供不應(yīng)求,功率器件迎來景氣周期。供給端:缺貨傳導(dǎo)至8寸晶圓,擠占原有產(chǎn)能。12寸晶圓由于存儲(chǔ)等需求上升,造成供不應(yīng)求,像CIS、PMIC、NorFlash和指紋識(shí)別IC等產(chǎn)品開始轉(zhuǎn)移到8寸晶圓,擠占了特色工藝如功率器件、MEMS、模擬芯片等的產(chǎn)能。同時(shí)8寸晶圓設(shè)備停產(chǎn),限制產(chǎn)能釋放。8寸晶圓生產(chǎn)的設(shè)備已經(jīng)停產(chǎn),目前廠商購買的8寸設(shè)備主要來自二手市場,數(shù)量極少且價(jià)格昂貴,設(shè)備的停產(chǎn)鉗制著8寸晶圓產(chǎn)能的釋放。

　　需求端:汽車電子化東風(fēng)至,功率器件迎數(shù)倍成長空間。新能源汽車區(qū)別于傳統(tǒng)汽車最核心的技術(shù)是:“電機(jī)驅(qū)動(dòng)”、“電池”、“電子控制”,汽車電子化全面地帶動(dòng)對功率器件的需求。根據(jù)英飛凌的統(tǒng)計(jì),一輛傳統(tǒng)燃料汽車使用動(dòng)力傳統(tǒng)系統(tǒng)功率半導(dǎo)體器件為17美元,而一輛純電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車上功率半導(dǎo)體器件價(jià)值為265美元,增加了近15倍。未來隨著新能源汽車的普及,功率器件將迎來發(fā)展的好機(jī)遇。

　　MOSFET缺貨嚴(yán)重,看好未來三年景氣度。需求端:LED照明市場擴(kuò)大,帶來MOSFET需求旺盛。智能手機(jī)的快充普及帶來六級能效/同步整流的MOSFET需求增加。同時(shí)隨著未來物聯(lián)網(wǎng)的普及,將會(huì)帶來巨大功率器件市場。供給端:指紋識(shí)別IC和雙攝擠壓8寸線產(chǎn)能,擠壓8寸廠生產(chǎn)MOSFET的產(chǎn)能。隨著新能源汽車的發(fā)展,國際大廠紛紛轉(zhuǎn)向利潤高的市場,砍掉中低壓MOSFET產(chǎn)能。

　　IGBT為新能源汽車的核心,工控、動(dòng)車也具潛力。目前在新能源汽車中,最有提升空間的當(dāng)屬電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分,電機(jī)的技術(shù)水平直接影響整車的性能和成本,而電機(jī)驅(qū)動(dòng)部分最核心的元件當(dāng)屬IGBT,其成本占到政策成本的7-10%。并且在充電樁、工業(yè)控制、白色家電、軌道交通等領(lǐng)域,也需要IGBT進(jìn)行變頻、整流。

　　第三代化合物半導(dǎo)體性能更加優(yōu)秀,是未來功率器件的發(fā)展方向。在功率器件的發(fā)展中,傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)達(dá)到了其材料的極限狀態(tài),難以滿足當(dāng)前工業(yè)、汽車等領(lǐng)域?qū)τ诟哳l、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環(huán)境以及輕便小型化的新需求。以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體材料以其優(yōu)異的性能,是未來的發(fā)展方向。SiC主要使用在高壓電路中,而GaN更適合在低壓高頻領(lǐng)域,第三代半導(dǎo)體的應(yīng)用,有望成為功率半導(dǎo)體增長新的推動(dòng)力之一。

　　國內(nèi)企業(yè)加速突破,國產(chǎn)化替代可期。國內(nèi)功率器件市場基本上由國外企業(yè)壟斷,國內(nèi)企業(yè)目前在中低端市場已經(jīng)開始突破,但是在高端產(chǎn)品上還是落后國際大廠1-2代。但隨著不斷研發(fā)和政策支持,以士蘭微、揚(yáng)杰科技、華微電子為首的國內(nèi)企業(yè),有望實(shí)現(xiàn)突破。而海外龍頭面對著產(chǎn)品同質(zhì)+成本競爭,不得不開始重新調(diào)整自己的經(jīng)營模式。一方面通過做減法,剝離自己沒有優(yōu)勢或盈利能力不強(qiáng)的產(chǎn)品,另一方面通過并購、強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合等,調(diào)整和完善自身產(chǎn)品線,以獲取更大的優(yōu)勢。國外企業(yè)退出低端市場,給國內(nèi)企業(yè)也帶來了一些機(jī)遇。

　　風(fēng)險(xiǎn)提示:項(xiàng)目建設(shè)不及預(yù)期,國產(chǎn)化替代進(jìn)展不及預(yù)期。