OPPO、小米、康佳紛紛布局 氮化鎵將迎高速發(fā)展
摘要: 第三代半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)在2019年首次進(jìn)入主流消費(fèi)應(yīng)用,在2020年初小米發(fā)布會后引起極大關(guān)注。在各大手機(jī)廠商激烈競爭之下,GaN也將迎來高速發(fā)展。根據(jù)顯示,今年以來GaN指數(shù)上漲了44.7


第三代半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)在2019年首次進(jìn)入主流消費(fèi)應(yīng)用,在2020年初小米發(fā)布會后引起極大關(guān)注。在各大手機(jī)廠商激烈競爭之下,GaN也將迎來高速發(fā)展。
根據(jù)顯示,今年以來GaN指數(shù)上漲了44.7%。小米GaN充電器直接引爆了A股第三代半導(dǎo)體概念股。
小米集團(tuán)董事長兼CEO雷軍表示,GaN是一種新型半導(dǎo)體材料,做出的充電器體積特別小,充電效率卻特別高。而早在2019年,OPPO 發(fā)布最大充電功率為65W的SuperVOOC 2.0,SuperVOOC 2.0配備的適配器就使用了GaN,這也是GaN首次進(jìn)入主流消費(fèi)應(yīng)用。有媒體稱,華為、蘋果和三星等廠商也計劃推出GaN的充電器。
市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole Development提出一種樂觀場景,即如果蘋果等手機(jī)廠商采用GaN,無數(shù)其他公司也將跟隨并在消費(fèi)電子領(lǐng)域應(yīng)用GaN,那么到2023年,GaN電源市場規(guī)模將達(dá)到4.23億美元,復(fù)合年均增長率達(dá)93%,有極大增長空間。
而這只是GaN的一個應(yīng)用領(lǐng)域。康佳集團(tuán)近日也在招募GaN工程師,康佳副總裁李宏韜解釋稱,藍(lán)光、綠光Micro LED芯片也要用到GaN,招募GaN工程師是希望加快推進(jìn)。除了Micro LED芯片,今后還有其它應(yīng)用。
GaN是第三代半導(dǎo)體材料之一。第一代半導(dǎo)體材料以硅和鍺為主,是CPU處理器等集成電路主要運(yùn)用的材料;第二代半導(dǎo)體指一部分化合物半導(dǎo)體,包括砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等,主要特性是頻率較高,目前手機(jī)所使用的關(guān)鍵通信芯片都采用這類材料制做。
而第三代半導(dǎo)體材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)、氧化鋅(ZnO)、金剛石、氮化鋁(AlN)為代表的寬禁帶的半導(dǎo)體材料。
與第一代和第二代半導(dǎo)體材料相比,第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更大的電子飽和速度以及更高的抗輻射能力,更適合制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件。其中,SiC和GaN的研究和發(fā)展更為成熟。
GaN下游應(yīng)用豐富,主要包括無線通信、雷達(dá)預(yù)警、衛(wèi)星通信的微波射頻領(lǐng)域,消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、新能源汽車在內(nèi)的電力電子領(lǐng)域和LED、光電探測器等光電子領(lǐng)域。
蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司董事、總經(jīng)理任勉在今年2月底一次氮化鎵主題報告中指出,GaN的應(yīng)用從LED的發(fā)光器件開始,逐步發(fā)展到大規(guī)模使用的射頻微波器件,并且進(jìn)入電力電子領(lǐng)域,“GaN作為LED發(fā)光器件是一種不可替代的技術(shù),因?yàn)镚aN發(fā)出來的藍(lán)光波長范圍。當(dāng)藍(lán)光一出來,就可以迅速得到運(yùn)用?!?/p>
隨著無線通訊的發(fā)展,射頻微波領(lǐng)域?qū)τ赑A(功率放大器)的要求進(jìn)一步提升。3G、4G、以及現(xiàn)在的5G進(jìn)一步推動了GaN基站的應(yīng)用。
Yole Development數(shù)據(jù)顯示,從2017年到2023年,GaN射頻器件市場整體復(fù)合年均增長率將達(dá)23%,2017年該市場規(guī)模僅為3.8億美元,預(yù)計到2023年市場規(guī)模有望達(dá)13億美元,其中通信和國防是主要推動力。
隨著5G網(wǎng)絡(luò)的快速部署,射頻GaN市場將快速發(fā)展。與4G相比,5G頻段更高,需要更多收發(fā)器和天線單元,使用波束賦形信號處理將射頻能量傳遞給用戶。
國盛證券指出,雖然目前LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)、GaAs和GaN三者份額相差不大,但GaN將占射頻器件市場的半壁江山。原先廣泛使用的LDMOS由于工作頻率存在極限,理論上有效頻率為3GHz以下;而GaAs由于期間功率較低,通常低于50W,所以在目前5G時代支持著高頻,且功率值更高的GaN將會在基站端實(shí)現(xiàn)對原先材料的替代。
不過,即使GaN被越炒越熱,大規(guī)模普及仍需要時間,成本是阻礙該市場發(fā)展的主要因素。
賽迪顧問產(chǎn)業(yè)大腦平臺集成電路產(chǎn)業(yè)首席分析師李丹告訴第一財經(jīng),“從全球角度看,目前GaN整個產(chǎn)業(yè)鏈成熟,已經(jīng)商用且用在消費(fèi)電子端,但是成本的下調(diào)空間還很大,而且國內(nèi)的產(chǎn)業(yè)鏈也不夠成熟,有些環(huán)節(jié)國內(nèi)還做不了?!?/p>
(文章來源:第一財經(jīng))
GaN,半導(dǎo)體






