微導納米(688147)10月8日大幅上漲19.96%，以下影小陽線收盤，這種K線雖代表當下多方能量強于空方能量，但經(jīng)過一波上漲后出現(xiàn)則有可能為多頭陷阱。近3日累計漲幅55.44%，資金流向，主力資金凈流入988.5萬元，超大單凈流入961.87萬元，大單凈流入26.63萬元 ，3日主力資金凈流入1216.75萬元，5日主力資金凈流入764.76萬元。微導納米(688147)所屬的存儲芯片概念，這一概念目前1464.14點，大漲15.59%，3日內(nèi)累計漲幅是41.23%。

微導納米688147依據(jù)贏家江恩極反通道趨勢工具展示：個股于9月23日低點18.35元展開上攻，至今日持續(xù)6日，當前股票價格上穿強勢外軌線30.0752元并延續(xù)短期上漲走向，由超強通道進入極強區(qū)域，市場中只有極少數(shù)走勢能進入該區(qū)域，如能站穩(wěn)強勢外軌線則將成為少數(shù)強勢股，上方壓力可借助江恩空間工具分析預(yù)測；若短期構(gòu)筑頂分型信號，并跌破強勢外軌線回歸超強通道，注意規(guī)避短期下跌風險。

如圖：微導納米(688147)由超強通道進入極強區(qū)域

存儲芯片概念依據(jù)贏家十二宮結(jié)構(gòu)模型工具展示：目前點位大幅上漲15.59%突破贏家十二宮上漲結(jié)構(gòu)頂部線1444.98，多方能量依舊較強。若后市持續(xù)走高，將會尋找新的能量平衡位。

如圖：存儲芯片概念(858650)突破贏家十二宮上漲結(jié)構(gòu)頂部線

我們對存儲芯片進行江恩周天時間循環(huán)線分析：下一個時間窗口為：11月6日。

目前概念和個股都是處于上漲趨勢，兩者形成共振為較好的情況。

微導納米近3日漲幅55.44%，所屬存儲芯片概念3日內(nèi)累計漲幅41.23%，近3日也呈現(xiàn)上漲趨勢，波段上漲趨勢不改變，密切關(guān)注10月23日時間窗口，重點關(guān)注上方32.91元壓力位。

微導納米公司主營業(yè)務(wù)：

以原子層沉積(ALD)技術(shù)為核心，主要從事先進微、納米級薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，向下游客戶提供先進薄膜沉積設(shè)備、配套產(chǎn)品及服務(wù)。