1月3日，滬指盤中震蕩回落，尾盤拉升翻紅；深成指、創(chuàng)業(yè)板指走低；北向資金尾盤加速進(jìn)場。

　　行業(yè)板塊漲少跌多，旅游酒店、煤炭行業(yè)、中藥、化肥行業(yè)、游戲板塊漲幅居前，光學(xué)光電子、消費(fèi)電子、半導(dǎo)體、電子元件、汽車零部件板塊跌幅居前。

　　據(jù)科創(chuàng)板日報消息，存儲器模塊業(yè)者傳出，三星電子、美光等存儲器大廠，正規(guī)劃今年第一季將DRAM價格調(diào)漲15%-20%。業(yè)界人士稱，上游原廠漲價焦點將從NAND轉(zhuǎn)移至DRAM，DDR4、DDR5有望成下一波調(diào)漲重點，以加速改善營運(yùn)虧損。全球存儲芯片需求復(fù)蘇的跡象越來越多，DRAM存儲芯片和NAND閃存芯片價格從去年10月至12月連續(xù)反彈，此外，智能手機(jī)和個人電腦制造商對內(nèi)存的需求也有復(fù)蘇的跡象，HBM和CXL等高性能DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的需求劇增，同時，由于人工智能的蓬勃發(fā)展，相關(guān)供應(yīng)商在全球HBM市場上占據(jù)了上風(fēng)，目前，HBM系列DRAM的需求正在增長。山西證券表示，電子行業(yè)基本面逐步轉(zhuǎn)好，國內(nèi)存儲行業(yè)供需格局持續(xù)改善；國開證券認(rèn)為，存儲行業(yè)先行復(fù)蘇，高端存儲芯片尤為受益；中信證券指出，半導(dǎo)體行業(yè)有望進(jìn)一步修復(fù)反彈，存儲板塊率先上行。　　　　山西證券：國內(nèi)存儲行業(yè)供需格局持續(xù)改善

　　電子行業(yè)基本面逐步改善，AI大模型算力芯片需求帶動市場對CoWoS、HBM等產(chǎn)業(yè)鏈需求增長，2024年人工智能手機(jī)、PC等端側(cè)AI設(shè)備開始出貨，也帶來對單機(jī)存儲容量的需求提升，國內(nèi)存儲行業(yè)供需格局持續(xù)改善。中長期看，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控進(jìn)程加速。建議關(guān)注上游設(shè)備、材料、零部件的國產(chǎn)化，AI技術(shù)驅(qū)動的高性能芯片和先進(jìn)封裝需求，以及消費(fèi)電子復(fù)蘇帶來的板塊修復(fù)機(jī)會。

　　國開證券：終端需求逐步改善存儲行業(yè)先行復(fù)蘇

　　預(yù)計在AI、電動車等行業(yè)需求驅(qū)動下(比如人工智能、電動汽車等)，高端存儲芯片尤為受益。存儲占半導(dǎo)體行業(yè)比例達(dá)20%，作為半導(dǎo)體行業(yè)風(fēng)向標(biāo)，其景氣回溫釋放一定復(fù)蘇信號，疊加AI賦能及VisionPro催化消費(fèi)電子新需求，基本面將逐步改善，從而帶動手機(jī)終端廠商拉貨節(jié)奏持續(xù)。中長期看，在科技博弈背景下，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控迫切，同時科技行業(yè)作為新增長的引擎，預(yù)計明年仍將是市場持續(xù)熱點。建議關(guān)注上游設(shè)備、材料、代工和先進(jìn)封裝國產(chǎn)化進(jìn)程，以及終端復(fù)蘇帶來的業(yè)績修復(fù)行情。

　　華泰證券：存儲價格及供應(yīng)鏈盈利水平已逐步回暖

　　存儲行業(yè)周期從2023年三季度開始復(fù)蘇上行，存儲價格及供應(yīng)鏈盈利水平已逐步回暖，2023年四季度以及2024年一季度將延續(xù)上行趨勢，價格水平將逐步回升至正常水平。同時國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)持續(xù)國產(chǎn)化，在長鑫技術(shù)逐漸突破的帶動下，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)將同步受益，全球市占率有望持續(xù)提升。國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)芤嬗谑袌鼍皻舛然厣爱a(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化，相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)包括半導(dǎo)體設(shè)備、設(shè)備零部件、半導(dǎo)體材料、存儲封測(通富微電等)及模組。

　　中信證券：半導(dǎo)體行業(yè)有望進(jìn)一步修復(fù)反彈存儲板塊率先上行

　　結(jié)合當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)銷售額、咨詢機(jī)構(gòu)的預(yù)測情況以及國內(nèi)外半導(dǎo)體廠商的表現(xiàn)及展望，半導(dǎo)體周期已經(jīng)進(jìn)入觸底反彈階段，當(dāng)前AI、SIC等方向存在結(jié)構(gòu)性高增長機(jī)遇；展望2024年，半導(dǎo)體整體行業(yè)有望迎來進(jìn)一步修復(fù)反彈，其中存儲板塊有望率先上行。

　　國金證券：存儲復(fù)蘇將帶動上游材料需求

　　存儲芯片是半導(dǎo)體材料重要的使用場景，由于芯片結(jié)構(gòu)的差異，部分半導(dǎo)體材料在存儲芯片的用量會顯著大于邏輯芯片，例如對于電子特氣，在相同產(chǎn)能的情況下，存儲芯片的氣體用量比邏輯芯片的氣體用量大2-3倍，前驅(qū)體的用量也是存儲芯片更高，并且隨著今年以后HBM、DDR5等高性能存儲的起量，相關(guān)材料的內(nèi)部結(jié)構(gòu)也將發(fā)生變化，價值量有望提升，建議關(guān)注存儲復(fù)蘇對上游半導(dǎo)體材料行業(yè)的帶動，相關(guān)標(biāo)的雅克科技、華特氣體等。

　　華泰證券：周期拐點將至疊加AI需求催化關(guān)注存儲賽道投資機(jī)會

　　存儲是數(shù)字經(jīng)濟(jì)發(fā)展的基石，作為典型的周期成長行業(yè)，存儲正處于新一輪成長的黎明期。周期方面，經(jīng)過2021年末起7個季度的下行期后，當(dāng)前存儲產(chǎn)品價格已呈現(xiàn)筑底態(tài)勢，疊加存儲原廠減產(chǎn)、下游庫存水位持續(xù)修正，目前行業(yè)已處于周期底部；創(chuàng)新方面，AI高速發(fā)展推動HBM為代表的高性能存儲器需求快速增長，預(yù)計HBM市場24年將達(dá)64億美金，AI有望開啟存儲成長新篇章。

　　(本文不構(gòu)成任何投資建議，投資者據(jù)此操作，一切后果自負(fù)。市場有風(fēng)險，投資需謹(jǐn)慎。)