普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司 關(guān)于新產(chǎn)品及技術(shù)研發(fā)進(jìn)展的自愿性披露公告
摘要: 本公司董事會(huì)及全體董事保證本公告內(nèi)容不存在任何虛假記載、誤導(dǎo)性陳述或者重大遺漏,并對(duì)其內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和完整性承擔(dān)個(gè)別及連帶責(zé)任。為便于廣大投資者了解公司新產(chǎn)品及技術(shù)研發(fā)進(jìn)展情況,
本公司董事會(huì)及全體董事保證本公告內(nèi)容不存在任何虛假記載、誤導(dǎo)性陳述或者重大遺漏,并對(duì)其內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和完整性承擔(dān)個(gè)別及連帶責(zé)任。
為便于廣大投資者了解公司新產(chǎn)品及技術(shù)研發(fā)進(jìn)展情況,普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“公司”)現(xiàn)將公司的新產(chǎn)品及技術(shù)研發(fā)進(jìn)展情況披露如下:
一、新產(chǎn)品及技術(shù)研發(fā)進(jìn)展情況
?。ㄒ唬┐鎯?chǔ)器芯片方向全面展開(kāi):
1、公司采用電荷俘獲的SONOS工藝結(jié)構(gòu)40nm工藝節(jié)點(diǎn)下的NOR Flash全系列產(chǎn)品研發(fā)完成并成為量產(chǎn)交付主力,晶圓良率達(dá)到95%以上,實(shí)現(xiàn)了對(duì)公司原有55nm工藝節(jié)點(diǎn)下的NOR Flash產(chǎn)品的升級(jí)替代,產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力及晶圓產(chǎn)出率有效提升。其中L系列64Mb NOR Flash產(chǎn)品完成海外手機(jī)頭部廠商TWS藍(lán)牙耳機(jī)認(rèn)證。技術(shù)儲(chǔ)備的40nm以下新一代工藝完成試流片,進(jìn)入產(chǎn)品和工藝優(yōu)化階段。

2、公司采用浮柵ETOX工藝結(jié)構(gòu)NOR Flash中大容量PY系列產(chǎn)品首顆開(kāi)始量產(chǎn)出貨,應(yīng)用于可穿戴和安防等市場(chǎng)。
3、車載EEPROM產(chǎn)品完成了AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的全面考核,首先在車身攝像頭和車載中控應(yīng)用上實(shí)現(xiàn)了海外客戶的批量交付。
4、超大容量EEPROM系列開(kāi)發(fā)完成,F(xiàn)系列產(chǎn)品支持SPI/I2C接口和最大4Mb容量,其中2Mb產(chǎn)品批量應(yīng)用于高速寬帶通信和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域。與代工廠戰(zhàn)略合作開(kāi)發(fā)的浮柵下一代技術(shù)進(jìn)入測(cè)試芯片開(kāi)發(fā)階段。
5、新一代128Kb至512Kb攝像頭模組EEPROM產(chǎn)品應(yīng)用于海外手機(jī)頭部廠商旗艦機(jī)型,已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。支持下一代手機(jī)主控平臺(tái)的1.2V攝像頭模組EEPROM L系列的128Kb產(chǎn)品率先進(jìn)入市場(chǎng),完成平臺(tái)認(rèn)證,并小批量交付首個(gè)手機(jī)客戶項(xiàng)目。
(二)“存儲(chǔ)+”戰(zhàn)略布局推進(jìn):
模擬產(chǎn)品方向上,內(nèi)置非易失存儲(chǔ)器的PE系列音圈馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品進(jìn)入大批量供貨。支持下一代主控平臺(tái)的1.2V PD系列音圈馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)品完成開(kāi)發(fā)、流片和測(cè)試,性能指標(biāo)均符合規(guī)范要求,產(chǎn)品進(jìn)入客戶送樣階段。
微控制器方向上,首顆32位微控制器芯片產(chǎn)品功能和性能測(cè)試通過(guò),進(jìn)入客戶送樣階段。
二、新產(chǎn)品及技術(shù)研發(fā)對(duì)公司的影響
1、新產(chǎn)品可面向工控、車載等應(yīng)用領(lǐng)域,豐富了公司產(chǎn)品線,有助于鞏固和提升公司的核心競(jìng)爭(zhēng)力,形成新的增長(zhǎng)點(diǎn),對(duì)公司未來(lái)的發(fā)展將產(chǎn)生積極的影響;
2、新產(chǎn)品的開(kāi)發(fā),使得公司有機(jī)會(huì)服務(wù)更多的頭部客戶,提升公司的市場(chǎng)地位,立足國(guó)內(nèi)市場(chǎng),參與全球市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng);
3、在40mn以下新一代工藝和浮柵下一代技術(shù)的創(chuàng)新技術(shù)儲(chǔ)備,使公司在存儲(chǔ)器芯片及延伸領(lǐng)域均具備持續(xù)競(jìng)爭(zhēng)力。
三、相關(guān)風(fēng)險(xiǎn)提示
公司新產(chǎn)品,在向車載、工控等較高端市場(chǎng),以及向各領(lǐng)域頭部客戶導(dǎo)入的所需時(shí)間較長(zhǎng),大批量銷售尚需一定的周期和前期技術(shù)服務(wù)投入,存在不確定性,同時(shí)面臨著未來(lái)市場(chǎng)推廣與客戶開(kāi)拓不及預(yù)期的風(fēng)險(xiǎn)。敬請(qǐng)廣大投資者注意投資風(fēng)險(xiǎn),理性投資。
特此公告。
普冉半導(dǎo)體(上海)股份有限公司董事會(huì)
2022年03月21日
來(lái)源:·中證網(wǎng) 作者:
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