10月30日，國星光電連發(fā)公告，公布了2021年第三季度報告，同時宣布公司取得4項發(fā)明專利證書。

　　第三季度凈利潤同比增長491.45%

　　國星光電第三季度實現(xiàn)營業(yè)收入11.18億元，同比增長39.89%；歸屬于上市公司股東凈利潤為8600.32萬元，同比增長491.45%。

　　累計前三季度實現(xiàn)營業(yè)收入為28.48億元，同比增長24.18%；歸屬于上市公司股東的凈利潤為1.78億元，同比增長129.59%。

　　國星光電表示，前三季度凈利潤同比增長129.59%，主要是公司產(chǎn)品訂單量較去年同期取得明顯增長，以及調(diào)整產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，增加高附加值產(chǎn)品影響所致。

　　報告期內(nèi)，國星光電持續(xù)耕耘Mini/Micro LED、紫外LED、第三代半導(dǎo)體等業(yè)務(wù)，并取得重要進(jìn)展。

　　MiniLED方面，國星光電已開發(fā)了覆蓋P0.9-P0.4的全系列MiniLED直顯產(chǎn)品，目前MiniLED直顯產(chǎn)品實現(xiàn)滿產(chǎn)滿銷；而MiniLED背光產(chǎn)品已儲備Mini POB、Mini COB兩大技術(shù)路線，并與多家終端廠商建立戰(zhàn)略合作關(guān)系，目前產(chǎn)品批量出貨，產(chǎn)能正在持續(xù)擴(kuò)充。

　　Micro LED方面，國星光電開發(fā)出高一致性像素化量子點(diǎn)色轉(zhuǎn)換彩膜制備技術(shù)，可將巨量轉(zhuǎn)移次數(shù)減少三分之二，有效解決Micro LED紅光芯片良率低、光效低、巨量轉(zhuǎn)移難度高的技術(shù)痛點(diǎn)，進(jìn)一步提高良率、減少修復(fù)、降低成本。

　　紫外LED方面，國星光電在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時表示，國星半導(dǎo)體已形成365nm/395nm/410nm三個新系列芯片產(chǎn)品，可用于紫外固化，光觸媒、健康照明以及全光譜等全新應(yīng)用領(lǐng)域。同時國星半導(dǎo)體是國內(nèi)為數(shù)不多可以量產(chǎn)垂直結(jié)構(gòu)紫光LED芯片的企業(yè)。

　　第三代半導(dǎo)體方面，國星光電在調(diào)研活動中透露，近期推出3大系列第三代半導(dǎo)體新產(chǎn)品，包括SiC功率器件、功率模塊和GaN-DFN器件。目前公司已完成三代半功率器件實驗室及功率器件試產(chǎn)線的建立工作，計劃2021年底實現(xiàn)小規(guī)模量產(chǎn)。

　　取得4項發(fā)明專利證書

　　國星光電宣布，公司于近日收到4項發(fā)明專利證書，其中包括中國國家知識產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的發(fā)明專利證書3項、美國發(fā)明專利證書1項。

　　公告顯示，第一項發(fā)明專利名稱為“照明設(shè)備”，專利號為ZL201811368164.4；第二項發(fā)明專利名稱為“LED器件、背光模組和顯示裝置”，專利號為ZL201910578865.9；第三項發(fā)明專利名稱為“一種全彩化LED封裝器件和顯示模組”，專利號為ZL201910588622.3；第三項發(fā)明專利名稱為“LED器件、背光模組和顯示裝置”，專利號為11016340。

　　國星光電表示，以上專利的取得有助于發(fā)揮公司自主知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢，豐富公司先進(jìn)技術(shù)儲備，促進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新推動產(chǎn)品優(yōu)化升級，提高公司的綜合競爭能力，對公司的生產(chǎn)經(jīng)營有積極影響。（LEDinside Mia整理）