎng)份額從10%提升到25-30%。

　　在隨后的第二次、第三次全球半導(dǎo)體硅含量提升周期中，美國(guó)人開(kāi)始在微處理器CPU、邏輯、模擬芯片等發(fā)力并鞏固全球核心競(jìng)爭(zhēng)力，使得美國(guó)人占據(jù)了全球半導(dǎo)體工業(yè)產(chǎn)值的半壁江山。最典型的就是英特爾，連續(xù)長(zhǎng)達(dá)30年占據(jù)全球微處理器CPU芯片的90%以上的市場(chǎng)份額，持續(xù)通過(guò)科技紅利投入，從286到586，從奔騰1到5等，壟斷全球PC和筆記本市場(chǎng)。美國(guó)人充分分享第二、三次全球半導(dǎo)體硅含量提升周期中PC電腦、筆記本、手機(jī)等快速普及的市場(chǎng)紅利。

　　縱觀美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)70年的發(fā)展歷史，獨(dú)立自主的完整的半導(dǎo)體工業(yè)體系和完善的人才培養(yǎng)體系，才是大國(guó)、強(qiáng)國(guó)的發(fā)展之基礎(chǔ)。獨(dú)立自主的完整的半導(dǎo)體工業(yè)體系，就像武俠小說(shuō)中老師傅的深厚內(nèi)功，有了深厚內(nèi)功，學(xué)什么都會(huì)很快。

　　美國(guó)完善的人才培養(yǎng)體系，特別是硅谷源源不斷的半導(dǎo)體人才，直到今天仍是美國(guó)半導(dǎo)體集成電路芯片產(chǎn)業(yè)最寶貴的資源，科技創(chuàng)新的源泉，科技紅利投入的有效保證。就像武俠小說(shuō)中，再深厚的內(nèi)功，也需要根骨奇佳的徒弟呀。

　　大國(guó)啟示錄-日本，DRAM和半導(dǎo)體工業(yè)產(chǎn)值在全球市場(chǎng)占有率中的發(fā)展趨勢(shì)：官產(chǎn)學(xué)三位一體、舉國(guó)體制的國(guó)家力量、產(chǎn)業(yè)鏈上游延伸。

　　朝鮮戰(zhàn)爭(zhēng)的爆發(fā)，日本人獲得了美國(guó)的扶持，從1958年日本北辰電氣（Hokushin Electric）為NEC NEAC-2201晶體管計(jì)算機(jī)，研制64K 容量的MD-2A磁鼓存儲(chǔ)器起，到1988年日本登上全球半導(dǎo)體DRAM內(nèi)存市場(chǎng)霸主，一共經(jīng)歷將近三十年。

　　圖：大國(guó)啟示錄：日本-DRAM和半導(dǎo)體工業(yè)

　　從上世紀(jì)60年代到70年，日本人向美國(guó)學(xué)習(xí)，在美國(guó)人的扶持下初步建立自己完整的半導(dǎo)體工業(yè)體系，并形成了自身國(guó)家在科技突破上的研發(fā)體系。

　　1960年起日本形成“官產(chǎn)學(xué)”三位一體的體系，即政府、企業(yè)和大學(xué)聯(lián)合對(duì)集成電路技術(shù)進(jìn)行攻關(guān)。1960年日本人成功研制了第一塊晶體管集成電路；1963年研制MOS型晶體管。特別是1962年美國(guó)人對(duì)日本人開(kāi)放當(dāng)時(shí)全球半導(dǎo)體工業(yè)最先進(jìn)的平面制造工藝技術(shù)，使得日本人幾乎一夜之間就獲得集成電路的生產(chǎn)制造技術(shù)。這構(gòu)成了日本半導(dǎo)體工業(yè)體系的雛形，一下子縮短了和中國(guó)人的差距。

　　在第二次DRAM世界大戰(zhàn)-美日半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)中，日本制定了三步走的戰(zhàn)略：確定目標(biāo)、追趕、超越。直到今天，日本人很多舉措為后世許多科技落后國(guó)家實(shí)現(xiàn)科技突破，提供很好的借鑒意義。

　　第一，探索和思考DRAM未來(lái)的演進(jìn)方向，并確立目標(biāo)以及演進(jìn)路徑。早在1972年日本人就對(duì)當(dāng)時(shí)IBM“FS計(jì)劃”中提出的“1M DRAM”進(jìn)行了探索和思考，而當(dāng)時(shí)市場(chǎng)主流還處于1k DRAM時(shí)代，這在當(dāng)時(shí)簡(jiǎn)直是無(wú)法想象的。但是日本就以此為目標(biāo)，確立了超大規(guī)模集成電路（VLSI）的技術(shù)演進(jìn)路徑，而當(dāng)時(shí)全球主流仍處于MOS晶體管技術(shù)路線中。

　　1975年日本人以通產(chǎn)省為中心的“下世代電子計(jì)算機(jī)用VLSI研究開(kāi)發(fā)計(jì)劃”構(gòu)想，設(shè)立了官民共同參與的“超大規(guī)模集成電路（VLSI）研究開(kāi)發(fā)政策委員會(huì)”。

　　第二，官產(chǎn)學(xué)三位一體，制定國(guó)家項(xiàng)目進(jìn)行重點(diǎn)攻關(guān)。1976年日本啟動(dòng)VLSI研究項(xiàng)目。1976年3月經(jīng)通產(chǎn)省、大藏省等多次協(xié)商，日本政府啟動(dòng)了“DRAM制法革新”國(guó)家項(xiàng)目。由日本政府出資320億日元，日立、NEC、富士通、三菱、東芝五大公司聯(lián)合籌資400億日元?？傆?jì)投入720億日元（2.36億美金）為基金，由日本電子綜合研究所和計(jì)算機(jī)綜合研究所牽頭，設(shè)立國(guó)家性科研機(jī)構(gòu)-VLSI技術(shù)研究所。

　　日本人官產(chǎn)學(xué)三位一體，協(xié)調(diào)發(fā)展，通力合作，齊心協(xié)力，針對(duì)高難度、高風(fēng)險(xiǎn)的研究項(xiàng)目，VLSI研究所組織多個(gè)實(shí)驗(yàn)室以會(huì)戰(zhàn)的方式，調(diào)動(dòng)各單位的積極性，發(fā)揮良性競(jìng)爭(zhēng)，各企業(yè)之間技術(shù)共享合作，共同提高DRAM量產(chǎn)成功率。

　　到1980年日本人宣布完成DRAM制法革新國(guó)家項(xiàng)目。期間申請(qǐng)的實(shí)用新型專利和商業(yè)專利，分別達(dá)到1210件和347件。研發(fā)的主要成果包括各型號(hào)電子束曝光設(shè)備，采用紫外線、X射線、電子束的各型制版復(fù)印設(shè)備、干式蝕刻設(shè)備等，取得了一系列引人注目的成果。這為美日半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)，打下了堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)業(yè)和科研基礎(chǔ)。

　　第三，舉國(guó)體制，突破產(chǎn)業(yè)鏈上下游，特別是半導(dǎo)體關(guān)鍵生產(chǎn)制造設(shè)備。70年代日本雖然可以生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片，但是最為關(guān)鍵的生產(chǎn)制程設(shè)備和原材料主要來(lái)自美國(guó)，為了補(bǔ)足短板，日本人組織800名技術(shù)人員進(jìn)行重點(diǎn)攻關(guān)，共同研制高性能的國(guó)產(chǎn)化DRAM生產(chǎn)設(shè)備，不僅實(shí)現(xiàn)64K DRAM和256K DRAM的商用化，也實(shí)現(xiàn)1M DRAM商用化的關(guān)鍵生產(chǎn)制程設(shè)備。

　　在DRAM生產(chǎn)制程設(shè)備攻關(guān)體系中，日本人團(tuán)結(jié)一致、齊心協(xié)力，這種舉國(guó)體制的國(guó)家力量令人震驚。這為后期美日半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)中，以集團(tuán)軍作戰(zhàn)的方式在256K DRAM的決定性戰(zhàn)斗中一舉打垮美國(guó)50家半導(dǎo)體聯(lián)盟的戰(zhàn)爭(zhēng)中立下赫赫戰(zhàn)功。

　　第一研究室，日立公司，負(fù)責(zé)電子束掃描設(shè)備與微縮投影紫外線曝光設(shè)備，室長(zhǎng)：右高正俊。

　　第二研究室，富士通公司，負(fù)責(zé)研制可變尺寸矩形電子束掃描設(shè)備，室長(zhǎng)：中村正。

　　第三研究室，東芝公司，負(fù)責(zé)EB掃描設(shè)備與制版復(fù)印設(shè)備，室長(zhǎng)：武石喜幸。

　　第四研究室，電氣綜合研究所，對(duì)硅晶體材料進(jìn)行研究，室長(zhǎng)：飯塚隆。

　　第五研究室，三菱電機(jī)，開(kāi)發(fā)制程技術(shù)與投影曝光設(shè)備，室長(zhǎng)：奧泰二。

　　第六研究室，NEC公司，進(jìn)行產(chǎn)品封裝設(shè)計(jì)、測(cè)試和評(píng)估研究，室長(zhǎng)：川路昭。

　　直到2010年之前，日本的半導(dǎo)體設(shè)備指數(shù)和美國(guó)費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)BB值，是評(píng)估全球半導(dǎo)體行業(yè)景氣度的兩個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)。

　　1978年日本人發(fā)明64k DRAM，其問(wèn)世標(biāo)志著超大規(guī)模集成電路（VLSI）時(shí)代的來(lái)臨，硅片直徑為100-125mm，芯片面積為26.6mm2，集成度為155000。主要技術(shù)為循環(huán)位線、折疊數(shù)據(jù)線。

　　1980年日本人發(fā)明256k DRAM，硅片直徑為125-150mm，芯片面積為34.8mm2，集成度為555000，主要技術(shù)為三層多晶硅和冗余技術(shù)。

　　在推進(jìn)DRAM產(chǎn)業(yè)化方面，日本政府為半導(dǎo)體企業(yè)提供高達(dá)16億美金的巨額資金，包括稅賦減免、低息貸款等資金扶持政策，幫助日本企業(yè)打造DRAM集成電路產(chǎn)業(yè)集群，并最終一舉贏取第一次DRAM世界大戰(zhàn)-美日半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)的勝利。在科技紅利之有效研發(fā)投入上，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)美國(guó)人，這才是日本人獲勝的本質(zhì)。

　　1980開(kāi)始第一次全球半導(dǎo)體硅含量提升周期進(jìn)入加速期，作為全球最大消費(fèi)市場(chǎng)的美國(guó)，以蘋(píng)果為代表的一批公司，推進(jìn)了大型機(jī)、小型機(jī)向普通家庭的快速普及。在一年時(shí)間內(nèi)，美國(guó)家用電腦出貨量從4.8萬(wàn)臺(tái)，暴增到20萬(wàn)臺(tái)，家庭電腦的高速增長(zhǎng)，對(duì)存儲(chǔ)器芯片產(chǎn)生了大量需求，日本人在DRAM核心技術(shù)的科技紅利領(lǐng)先，這給日本DRAM廠商帶來(lái)了搶占美國(guó)市場(chǎng)的機(jī)會(huì)。

　　1980年，美國(guó)惠普公布DRAM內(nèi)存采購(gòu)情況，對(duì)競(jìng)標(biāo)的3家日本公司和3家美國(guó)公司的16K DRAM芯片進(jìn)行檢測(cè)，質(zhì)量檢驗(yàn)結(jié)果為：美國(guó)三家最好DRAM公司的芯片不合格率，比日本三家DRAM公司的芯片不合格率，整整高出6倍。三家美國(guó)公司是英特爾、德州儀器和莫斯泰克；三家日本公司是NEC、日立和富士通。

　　三十年集聚一朝奮起，到1986年日本人占據(jù)全球DRAM存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)80%份額，成為當(dāng)時(shí)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新霸主。日本人的大獲全勝，為全球半導(dǎo)體發(fā)展中國(guó)家樹(shù)立了一個(gè)成功逆襲的典范。

　　1985、1991年兩次簽署的《美日半導(dǎo)體協(xié)議》，雖然給日本人進(jìn)行極大的制約，雖然美國(guó)人全力扶持韓國(guó)人，但造成日本人在1986-1997年的第二次DRAM世界大戰(zhàn)-日韓半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)中失敗，十年間斷崖式下滑的主要原因還是日本人在科技紅利之有效研發(fā)投入上的不足，在64M DRAM關(guān)鍵技術(shù)有效研發(fā)投入上大大落后于韓國(guó)人，日本人就此錯(cuò)失了第二次、第三次全球半導(dǎo)體硅含量提升周期，錯(cuò)失PC、筆記本、手機(jī)等快速普及的市場(chǎng)紅利。

　　1985年開(kāi)始日本經(jīng)濟(jì)進(jìn)入泡沫化，房地產(chǎn)就像打了雞血，全民進(jìn)入炒房時(shí)代。1985年日本人砍掉近40%的設(shè)備更新投資和科技紅利投入，1986-1987年日本人有效研發(fā)投入從4780億日元下降到只有2650億日元，下降幅度達(dá)到80%，這就給了韓國(guó)人反超的機(jī)會(huì)。

　　日韓半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)后，日本人已無(wú)力回天。1999年富士通宣布退出DRAM市場(chǎng)。曾經(jīng)的三巨頭NEC、日立、三菱三家公司的DRAM部門(mén)合并，成立爾必達(dá)（Elpida）。

　　在第三次DRAM世界大戰(zhàn)-韓臺(tái)半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)中，日本人參與其中，借臺(tái)抗韓。爾必達(dá)與中國(guó)臺(tái)灣省的力晶半導(dǎo)體建立聯(lián)盟以抗衡韓國(guó)人。戰(zhàn)爭(zhēng)后期，臺(tái)灣人的“DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案”破滅，原本希望通過(guò)向臺(tái)灣人提供核心技術(shù)，以換取援助資金的爾必達(dá)失去翻盤(pán)的機(jī)會(huì)。

　　2008-2009年，中芯國(guó)際面臨臺(tái)積電在美國(guó)的337調(diào)查和訴訟，爾必達(dá)無(wú)奈終止和中芯國(guó)際的合作，爾必達(dá)徹底失去最后的生機(jī)。

　　2010-2011年，爾必達(dá)陷入困境，連續(xù)5個(gè)季度虧損，申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)。

　　2012年7月，鎂光科技以25億美金收購(gòu)爾必達(dá)。美日兩國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)長(zhǎng)達(dá)50年相愛(ài)相殺，恩怨情仇，就此煙消云散。

　　爾必達(dá)的失敗，有外因，也有內(nèi)部因素。爾必達(dá)自成立起，有三大內(nèi)傷，埋下日后覆滅的因子：

　　第一，管理上官本位，三家合并后，管理崗位的分配并不是按照能力和職能進(jìn)行分配，而是，任何崗位一定要共同參與，比如某一崗位，一正一副，如果正職來(lái)自NEC，那么日立一定是副職。這種管理在現(xiàn)代企業(yè)發(fā)展史上也是奇葩了。

　　第二，研發(fā)文化的沖突，特別是技術(shù)路徑的分歧巨大。比如在64M升級(jí)到256M DRAM的技術(shù)攻關(guān)中，NEC強(qiáng)調(diào)技術(shù)體系的統(tǒng)一性，要求在64M的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)技術(shù)升級(jí)，而日立強(qiáng)調(diào)技術(shù)的創(chuàng)新和突破，要求采用新材料、新結(jié)構(gòu)等新技術(shù)尋求技術(shù)突破。NEC認(rèn)為統(tǒng)一性能保證較高的成品率，而日立則是優(yōu)先考慮用新技術(shù)帶來(lái)突破，再去研究統(tǒng)一性問(wèn)題。NEC強(qiáng)調(diào)統(tǒng)一性，而日立提倡突破性，這是兩種完全不同的研發(fā)文化，帶來(lái)的思維方式完全不同的，這使得DRAM關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)上，爭(zhēng)吵不已、拖沓冗長(zhǎng)，完全落后于韓國(guó)人的研發(fā)進(jìn)度。

　　第三，工藝、設(shè)備等生產(chǎn)供應(yīng)鏈的不兼容。爾必達(dá)成立后，沒(méi)有及時(shí)將關(guān)鍵工藝的供應(yīng)鏈進(jìn)行整合，比如清洗液和清洗設(shè)備，NEC、日立、三菱居然都是不同的，在關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)上，甚至出現(xiàn)了NEC研發(fā)中心開(kāi)發(fā)的新技術(shù)，根本無(wú)法完全應(yīng)用于日立的生產(chǎn)體系中，這使得NEC研發(fā)中心開(kāi)發(fā)新技術(shù)后，需要先經(jīng)過(guò)日立研發(fā)中心的調(diào)整和驗(yàn)證，才能夠應(yīng)用于原來(lái)日立的生產(chǎn)工藝體系中。

　　2016年5月，日本東芝與美國(guó)閃迪（SanDisk），合資建設(shè)12英寸晶圓廠，投資超過(guò)40億美金，主要生產(chǎn)48層堆疊的3D NAND閃存芯片，希望能夠和韓國(guó)人再次較量一場(chǎng)。然并卵，依舊無(wú)法抵御于依托中國(guó)大陸市場(chǎng)戰(zhàn)略縱深的三星，2017年，東芝出售半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。至此，日韓半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)畫(huà)上最終句號(hào)。

　　一個(gè)公司，一個(gè)產(chǎn)業(yè)，一個(gè)國(guó)家，如果沒(méi)有科技紅利投入，沒(méi)有有效研發(fā)投入，結(jié)果只有等死。

　　大國(guó)啟示錄-韓國(guó)，DRAM和半導(dǎo)體工業(yè)產(chǎn)值在全球市場(chǎng)占有率中的發(fā)展趨勢(shì)：殖產(chǎn)興業(yè)的財(cái)閥制度，產(chǎn)業(yè)鏈橫向、縱向一體化，廣闊的戰(zhàn)略縱深-大國(guó)市場(chǎng)；獨(dú)立自主的技術(shù)研發(fā)體系。

　　越南戰(zhàn)爭(zhēng)爆發(fā)，美國(guó)開(kāi)始扶持韓國(guó)人，1969-1980年，十年時(shí)間初步建設(shè)韓國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)體系，完成對(duì)中國(guó)人的追趕。1980-1986年，韓國(guó)人通過(guò)對(duì)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的保護(hù)，完成企業(yè)本土化的過(guò)程。1986-1997年的第二次DRAM世界大戰(zhàn)-日韓半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)，在美國(guó)人的傾力扶持下，韓國(guó)人全面崛起為全球半導(dǎo)體大國(guó)。1998-2010年的第三次DRAM世界大戰(zhàn)-韓臺(tái)半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)，韓國(guó)人完成了核心技術(shù)的“美國(guó)基因”轉(zhuǎn)型為“獨(dú)立自主基因”，自此，韓國(guó)成為僅次于美國(guó)的全球半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)。

　　圖：大國(guó)啟示錄：韓國(guó)-DRAM和半導(dǎo)體工業(yè)

　　韓國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)起步最早源于日本人的幫助。1969年，日本東芝幫助韓國(guó)人建設(shè)晶圓廠。同年，三星通過(guò)為三洋代工12英寸黑白電視機(jī)、洗衣機(jī)、冰箱等產(chǎn)品，第一次進(jìn)入半導(dǎo)體電子產(chǎn)業(yè)。1975年在三洋完成對(duì)三星的技術(shù)轉(zhuǎn)移后，韓國(guó)政府修改外資投資法規(guī)，堅(jiān)持不對(duì)合資企業(yè)開(kāi)放本國(guó)市場(chǎng)，最終迫使日本三洋等日資停止了在韓國(guó)投資，全面退出韓國(guó)市場(chǎng)。

　　雖然無(wú)恥了點(diǎn)，但對(duì)于當(dāng)時(shí)國(guó)小民弱的韓國(guó)人而言，為建設(shè)強(qiáng)大的國(guó)家工業(yè)體系，似乎所做的一切又都是“高尚”的。直到今天，韓國(guó)人依舊嚴(yán)密的保護(hù)著本國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。思密達(dá)，我的還是我的，你的也是我的，嘿嘿。

　　1973年韓國(guó)將半導(dǎo)體電子列為六大戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)之一，成立國(guó)家科學(xué)技術(shù)委員會(huì)和國(guó)家投資基金，引導(dǎo)高新技術(shù)發(fā)展（資金主要來(lái)自美國(guó)）。針對(duì)韓國(guó)產(chǎn)業(yè)技術(shù)薄弱的狀況，工貿(mào)部提出電子零件六年國(guó)產(chǎn)化計(jì)劃，由國(guó)家設(shè)置科研機(jī)構(gòu)，培訓(xùn)半導(dǎo)體工程師，初步形成韓國(guó)人在半導(dǎo)體專業(yè)人才方面的培養(yǎng)。

　　1974年曾任職于摩托羅拉的韓裔半導(dǎo)體工程師姜基東回到韓國(guó)，與通用電氣合資，成立韓國(guó)第一家半導(dǎo)體企業(yè)-韓國(guó)半導(dǎo)體（Hankook半導(dǎo)體）。三個(gè)月后，三星收購(gòu)了姜基東手里50%的股權(quán)。1978年，韓國(guó)電子技術(shù)所通過(guò)與美國(guó)硅谷的公司合資，建造韓國(guó)第一條3英寸晶圓生產(chǎn)線（比中國(guó)臺(tái)灣工研院晚2年），并在1979年生產(chǎn)出16K DRAM，這是韓國(guó)人第一次掌握超大規(guī)模集成電路VLSI技術(shù)。

　　韓國(guó)在美國(guó)技術(shù)扶持下，DRAM技術(shù)取得突破，瞬間反超中國(guó)大陸，韓國(guó)人直接從16K DRAM起步，十年時(shí)間，韓國(guó)人初步建立完整的半導(dǎo)體工業(yè)體系。

　　1980-1985年，韓國(guó)人在美國(guó)人扶持下，僅僅用了5年時(shí)間，快速取得并掌握16K、64K、256K DRAM等關(guān)鍵技術(shù)的研制，一舉超越中國(guó)人過(guò)去三十年的所有努力。這一時(shí)期，美國(guó)人對(duì)于韓國(guó)人的援助超過(guò)20億美金。

　　韓國(guó)三星，關(guān)鍵技術(shù)來(lái)自美國(guó)-鎂光科技，關(guān)鍵設(shè)備也獲得美國(guó)人全力扶持。1984年鎂光科技向韓國(guó)三星轉(zhuǎn)讓256K DRAM量產(chǎn)技術(shù)，同時(shí)美國(guó)西翠克斯（CITRIX）公司向三星轉(zhuǎn)讓高速處理金屬氧化物MOS的設(shè)計(jì)技術(shù)。

　　韓國(guó)現(xiàn)代（后為海力士），1984年美國(guó)人將16K、64K SRAM技術(shù)轉(zhuǎn)讓給現(xiàn)代電子。1985年美國(guó)德州儀器向現(xiàn)代轉(zhuǎn)讓64K DRAM的生產(chǎn)工藝流程，全面提高現(xiàn)代的半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝技術(shù)。

　　由此，韓國(guó)人開(kāi)始具有了和日本人競(jìng)爭(zhēng)的資格了，并完成從追趕中國(guó)人到超越中國(guó)人。

　　1986-1997年，第二次DRAM世界大戰(zhàn)-日韓半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)爆發(fā)。面對(duì)日本人的閃電戰(zhàn)，韓國(guó)人根本無(wú)力抵抗，三星一年虧損高達(dá)3億美金。1986年，英特爾和IBM緊急動(dòng)員，聯(lián)手對(duì)三星進(jìn)行技術(shù)和經(jīng)濟(jì)扶植。同時(shí)依據(jù)《美日半導(dǎo)體協(xié)議》對(duì)日本人的約束，美國(guó)人對(duì)韓國(guó)人放開(kāi)美國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，韓國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)迅速在美國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)占據(jù)30%的DRAM市場(chǎng)份額，僅僅一年時(shí)間，1987年三星實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，度過(guò)最艱難和危險(xiǎn)的時(shí)刻。

　　就這一點(diǎn)，日韓半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)就已經(jīng)不再是單純的科技戰(zhàn)爭(zhēng)，已經(jīng)涵蓋政治、軍事、經(jīng)濟(jì)等國(guó)家層面的大政方針。就這一點(diǎn)，DRAM內(nèi)存已經(jīng)不僅決定一個(gè)國(guó)家半導(dǎo)體工業(yè)的命運(yùn)，更決定一個(gè)國(guó)家能否成為科技大國(guó)、強(qiáng)國(guó)的命運(yùn)。

　　有了美國(guó)人的幫助，韓國(guó)人獲得了很多東西，技術(shù)上獲得16K、64K、256K DRAM等核心技術(shù)，獲得CMOS生產(chǎn)制程工藝和流程等；利用《美日半導(dǎo)體協(xié)議》獲得戰(zhàn)略縱深，美國(guó)人對(duì)韓國(guó)人開(kāi)放當(dāng)時(shí)全球最大的消費(fèi)市場(chǎng)-美國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)?？陀^而言，韓國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展歷史中，美國(guó)人對(duì)韓國(guó)人的傾力扶持，這一點(diǎn)幾乎是不可以借鑒和復(fù)制的。但是，在整個(gè)日韓半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)中，韓國(guó)人在國(guó)家策略、科技紅利投入等方面，仍有許多值得我們借鑒的地方。

　　第一，構(gòu)建韓國(guó)人版本的“官產(chǎn)學(xué)”三位一體，殖產(chǎn)興業(yè)的財(cái)閥制度。

　　1986年，在美國(guó)顧問(wèn)建議下，韓國(guó)政府舉國(guó)之力，重金研制DRAM，并將4M DRAM列為國(guó)家項(xiàng)目。由韓國(guó)電子通信研究所（KIST）牽頭，聯(lián)合三星、LG、現(xiàn)代和韓國(guó)六所大學(xué)，一起對(duì)4M DRAM進(jìn)行技術(shù)攻關(guān)，目標(biāo)是到1989年，開(kāi)發(fā)并批量投產(chǎn)4M DRAM，完全消除與日本人的技術(shù)差距。該項(xiàng)目三年中的研發(fā)費(fèi)用高達(dá)到1.1億美金，韓國(guó)政府承擔(dān)其中57%的投資。由此，韓國(guó)人版本的“官產(chǎn)學(xué)”一體成型。

　　在全球半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展歷史中，依托政府、企業(yè)、科研院校力量完成重大國(guó)家項(xiàng)目的攻關(guān)和突破，無(wú)論美國(guó)、中國(guó)和日本，韓國(guó)人是最為極致的，非常類似于日本明治維新時(shí)代的“殖產(chǎn)興業(yè)”的財(cái)閥制度。客觀而言，在舉國(guó)體制進(jìn)行重大項(xiàng)目攻關(guān)上，韓國(guó)人的“殖產(chǎn)興業(yè)”財(cái)閥制度，其效率是大大優(yōu)于日本人的“官產(chǎn)學(xué)”三位一體，恐怕也只有中國(guó)的新時(shí)代中國(guó)特色的社會(huì)主義制度能夠相比較。

　　第二，加大科技紅利之有效研發(fā)投入，壓強(qiáng)原則，快速提升壓強(qiáng)系數(shù)，對(duì)重點(diǎn)項(xiàng)目重點(diǎn)攻關(guān)。

　　從1990年開(kāi)始韓國(guó)三大企業(yè)重金投入，建立了完善的趕超日本DRAM產(chǎn)業(yè)的研發(fā)體系。三星建立26個(gè)研發(fā)中心，LG建立18個(gè)，現(xiàn)代建立14個(gè)。與之對(duì)應(yīng)的是，研究費(fèi)用成倍投入，1980年三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域的有效研發(fā)投入僅有850萬(wàn)美金，到1994年已經(jīng)高達(dá)9億美金。在專利技術(shù)方面，1989年韓國(guó)的專利技術(shù)應(yīng)用有708項(xiàng)，1994年已經(jīng)上升到3336項(xiàng)。

　　科技紅利投入，特別是有效研發(fā)投入，使得韓國(guó)人僅僅用5年時(shí)間，就完成對(duì)日本人的追趕，僅僅用3年時(shí)間，就完成對(duì)日本人的超越。三星第一塊64K DRAM投放市場(chǎng)時(shí)是1984年，比日本人足足晚了40個(gè)月；第一塊256K DRAM投放市場(chǎng)時(shí)是1986年，比日本人晚了24個(gè)月；但第一塊1M DRAM投放市場(chǎng)時(shí)是1986年，比日本人只晚了12個(gè)月；而1989年三星第一塊4M DRAM與日本人幾乎是同時(shí)投放市場(chǎng)的。到1992年，三星開(kāi)始領(lǐng)先日本，推出全球第一個(gè)64M DRAM產(chǎn)品。

　　而同時(shí)期的日本半導(dǎo)體工業(yè)，從1985年開(kāi)始日本經(jīng)濟(jì)進(jìn)入泡沫化，全民炒房。1985年日本人砍掉了40%的設(shè)備更新投資和科技紅利投入，1986-1987年日本人有效研發(fā)投入從4780億日元降低到只有2650億日元，下降幅度達(dá)80%，這就給韓國(guó)人反超的機(jī)會(huì)。這就是大家所熟悉的，韓國(guó)人在半導(dǎo)體領(lǐng)域的所謂的第一次“反周期投資”。

　　從1992-1999年，韓國(guó)人通過(guò)持續(xù)科技紅利之有效研發(fā)投入進(jìn)一步夯實(shí)64M DRAM勝利果實(shí)的基礎(chǔ)上，通過(guò)壓強(qiáng)原則，擴(kuò)大對(duì)日本人的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，完成了從追趕到超越的大逆襲過(guò)程。

　　1990年，16M DRAM，韓國(guó)人推出的時(shí)間滯后于日本人3個(gè)月。1992年，64M DRAM，韓國(guó)人略微領(lǐng)先于日本人，到1998年，韓國(guó)人全球第一個(gè)開(kāi)發(fā)256M DRAM、128M SDRAM、128M FLASH。到1999年，韓國(guó)人全球第一個(gè)開(kāi)發(fā)1G DRAM。

　　我們?cè)凇犊萍技t利大時(shí)代》中，首次提出科技紅利、有效研發(fā)投入和壓強(qiáng)系數(shù)等科技紅利的研究思想。從科技紅利思想的角度，我們看看韓國(guó)人又是如何通過(guò)提高壓強(qiáng)系數(shù)，實(shí)現(xiàn)對(duì)日本人的逆襲。

　　通過(guò)上圖，我們可以清晰看到，1992年韓國(guó)人64M DRAM略微領(lǐng)先于日本人和美國(guó)人成功研制后，韓國(guó)人并沒(méi)有停下科技紅利之有效研發(fā)投入，1993年反而通過(guò)壓強(qiáng)原則，重點(diǎn)攻擊，科技紅利之有效研發(fā)投入同比增長(zhǎng)70.19%，鞏固對(duì)日本人的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。1995年韓國(guó)人再次快速提升壓強(qiáng)系數(shù)，科技紅利之有效研發(fā)投入再次大幅度提升，同比增速高達(dá)96.82%，之后1996-1997年連續(xù)兩年保持高位壓強(qiáng)系數(shù)狀態(tài)。這才有了1998年128M SDRAM、128M FLASH、256M DRAM、1G DRAM的全球第一個(gè)推出市場(chǎng)，從而完美的實(shí)現(xiàn)大逆襲。

　　第三，產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化，加強(qiáng)上游設(shè)備和電子化學(xué)品原材料的國(guó)產(chǎn)化。

　　上世紀(jì)90年代，韓國(guó)政府主導(dǎo)推出總預(yù)算2000億韓元（2.5億美元）的半導(dǎo)體設(shè)備國(guó)產(chǎn)化項(xiàng)目，鼓勵(lì)韓國(guó)企業(yè)投資設(shè)備和電子化學(xué)品原料供應(yīng)鏈。韓國(guó)工貿(mào)部在漢城南部80公里的松炭和天安，設(shè)立兩個(gè)工業(yè)園區(qū)，專門(mén)供給半導(dǎo)體設(shè)備廠商設(shè)廠。為了獲取先進(jìn)技術(shù)，韓國(guó)人以優(yōu)厚條件招攬美國(guó)化工巨頭杜邦、硅片原料巨頭MEMC、日本DNS（大日本網(wǎng)屏）等廠商，在韓國(guó)設(shè)立合資公司。

　　由此，韓國(guó)人半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游關(guān)鍵設(shè)備和電子化學(xué)品原材料初具規(guī)模。

　　第四，產(chǎn)業(yè)鏈橫向擴(kuò)張，從存儲(chǔ)器芯片到CPU芯片、DSP芯片等。

　　以三星為例，通過(guò)與美國(guó)、歐洲企業(yè)建立聯(lián)盟合作關(guān)系，三星在DRAM之外，獲得了大量芯片產(chǎn)業(yè)資源：從美國(guó)SUN公司引進(jìn)JAVA處理器技術(shù)；從法國(guó)STM（意法半導(dǎo)體）引進(jìn)DSP芯片技術(shù)；從英國(guó)ARM引進(jìn)音視頻處理芯片技術(shù)；與日本東芝、NEC、沖電氣（OKI）展開(kāi)新型閃存FLASH方面的技術(shù)合作等。

　　客觀而言，產(chǎn)業(yè)鏈橫向擴(kuò)張對(duì)于中國(guó)是很難復(fù)制的，因?yàn)槲鞣搅袕?qiáng)根本不會(huì)對(duì)社會(huì)主義中國(guó)輸出半導(dǎo)體集成電路芯片的核心技術(shù)，即使我們溢價(jià)用巨額資金購(gòu)買(mǎi)也是諸多困難。但堅(jiān)持產(chǎn)業(yè)鏈的橫向擴(kuò)張，這是成為半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)的必經(jīng)之路。

　　1992年三星全球第一個(gè)成功研制64M DRAM。64M DRAM，硅片直徑為200-250mm，芯片面積為135mm2，集成度為140000000，采用的主要技術(shù)為超凈技術(shù)和3.3V低電壓化技術(shù)。在集成度方面，韓國(guó)人是日本人的360%。

　　依靠64M DRAM，三星超越日本NEC，首次成為全球第一大DRAM內(nèi)存制造商，之后連續(xù)25年蟬聯(lián)世界第一，成為全球半導(dǎo)體內(nèi)存市場(chǎng)第四個(gè)霸主。

　　到1996年三星的DRAM芯片出口額達(dá)到62億美金，居世界第一，日本NEC居第二?，F(xiàn)代以21.26億美金居第三位。LG以15.4億美金居第九位。不到十年時(shí)間，韓國(guó)人一舉打垮日本人，牢牢占據(jù)了全球半導(dǎo)體內(nèi)存市場(chǎng)。

　　至此，韓國(guó)人全面崛起于日韓半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)，成為全球半導(dǎo)體工業(yè)大國(guó)。我們?cè)俅位仡欗n國(guó)人崛起的歷史過(guò)程。

　　1968-1980年，在美國(guó)人幫助下，韓國(guó)人完成對(duì)中國(guó)的追趕，初步建立了半導(dǎo)體工業(yè)體系。半導(dǎo)體工業(yè)產(chǎn)值從不足2000萬(wàn)美元，增加到15億美金以上。半導(dǎo)體出口產(chǎn)值從300萬(wàn)美金，增加到11億美金以上。

　　1980-1985年，韓國(guó)人在美國(guó)人扶持下，僅僅用5年時(shí)間快速完成并掌握16K、64K 、256K DRAM的關(guān)鍵技術(shù)的研制，一舉超越中國(guó)人過(guò)去三十年的所有努力。這一時(shí)期，美國(guó)人對(duì)于韓國(guó)人的援助超過(guò)20億美金。5年時(shí)間，韓國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)產(chǎn)值達(dá)41.87億美金，期間增長(zhǎng)176%；韓國(guó)半導(dǎo)體出口產(chǎn)值達(dá)25.33億美金，期間增長(zhǎng)113%。

　　1986-1997年，第二次DRAM世界大戰(zhàn)-日韓半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)爆發(fā)。美國(guó)人“扶韓抗日”，在美國(guó)人全力扶持下，特別是1985、1991年《美日半導(dǎo)體協(xié)議》的簽署，到1994年韓國(guó)人在64M、256M DRAM完成對(duì)日本人的從追趕到領(lǐng)先。這一時(shí)期，韓國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)產(chǎn)值超過(guò)225億美金，期間增長(zhǎng)437%；韓國(guó)半導(dǎo)體出口產(chǎn)值131億美金，期間增長(zhǎng)418%。韓國(guó)人完成從半導(dǎo)體發(fā)展中國(guó)家到全球半導(dǎo)體大國(guó)的轉(zhuǎn)變。

　　1998-2010年的第三次DRAM世界大戰(zhàn)-韓臺(tái)半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)，韓國(guó)人完成了自身DRAM核心技術(shù)的“美國(guó)基因”轉(zhuǎn)型為“獨(dú)立自主基因”，最終實(shí)現(xiàn)了從半導(dǎo)體大國(guó)蛻變?yōu)榘雽?dǎo)體強(qiáng)國(guó)。在這一時(shí)期，韓國(guó)人主要的成功經(jīng)驗(yàn)有：

　　第一，挺進(jìn)中國(guó)大陸市場(chǎng)，構(gòu)筑廣闊的戰(zhàn)略縱深。

　　如同日韓半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)中，美國(guó)人放開(kāi)美國(guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)給韓國(guó)人一般。挺進(jìn)中國(guó)大陸市場(chǎng)，韓國(guó)人具有了廣闊的戰(zhàn)略縱深。

　　我們以海力士為例：

　　陷入1997年?yáng)|南亞金融危機(jī)的韓國(guó)海力士（Hynix），以3.8億美金的價(jià)格，將TFT-LCD部門(mén)整體售給京東方，海力士就此專注于DRAM領(lǐng)域，并獲得寶貴的資金和中國(guó)市場(chǎng)。2004年，海力士和意法半導(dǎo)體在無(wú)錫設(shè)立12寸晶圓廠，項(xiàng)目總投資20億美金。其中，海力士和意法半導(dǎo)體出資10億美金，主要是2億美金的二手設(shè)備折價(jià)、5.5億美金現(xiàn)金和2.5億美金股東貸款。另外10億美金由無(wú)錫市政府承擔(dān)。另外，在20億美金總投資之外，無(wú)錫市政府還承擔(dān)廠房建設(shè)，無(wú)錫市政府一共出資3億美元建設(shè)兩座占地54萬(wàn)平方米，面積32萬(wàn)平方米的晶圓廠房，租賃給韓國(guó)海力士及意法半導(dǎo)體使用。

　　2006年海力士90納米技術(shù)生產(chǎn)的8英寸晶圓順利下線，合格率超過(guò)95%。工商銀行(601398) 江蘇分行牽頭，11家中資銀行、9家外資銀行組成貸款團(tuán)對(duì)無(wú)錫海力士項(xiàng)目放貸5年期的7.5億美金貸款。

　　海力士拿著韓國(guó)利川工廠淘汰的8英寸晶圓設(shè)備，依靠中國(guó)資金、土地、工人和中國(guó)市場(chǎng)，用區(qū)區(qū)3億美金撬動(dòng)了一項(xiàng)20億美金的投資。

　　面對(duì)東南亞危機(jī)，依托中國(guó)市場(chǎng)戰(zhàn)略縱深，韓國(guó)人僅用2年時(shí)間就恢復(fù)了元?dú)?。特別是海力士，2000年，DRAM整體月產(chǎn)量由第三季度的6500萬(wàn)顆，第四季度就快速擴(kuò)增到8000萬(wàn)顆，增長(zhǎng)了23.07%，同時(shí)128M以上產(chǎn)品的生產(chǎn)比重由20%提高到36%。

　　128M DRAM：3個(gè)月內(nèi)，月產(chǎn)量由650萬(wàn)顆提高到1400萬(wàn)顆，增長(zhǎng)了115%。

　　256M DRAM：4個(gè)月內(nèi)，月產(chǎn)量由40萬(wàn)顆提高到140萬(wàn)顆，增長(zhǎng)了250%，生產(chǎn)比重由2.4%提高到6%。

　　2008年全球金融危機(jī)爆發(fā)后，一年時(shí)間內(nèi)，全球DRAM產(chǎn)業(yè)累計(jì)虧損超過(guò)125億美金，臺(tái)灣省DRAM產(chǎn)業(yè)更是全線崩盤(pán)。南亞科，從2007年起連續(xù)虧損六年，累計(jì)虧損1608.6億元新臺(tái)幣（49億美金）。華亞科技從2008年起連續(xù)虧損五年，累計(jì)虧損804.48億元新臺(tái)幣（24.4億美金）。這兩家由臺(tái)塑集團(tuán)投資的DRAM廠，一共虧損2413.08億元（73億美金）。其他臺(tái)灣DRAM企業(yè)虧損分別為，力晶虧損565億元，茂德虧損360.9億元。臺(tái)灣五家DRAM廠幾乎每天虧損1億元，合計(jì)虧損1592億元新臺(tái)幣（48億美金）。

　　反觀韓國(guó)人，依托中國(guó)大陸市場(chǎng)的戰(zhàn)略縱深，憑借無(wú)錫海力士的投產(chǎn)，海力士?jī)H僅一年時(shí)間就恢復(fù)元?dú)狻?009年第一季度，海力士?jī)籼潛p為1.19萬(wàn)億韓元（9.33億美金），2009年第二季度，凈虧損僅為580億韓元（0.45億美金）。到2009年下半年，海力士扭虧為盈。2010年第一季度，海力士?jī)衾麧?rùn)暴漲到7.38億美金。2010年全年，海力士全球銷售額達(dá)到12萬(wàn)億韓元（107億美金），凈利潤(rùn)高達(dá)26.7億美金。

　　金融危機(jī)中，依托中國(guó)大陸市場(chǎng)，韓國(guó)人化“?！睘椤皺C(jī)”。隨后，海力士又向中國(guó)商務(wù)部提出，增資15億美金再建一座12寸晶圓廠（80納米工藝）并迅速通過(guò)審批。這就是韓國(guó)人所謂的“反周期投資”。

　　再比如，三星，依托中國(guó)大陸市場(chǎng)縱深，在“韓日NAND FLASH戰(zhàn)斗”中，徹底打垮老對(duì)手日本東芝。

　　2011年韓國(guó)三星與日本東芝在NAND FLASH領(lǐng)域展開(kāi)全球競(jìng)爭(zhēng)。當(dāng)時(shí)三星在韓國(guó)華城（Fab12、Fab16）、器興（Fab14）和美國(guó)德州奧斯汀，共有4座NAND FLASH 12英寸晶圓廠，年產(chǎn)能450萬(wàn)片晶圓。為了拉開(kāi)與東芝的差距，三星決定新建NAND FLASH工廠。

　　經(jīng)過(guò)談判，三星最終選擇落戶中國(guó)西安，項(xiàng)目總投資300億美金，分三期建設(shè)。西安市為此項(xiàng)目提供了巨額補(bǔ)貼，包括：1、三星需要的130萬(wàn)平方米廠房，由西安市建設(shè)并免費(fèi)提供1500畝土地。2、西安市每年向三星補(bǔ)貼水、電、綠化、物流費(fèi)用5億元。3、西安市財(cái)政對(duì)投資額進(jìn)行30%的補(bǔ)貼。4、西安市對(duì)所得稅征收，前十年全免，后十年半額征收。同時(shí)西安市還承諾，將為項(xiàng)目修建高速公路和地鐵等交通基礎(chǔ)設(shè)施，總的補(bǔ)貼金額保守估計(jì)在300億元以上。

　　我們需要注意的是，2011年三星半導(dǎo)體全球銷售金額也不過(guò)才285.63億美金，300億美金總投資的西安項(xiàng)目對(duì)于“韓日NAND FLASH戰(zhàn)斗”的意義之重大性，不言而喻。當(dāng)三星的西安項(xiàng)目落成之后，2016年?yáng)|芝就過(guò)不下去了，2017年?yáng)|芝不得不出售存儲(chǔ)部門(mén)。韓國(guó)人幾乎是不費(fèi)吹灰之力就贏取了這場(chǎng)“韓日NAND FLASH戰(zhàn)斗”，這就是韓國(guó)人的“反周期投資”。

　　今日，還有多少人記得，NAND FALSH是日本人發(fā)明的呢？

　　早在1980年，日本東芝的藤尾增岡招聘4名工程師啟動(dòng)一個(gè)秘密的項(xiàng)目以研發(fā)下一代存儲(chǔ)芯片，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)，并且讓用戶可以買(mǎi)得起。藤尾增岡聲稱：“我們知道只要晶體管在尺寸上降下來(lái)，那么芯片的成本也將會(huì)下降。”很快推出了一款EEPROM的改良產(chǎn)品，記憶單元由1個(gè)晶體管組成。在當(dāng)時(shí)，常規(guī)的EEPROM每個(gè)記憶單元需要2個(gè)晶體管，這個(gè)小小的不同對(duì)價(jià)格帶來(lái)了巨大的影響，日本人將這個(gè)芯片稱為FLASH，這個(gè)名字也是因?yàn)樾酒某觳脸芰?，F(xiàn)LASH芯片基于NAND技術(shù)，這一技術(shù)可以提供更高容量的存儲(chǔ)，并且更容易制造。1989年，東芝首款NAND FLASH上市。

　　對(duì)中國(guó)大陸市場(chǎng)戰(zhàn)略縱深，日本人又是如何態(tài)度？嗯，從小泉純一郎到現(xiàn)在的安倍，他們天天忙著來(lái)種花家鬧事，比如釣魚(yú)島。釣魚(yú)島主權(quán)自古以來(lái)就屬于中國(guó)人的！

　　中國(guó)大陸市場(chǎng)這一廣闊的戰(zhàn)略縱深，在2008年全球金融危機(jī)，使得韓國(guó)人僅僅一年時(shí)間就恢復(fù)元?dú)膺M(jìn)而徹底打垮臺(tái)灣人，在全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的壟斷地位一直延續(xù)至今。

　　全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)，已經(jīng)不僅是科技的競(jìng)爭(zhēng)，更是涵蓋政治、經(jīng)濟(jì)等綜合實(shí)力的國(guó)運(yùn)之戰(zhàn)。具有一個(gè)廣闊的戰(zhàn)略市場(chǎng)縱深，意義是非凡的。這一點(diǎn)韓國(guó)人并不會(huì)告訴你，他們只會(huì)說(shuō)，這叫“反周期投資”。沒(méi)有中國(guó)大陸市場(chǎng)戰(zhàn)略縱深，韓國(guó)人敢這么玩“反周期投資”嗎。作為產(chǎn)業(yè)研究員，作為種花家新一代的半導(dǎo)體人，我們不能夠人云亦云，簡(jiǎn)單的復(fù)制別人的觀點(diǎn)，要獨(dú)立自主的思考和分析。

　　第二，國(guó)家力量出手，進(jìn)行12寸晶圓、設(shè)備等大投入，并完成內(nèi)存核心技術(shù)的“獨(dú)立自主”化。

　　面對(duì)東南亞金融危機(jī)，韓國(guó)政府出臺(tái)四年計(jì)劃，投資2650億韓元（2億美金），引導(dǎo)企業(yè)向高性能CPU處理器、12寸晶圓設(shè)備等尖端領(lǐng)域發(fā)展。

　　在韓臺(tái)半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)初期，面對(duì)美國(guó)人全力扶持臺(tái)灣人，挑起Rambus和DDR DRAM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)戰(zhàn)爭(zhēng)，韓國(guó)人由此完成DRAM內(nèi)存核心技術(shù)從“美國(guó)基因”轉(zhuǎn)型為“獨(dú)立自主基因”。

　　2002年英特爾主推Rambus內(nèi)存完敗于DDR DRAM內(nèi)存，DDR DRAM成為市場(chǎng)主流標(biāo)準(zhǔn)。韓國(guó)人完成了核心技術(shù)的“獨(dú)立自主”化，隨后在512M GDDR4、JEDEC標(biāo)準(zhǔn)8G DDR2 R-DIMM、50nm 1G DRAM、60nm 1G DDR 800MHz基礎(chǔ)模塊、全球最高速200MHz 512M Mobile DRAM、30nm 64G NAND FLASH、全球最高速M(fèi)obileLPDDR2、MetaRAMtm技術(shù)16G 2-Rank RDIMM、40nm DRAM、44nm DDR3 DRAM等，創(chuàng)造無(wú)數(shù)個(gè)全球第一。這是韓國(guó)人在全球DRAM內(nèi)存產(chǎn)業(yè)最輝煌的時(shí)期。

　　由此，三星和海力士成為韓國(guó)半導(dǎo)體，乃至全球半導(dǎo)體內(nèi)存市場(chǎng)的兩大豪門(mén)，雙寡頭壟斷格局由此奠定。

　　縱觀韓國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展歷程，起步發(fā)展于第一次全球半導(dǎo)體硅含量提升周期，在美國(guó)人扶持下，韓國(guó)人快速分享PC電腦快速普及的時(shí)代。在第二次DRAM世界大戰(zhàn)-日韓半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)中，第三次DRAM世界大戰(zhàn)-韓臺(tái)半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)中，韓國(guó)人充分分享第二次、第三次全球半導(dǎo)體硅含量提升周期所帶來(lái)的筆記本、手機(jī)、家電、智能手機(jī)等快速普及的市場(chǎng)紅利。

　　經(jīng)歷了兩次全球DRAM世界大戰(zhàn)洗禮的韓國(guó)人，具有了獨(dú)立自主基因的核心技術(shù)體系，依托中國(guó)大陸市場(chǎng)戰(zhàn)略縱深，2010年至今，韓國(guó)人依舊牢牢掌控全球內(nèi)存市場(chǎng)，無(wú)人能夠撼動(dòng)其在全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)第一霸主的地位。

　　啟示錄-中國(guó)臺(tái)灣省，DRAM和半導(dǎo)體工業(yè)產(chǎn)值在全球市場(chǎng)占有率中的發(fā)展趨勢(shì)：缺乏強(qiáng)有力的“國(guó)家力量”，缺乏獨(dú)立自主的核心技術(shù)研制能力、缺乏中國(guó)大陸市場(chǎng)戰(zhàn)略縱深、人才流失、缺乏科技紅利之有效研發(fā)投入。

　　上世紀(jì)70-80年代，在美國(guó)人的扶持下，中國(guó)臺(tái)灣省半導(dǎo)體工業(yè)開(kāi)始起步，無(wú)論是半導(dǎo)體人才培養(yǎng)和完整工業(yè)體系建設(shè)方面，都打下很好的基礎(chǔ)。在美國(guó)人的幫助下，臺(tái)灣人在DRAM產(chǎn)業(yè)方面是從64k DRAM開(kāi)始起步的，這領(lǐng)先于韓國(guó)人的16K DRAM，更是一舉從落后中國(guó)大陸二十年到一夜之間實(shí)現(xiàn)反超。

　　在第三次DRAM世界大戰(zhàn)-韓臺(tái)半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)中，1997-2006年，依靠美日歐的援助和技術(shù)扶持，臺(tái)灣人DRAM產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)快速的發(fā)展，進(jìn)而帶動(dòng)臺(tái)灣人半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速上行。2007-2009年，全球金融風(fēng)暴爆發(fā)，因?yàn)槿狈Κ?dú)立自主的核心技術(shù)以及中國(guó)大陸市場(chǎng)的戰(zhàn)略縱深，臺(tái)灣人完敗于快速恢復(fù)元?dú)獾捻n國(guó)人，就此臺(tái)灣人DRAM日落西山。2010至今，雖然有臺(tái)積電成為全球代工之王，但是依舊無(wú)法逆轉(zhuǎn)臺(tái)灣人半導(dǎo)體工業(yè)的下行頹勢(shì)。

　　圖：?jiǎn)⑹句洠褐袊?guó)臺(tái)灣省-DRAM和半導(dǎo)體工業(yè)

　　在1970-1980年，十年時(shí)間，臺(tái)灣人在半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展方面，做了很多的基礎(chǔ)工作。1973年成立工研院。1975年開(kāi)始向美國(guó)派遣留學(xué)生進(jìn)行半導(dǎo)體方面的培訓(xùn)，那一時(shí)期，臺(tái)灣省涌現(xiàn)許多大量?jī)?yōu)秀的半導(dǎo)體專業(yè)人才，這構(gòu)成了90-00年代中國(guó)臺(tái)灣省半導(dǎo)體工業(yè)興起的寶貴人才資源。

　　在美國(guó)人的扶持下，臺(tái)灣省DRAM直接從64K DRAM起步，比韓國(guó)人的16K DRAM起步具有領(lǐng)先的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，更是一夜之間從落后中國(guó)大陸20年到實(shí)現(xiàn)反超。1977年10月工研院建成第一條3寸晶圓生產(chǎn)線，比韓國(guó)要早1年。1978年1月工研院成功生產(chǎn)出電子鐘表上使用的TA10039器件，這為臺(tái)灣省迅速成為世界三大電子鐘表出口地之一打下基礎(chǔ)。1979年9月工研院電子所成立聯(lián)華電子公司籌備辦公室，由電子所副所長(zhǎng)曹興誠(chéng)負(fù)責(zé)。1980年聯(lián)華電子建設(shè)4寸晶圓廠，主要生產(chǎn)電子表、電子樂(lè)器、程控電話等民用產(chǎn)品IC部件。

　　由此，臺(tái)灣省半導(dǎo)體電子工業(yè)體系初具雛形。

　　在80年代末到90年代初，十年期間，臺(tái)灣省半導(dǎo)體DRAM產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)很好的良性循環(huán)，兩步走，一是獨(dú)立自主自建，二是在西方援助下共同合資。由此涌現(xiàn)了臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)、世大、南亞科、德碁、力晶、華邦電、旺宏等一批具有一定規(guī)?；a(chǎn)、研制能力的半導(dǎo)體公司，這一時(shí)期，臺(tái)灣省比較完整的半導(dǎo)體工業(yè)體系成型。

　　1998-2009年，第三次DRAM世界大戰(zhàn)-韓臺(tái)半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)，戰(zhàn)爭(zhēng)的第一階段，隨著第二次全球半導(dǎo)體硅含量提升周期加速，PC、筆記本快速普及，臺(tái)灣省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)通過(guò)和美日歐企業(yè)合資，快速獲取技術(shù)并形成規(guī)模化生產(chǎn)，整個(gè)臺(tái)灣省DRAM產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)短期的景氣蓬勃趨勢(shì)。這一時(shí)期，臺(tái)積電開(kāi)始統(tǒng)合臺(tái)灣“本土派”，通過(guò)對(duì)世界先進(jìn)、力晶、世大等收購(gòu)整合，臺(tái)積電完成未來(lái)全球代工之王的基礎(chǔ)，但也消滅臺(tái)灣省DRAM產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主開(kāi)發(fā)的能力。而以南亞科為代表的“技術(shù)引進(jìn)派”，雖然通過(guò)和美國(guó)人、日本人、歐洲人合資獲取技術(shù)授權(quán)，但是重于短期經(jīng)濟(jì)利益，輕于長(zhǎng)期獨(dú)立自主核心技術(shù)的培養(yǎng)。

　　韓臺(tái)半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)的第二階段，隨著全球金融危機(jī)的爆發(fā)，臺(tái)灣省DRAM產(chǎn)業(yè)一蹶不振。主要原因在于，第一，臺(tái)灣省DRAM產(chǎn)業(yè)缺乏獨(dú)立自主的核心技術(shù)，第二，中國(guó)臺(tái)灣省“民進(jìn)黨地區(qū)政府”錯(cuò)誤的政治選擇，放棄中國(guó)大陸市場(chǎng)戰(zhàn)略縱深。

　　為了挽救危機(jī)重重的臺(tái)灣省DRAM產(chǎn)業(yè)，2009年中國(guó)臺(tái)灣省“地區(qū)政府”成立-臺(tái)灣記憶體公司TMC，由聯(lián)電副董事長(zhǎng)宣明智負(fù)責(zé)，對(duì)六家DRAM廠進(jìn)行控股整合，同時(shí)與爾必達(dá)和鎂光展開(kāi)談判，共同合作推進(jìn)自主技術(shù)的研發(fā)。

　　在全球金融危機(jī)中陷入困境的爾必達(dá)，當(dāng)時(shí)非常愿意向臺(tái)灣人提供全部核心技術(shù)，以換取臺(tái)灣人的援助資金。但是各家DRAM公司卻并不愿意整合，因?yàn)楦骷夜颈澈蠖加胁煌募夹g(shù)合作對(duì)象，采用的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)不同，臺(tái)灣人DRAM整合工作很難推進(jìn)。與此同時(shí)，臺(tái)灣省媒體也在煽風(fēng)點(diǎn)火，如2009年3月7日，自由時(shí)報(bào)以《國(guó)發(fā)基金小心掉進(jìn)大錢(qián)坑》為標(biāo)題，指稱TMC是個(gè)錢(qián)坑，DRAM產(chǎn)業(yè)面臨產(chǎn)能過(guò)剩、流血競(jìng)爭(zhēng)等。2009年10月，“DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案”在臺(tái)灣省的立法院審議時(shí)遭到否決，禁止國(guó)發(fā)基金投資TMC公司，臺(tái)灣省DRAM產(chǎn)業(yè)整合計(jì)劃失敗，臺(tái)灣省半導(dǎo)體DRAM產(chǎn)業(yè)，徹底完敗于韓國(guó)人。

　　自此，臺(tái)灣人二十年的努力，臺(tái)灣省DRAM內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，超過(guò)1萬(wàn)6千新臺(tái)幣，折合500億美金的投資，一朝化為灰灰。

　　圖：中國(guó)臺(tái)灣省DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)，1998-2016年DRAM產(chǎn)值

　　2010-2017年，隨著臺(tái)灣省DRAM產(chǎn)業(yè)日落西山，雖有臺(tái)積電成為全球代工之王，但是已經(jīng)無(wú)法改變臺(tái)灣省半導(dǎo)體工業(yè)的整體頹勢(shì)，中國(guó)臺(tái)灣省半導(dǎo)體工業(yè)產(chǎn)值占據(jù)全球半導(dǎo)體的份額比例呈現(xiàn)逐年下滑趨勢(shì)。

　　2009年全球金融危機(jī)爆發(fā)，第三次DRAM世界大戰(zhàn)中，歐洲人“借臺(tái)抗韓”失利，奇夢(mèng)達(dá)宣布破產(chǎn)，同年，臺(tái)積電打斷中國(guó)DRAM崛起的歷史進(jìn)程-中芯國(guó)際被迫宣布2010年1月1號(hào)退出DRAM。2010年，臺(tái)灣省半導(dǎo)體DRAM產(chǎn)業(yè)，結(jié)束了自金融危機(jī)以來(lái)連續(xù)三年的下滑，2010年臺(tái)灣省DRAM產(chǎn)業(yè)工業(yè)產(chǎn)值同比增長(zhǎng)高達(dá)65.23%，產(chǎn)值超過(guò)2700億新臺(tái)幣，超過(guò)了金融危機(jī)之前的2007年的高點(diǎn)2600億新臺(tái)幣，但仍低于2006年最景氣高點(diǎn)的3000億新臺(tái)幣。

　　2012年日本爾必達(dá)宣布破產(chǎn)保護(hù)，鎂光科技收購(gòu)爾必達(dá)，因?yàn)槿鹁е饕獮闋柋剡_(dá)代工，產(chǎn)能相應(yīng)并入鎂光。2013年臺(tái)灣省DRAM產(chǎn)業(yè)景氣反彈，DRAM整體產(chǎn)值超過(guò)2200億新臺(tái)幣，但無(wú)法恢復(fù)到2006、2010年景氣高點(diǎn)。

　　2015年鎂光科技宣布收購(gòu)臺(tái)灣華亞科。至此，臺(tái)灣省原有的6家DRAM大廠，變成4家。

　　臺(tái)灣省半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的興衰，特別是DRAM產(chǎn)業(yè)的敗亡，有許多值得我們深思的地方：

　　第一，缺乏“舉國(guó)體制”的“國(guó)家力量”對(duì)重點(diǎn)項(xiàng)目進(jìn)行攻關(guān)。

　　和日本“官產(chǎn)學(xué)”三位一體、韓國(guó)人“殖產(chǎn)興業(yè)”財(cái)閥制度相比較，臺(tái)灣人缺乏一個(gè)強(qiáng)有力的“國(guó)家力量”對(duì)超大規(guī)模集成電路進(jìn)行組織攻關(guān)。

　　工研院幾乎沒(méi)有力量對(duì)各個(gè)企業(yè)進(jìn)行組織和整合，比如日本VLSI技術(shù)研究所，設(shè)立6個(gè)研究室，整合日立、NEC等日本五大巨頭，聚集力量對(duì)重點(diǎn)項(xiàng)目進(jìn)行攻關(guān)。

　　和韓國(guó)人的殖產(chǎn)興業(yè)的財(cái)閥制度，國(guó)家力量，那就更加沒(méi)法比了。

　　工研院同時(shí)內(nèi)部也是矛盾重重，作為本土派，關(guān)于發(fā)展代工，還是獨(dú)立自主研制，巨大分歧無(wú)法調(diào)和。

　　第二，缺乏獨(dú)立自主的核心技術(shù)研究能力。

　　無(wú)論代工派，還是技術(shù)引進(jìn)派，都是重短期經(jīng)濟(jì)利益，輕視獨(dú)立自主的核心技術(shù)研制。比如，臺(tái)積電統(tǒng)合世界先進(jìn)等，姑且不談商業(yè)模式的創(chuàng)新性，但說(shuō)到底，代工比起自主研發(fā)，投入更少，來(lái)錢(qián)更快。比如南亞科，通過(guò)美日歐的技術(shù)授權(quán)，就能夠快速實(shí)現(xiàn)短期經(jīng)濟(jì)效益。

　　第三，缺乏中國(guó)大陸市場(chǎng)戰(zhàn)略縱深。

　　在第一次DRAM世界大戰(zhàn)，日本人具有本土和美國(guó)市場(chǎng)；第二次DRAM世界大戰(zhàn)，韓國(guó)人具有美國(guó)市場(chǎng)；第三次DRAM世界大戰(zhàn)，韓國(guó)人具有了中國(guó)大陸市場(chǎng)。而臺(tái)灣人呢，“拒絕西進(jìn)大陸”，東南亞金融危機(jī)對(duì)臺(tái)灣省DRAM產(chǎn)業(yè)影響還不算嚴(yán)重，但2008年全球金融危機(jī)爆發(fā)，臺(tái)灣省DRAM產(chǎn)業(yè)各種短板和弊病就全面暴露，幾乎沒(méi)有翻盤(pán)的能力了。

　　第四，人才流失。

　　無(wú)論是“本土派”還是“技術(shù)引進(jìn)派”之間的矛盾，還是“本土-代工派”和“獨(dú)立自主派”之間的矛盾，都造成了臺(tái)灣省半導(dǎo)體專業(yè)人才流失。比如張忠謀統(tǒng)合“代工派”后，張汝京回到中國(guó)大陸、曹興誠(chéng)遠(yuǎn)走新加坡，不可否認(rèn)都造成部分人才流失。

　　專業(yè)的半導(dǎo)體人才是半導(dǎo)體大國(guó)、強(qiáng)國(guó)崛起的基石。專業(yè)的半導(dǎo)體人才是半導(dǎo)體工業(yè)的第一生產(chǎn)力。

　　第五，缺乏科技紅利之有效研發(fā)投入。

　　三次DRAM世界大戰(zhàn)，日本反超美國(guó)人（256K、1M DRAM），韓國(guó)人反超日本人（64M DRAM）、反超美國(guó)人（Rambus和DDR DRAM標(biāo)準(zhǔn)之爭(zhēng)），最大的底氣就是具有獨(dú)立自主的核心技術(shù)體系，獨(dú)立自主的核心技術(shù)體系建立的唯一手段就是科技紅利之有效研發(fā)投入。

　　1978-1980年，日本人舉國(guó)體制，官產(chǎn)學(xué)三位一體，推進(jìn)DRAM在產(chǎn)業(yè)化方面，日本政府為半導(dǎo)體企業(yè)，提供高達(dá)16億美金的巨額資金，包括稅賦減免、低息貸款等資金扶持政策，幫助日本企業(yè)打造DRAM產(chǎn)業(yè)集群，建立獨(dú)立自主的核心技術(shù)體系，包括上游核心關(guān)鍵設(shè)備。

　　1982-1986年間，韓國(guó)半導(dǎo)體三家財(cái)閥在DRAM產(chǎn)業(yè)，有效研發(fā)投入超過(guò)15億美金以上，相當(dāng)于臺(tái)灣省投入的10倍，建立了獨(dú)立自主的核心技術(shù)體系，包括產(chǎn)業(yè)鏈上游核心設(shè)備和原材料，包括產(chǎn)業(yè)鏈橫向擴(kuò)張。

　　臺(tái)灣人呢？要么美日歐的技術(shù)引進(jìn)，要么代工。國(guó)際DRAM巨頭的平均研發(fā)費(fèi)用一般占比營(yíng)收的15-20%，而臺(tái)灣人僅為6%，每年臺(tái)灣人向美日歐支付的技術(shù)授權(quán)費(fèi)用超過(guò)200億元新臺(tái)幣以上（6億美金）。

　　比如南亞科，2005-2007年，每年技術(shù)轉(zhuǎn)讓費(fèi)用超過(guò)1億美金以上，占據(jù)當(dāng)年度營(yíng)收收入的6-7%。產(chǎn)業(yè)景氣的時(shí)候，問(wèn)題還不明顯，一旦危機(jī)爆發(fā)，幾乎就沒(méi)有抵御能力了。

　　圖：中國(guó)臺(tái)灣省DRAM大廠2005-2007年向海外巨頭支付技術(shù)許可費(fèi)用

　　半導(dǎo)體大國(guó)、強(qiáng)國(guó)崛起之路，獨(dú)立自主的核心技術(shù)才是王道，科技紅利之有效研發(fā)投入，才是建立獨(dú)立自主核心技術(shù)體系的唯一手段。

　　大國(guó)啟示錄-歐洲，DRAM和半導(dǎo)體工業(yè)產(chǎn)值在全球市場(chǎng)占有率中的發(fā)展趨勢(shì)：缺乏國(guó)家力量主導(dǎo)。

　　上世紀(jì)70-80年代，歐洲人開(kāi)始在半導(dǎo)體和DRAM方面起步，通過(guò)收購(gòu)美國(guó)半導(dǎo)體公司初步建立自身完整的半導(dǎo)體工業(yè)體系，比如ST意法半導(dǎo)體、飛利浦半導(dǎo)體等。在第一次、第二次DRAM世界大戰(zhàn)中，歐洲都比較邊緣，從上世紀(jì)90年代開(kāi)始，歐洲人開(kāi)始將目光轉(zhuǎn)向了亞洲的東方，并且深度參與了第三次DRAM世界大戰(zhàn)-韓臺(tái)半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)，從西門(mén)子半導(dǎo)體到英飛凌，再到奇夢(mèng)達(dá)，歐洲人“借臺(tái)抗韓”的美夢(mèng)破滅，深陷泥潭，2009年奇夢(mèng)達(dá)破產(chǎn)，正式宣告歐洲人告別全球DRAM戰(zhàn)爭(zhēng)舞臺(tái)。自此，歐洲人在全球半導(dǎo)體和DRAM產(chǎn)業(yè)一蹶不振。

　　圖：?jiǎn)⑹句洠簹W洲-DRAM和半導(dǎo)體工業(yè)

　　歐洲半導(dǎo)體工業(yè)在上世紀(jì)70年代，通過(guò)收購(gòu)美國(guó)公司，初步建立自身完整的半導(dǎo)體工業(yè)體系。歐洲半導(dǎo)體三強(qiáng)：西門(mén)子、飛利浦、意法。

　　西門(mén)子半導(dǎo)體（英飛凌/奇夢(mèng)達(dá)）:深度參與了第三次DRAM世界大戰(zhàn)-韓臺(tái)戰(zhàn)爭(zhēng)中，臺(tái)灣人“歐洲技術(shù)引進(jìn)派”的幕后老板，最終煙消云散。

　　1996年，西門(mén)子和中國(guó)臺(tái)灣省茂矽公司合資，投資450億元新臺(tái)幣，成立茂德電子，建設(shè)8寸晶圓廠，采用西門(mén)子提供的工藝制程生產(chǎn)DRAM。

　　1998年，西門(mén)子半導(dǎo)體獨(dú)立，成立英飛凌，繼承了西門(mén)子在半導(dǎo)體領(lǐng)域的三萬(wàn)多項(xiàng)專利，是當(dāng)時(shí)僅次于三星、鎂光的全球第三大DRAM廠商。

　　2003年1月，英飛凌和南亞科技合資，成立華亞科技，雙方各占股46%，投資22億美金，建設(shè)12寸DRAM晶圓廠。

　　2004年，英飛凌和中芯國(guó)際合作，向中芯國(guó)際轉(zhuǎn)移0.11微米DRAM制造技術(shù)，中芯國(guó)際為其代工。后臺(tái)積電發(fā)起針對(duì)中芯國(guó)際的全球訴訟，中芯國(guó)際被迫全面退出DRAM。

　　2006年，英飛凌內(nèi)存部門(mén)獨(dú)立，成立奇夢(mèng)達(dá)。

　　2008年，中芯國(guó)際面臨臺(tái)積電在美國(guó)的337調(diào)查和訴訟，奇夢(mèng)達(dá)終止和中芯國(guó)際的合作。

　　2009年1月23日，深陷全球金融危機(jī)的奇夢(mèng)達(dá)破產(chǎn)。隨后，其在中國(guó)臺(tái)灣省最大合資公司-華亞科技，被鎂光收購(gòu)。

　　荷蘭飛利浦：

　　1975年，飛利浦收購(gòu)發(fā)明了555定時(shí)器的美國(guó)西格尼蒂克（Signetics）。

　　1985年，飛利浦與工研院進(jìn)洽談，希望在中國(guó)臺(tái)灣省設(shè)立晶圓廠。

　　1987年2月，臺(tái)積電成立。由中國(guó)臺(tái)灣省“行政院國(guó)家開(kāi)發(fā)基金”出資1億美金，占股48.3%，飛利浦占股27.5%，臺(tái)塑等7家私營(yíng)企業(yè)占股24.2%。至今，這仍是飛利浦在亞洲回報(bào)率最好的一筆投資。

　　2006年，飛利浦半導(dǎo)體獨(dú)立，成立了恩智浦NXP，專注于射頻電路領(lǐng)域。

　　2016年，NXP被美國(guó)高通要約收購(gòu)。

　　意法半導(dǎo)體：

　　1988年，由意大利SGS微電子和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體合并而成。上世紀(jì)80年代，曾經(jīng)全球DRAM內(nèi)存市場(chǎng)第二個(gè)霸主的美國(guó)莫斯泰克陷入困境，被美國(guó)聯(lián)合技術(shù)UTC以3.45億美金收購(gòu)，后再轉(zhuǎn)手賣(mài)給意法。

　　2004年，意法和韓國(guó)海力士聯(lián)手在中國(guó)無(wú)錫建設(shè)DRAM廠。

　　2010年，意法專注于專有集成電路ASIC、電源轉(zhuǎn)換芯片、MCU。

　　2017年，意法宣布投資30億美金，建設(shè)12寸晶圓廠。

　　歐洲半導(dǎo)體工業(yè)的發(fā)展和美日韓等比較，缺乏在一個(gè)強(qiáng)有力的“國(guó)家力量”對(duì)重點(diǎn)項(xiàng)目進(jìn)行攻關(guān)和主導(dǎo)。僅僅依靠科技沒(méi)有從政治、經(jīng)濟(jì)等層面制定一個(gè)統(tǒng)一的規(guī)劃，所以在第三次DRAM世界大戰(zhàn)中，很快成為巨頭中第一個(gè)失敗者。單純依靠科技力量贏取市場(chǎng)，比如第一次DRAM世界大戰(zhàn)，日本人依靠64K、256K DRAM的高質(zhì)量、低成本完勝美國(guó)人。但是全球DRAM內(nèi)存的戰(zhàn)爭(zhēng)，從第二次DRAM世界大戰(zhàn)-日韓戰(zhàn)爭(zhēng)開(kāi)始，已經(jīng)不僅是國(guó)家之間科技的較量，更是全面涵蓋政治、經(jīng)濟(jì)和軍事的國(guó)運(yùn)之戰(zhàn)。

自中美貿(mào)易戰(zhàn)之后，美國(guó)又對(duì)中國(guó)中興通訊(000063) 禁售芯片，引起了一場(chǎng)關(guān)于芯片產(chǎn)業(yè)的爭(zhēng)論，對(duì)于目前我們國(guó)家民族工業(yè)的芯片產(chǎn)業(yè)提出了更高的要求，也給我們敲響了警鐘，作者在文章中多次提到了借鑒其他國(guó)家在芯片產(chǎn)業(yè)上的建議，本文非常專業(yè)，轉(zhuǎn)載文章出于傳遞更多信息之目的，并不意味著贊同其觀點(diǎn)或其內(nèi)容的真實(shí)性已得到證實(shí)。