核心觀點：

　　砷化鎵半導體：5G帶動砷化鎵需求量新一輪成長，代工經營模式發(fā)展壯大砷化鎵主要用于微波功率器件，即工作在微波波段（頻率300~300000MHz間）的半導體器件。5G帶動砷化鎵需求量新一輪成長，根據(jù)StrategyAnalytics調查數(shù)據(jù)，2017年全球砷化鎵元件市場總產值約為88.3億美元，國外IDM廠商搶占砷化鎵半導體市場先機，目前全球砷化鎵半導體市場份額最大的Skyworks，但砷化鎵半導體代工經營模式出現(xiàn)，中國臺灣的穩(wěn)懋成為砷化鎵晶圓代工領域龍頭。

　　氮化鎵半導體：微波器件首選材料,功率器件未來應用前景廣闊氮化鎵材料由于禁帶寬度達到3.4eV，與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為第三代半導體材料，也稱為寬禁帶半導體。由于氮化鎵具有禁帶寬度大、擊穿電場高、飽和電子速度大、熱導率高、介電常數(shù)小、化學性質穩(wěn)定和抗輻射能力強等優(yōu)點，成為高溫、高頻、大功率微波器件的首選材料之一，氮化鎵大功率器件未來應用前景廣闊，全球氮化鎵半導體市場潛在規(guī)模達94億美元。

　　碳化硅半導體：高功率器件用途廣泛，應用市場將逐步拓展SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）構成的化合物半導體材料，不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，被認為是一種超越Si極限的功率器件用材料。SiC功率半導體適合用于深井鉆探、太陽能逆變器（實現(xiàn)直流與交流的轉換）、風能逆變器、電動汽車與混合動力汽車、工業(yè)驅動以及輕軌牽引等需要大功率電源轉換的應用。

　　國產替代有望加速，【三安光電(600703)、股吧】取得國內重要客戶的合格供應商認證以砷化鎵/氮化鎵/碳化硅為代表的化合物半導體的市場規(guī)模高達百億美元，代工模式擁有強大的市場競爭力，國家政策扶持將加速化合物半導體的國產化進程，2014年，三安光電成立子公司三安集成電路有限公司，開始切入化合物半導體領域，同年通訊微電子（一期）項目基建工程開工，根據(jù)公司半年報，三安集成已取得國內重要客戶的合格供應商認證，并與行業(yè)標桿企業(yè)展開業(yè)務范圍內的全面合作。

　　風險提示行業(yè)發(fā)展速度低于預期；行業(yè)競爭加劇的風險；新技術滲透率低于預期。