受此前半導(dǎo)體下行周期的影響，存儲(chǔ)芯片營(yíng)收自2018Q3持續(xù)下滑，但進(jìn)入2019Q3情況開(kāi)始好轉(zhuǎn)，DRAM與NAND2019Q3總產(chǎn)值均提升，存儲(chǔ)價(jià)格也有觸底回升的趨勢(shì)。我們?cè)跉v史維度上對(duì)存儲(chǔ)價(jià)格進(jìn)行縱向分析，剖析存儲(chǔ)每次漲價(jià)的邏輯，借以分析本次存儲(chǔ)的價(jià)格變化趨勢(shì)。

　　※ 漲價(jià)的原因可以歸結(jié)為四個(gè)字：供需失配。

　　論到存儲(chǔ)的本質(zhì)，需求端理論上是無(wú)限增長(zhǎng)的，下游產(chǎn)品的迭代會(huì)形成需求動(dòng)能，供給端則會(huì)因?yàn)閺S商的產(chǎn)能調(diào)整而出現(xiàn)偏差，在需求和供給增長(zhǎng)速度不完全匹配的情況下，就會(huì)觸發(fā)存儲(chǔ)價(jià)格的變化。

　　※ DRAM:

　　第一輪2012Q4-2013Q3漲價(jià)的原因是Elpida公司被美國(guó)Micron收購(gòu)，臺(tái)系DRAM廠也將于2013年上半年全部退出傳統(tǒng)DRAM市場(chǎng)，DRAM供貨商縮減資本設(shè)備支出，推動(dòng)了產(chǎn)品價(jià)格的上揚(yáng)。第二輪2016Q3-2017Q3漲價(jià)的原因是原廠皆以提高新制程比例增加產(chǎn)出為主，投資收縮帶來(lái)的產(chǎn)能驅(qū)動(dòng)供給平緩造成供需缺口。而需求端手機(jī)及服務(wù)器的搭載量增加，需求大于供給造成價(jià)格上漲。如果根據(jù)歷史需求平衡率來(lái)判斷，可以看到2019年下半年開(kāi)始需求曲線與供給曲線出現(xiàn)剪刀差趨勢(shì)，需求平衡率開(kāi)始下降，這意味著DRAM價(jià)格將出現(xiàn)回升趨勢(shì)。

　　※ NAND:

　　第一輪(2016Q3-2017Q3)本階段是NAND Flash 的制程轉(zhuǎn)化年，F(xiàn)lash原廠從平面NAND轉(zhuǎn)向3D NAND。在制程轉(zhuǎn)化過(guò)程中，產(chǎn)能爬坡和良率提升帶來(lái)的輸出供給不足觸發(fā)供給緊張引發(fā)價(jià)格上漲。本輪價(jià)格已經(jīng)在11月底開(kāi)始呈現(xiàn)，漲價(jià)的主要原因是5G網(wǎng)絡(luò)的發(fā)展，加速數(shù)據(jù)中心的快速成長(zhǎng)，并極大推動(dòng)存儲(chǔ)配置需求的增加；手機(jī)市場(chǎng)瓜分貨源，手機(jī)廠商為了搶占5G先機(jī)，已紛紛下單穩(wěn)固N(yùn)AND Flash貨源；原廠正在擴(kuò)大PC OEM市場(chǎng)布局，包括高、中、低三個(gè)不同檔次的SSD市場(chǎng)都有涉及，原廠確保數(shù)據(jù)中心、PC和手機(jī)市場(chǎng)需求，使得渠道市場(chǎng)資源供應(yīng)緊張。

　　※ Nor Flash:

　　第一輪(2017Q1-2017Q4)因?yàn)槁憔A供貨緊張，Nor Flash廠商拿不到足夠晶圓(主要是IDM)，且晶圓漲價(jià)導(dǎo)致成本上漲，各大儲(chǔ)存廠商把重心轉(zhuǎn)移至NAND和DRAM，導(dǎo)致供給減少，但需求又受到智能手機(jī)AMOLED、物聯(lián)網(wǎng)等的驅(qū)動(dòng)，需求錯(cuò)配造成Nor Flash價(jià)格上漲。最近NorFlash漲價(jià)即將開(kāi)啟，NOR Flash在經(jīng)過(guò)18的低谷后，19年市場(chǎng)快速回溫。目前NOR Flash原廠及代理商去庫(kù)存已至低位，產(chǎn)能較為吃緊，下游應(yīng)用TWS二級(jí)需求強(qiáng)勁，整個(gè)NOR Flash市場(chǎng)行情正在反彈，漲價(jià)趨勢(shì)較為明顯。

　　※ 投資建議：

　　根據(jù)預(yù)測(cè)的存儲(chǔ)芯片漲價(jià)趨勢(shì)，建議關(guān)注：兆易創(chuàng)新/北京君正/瀾起科技

　　風(fēng)險(xiǎn)提示：宏觀經(jīng)濟(jì)下行從而下游需求疲軟、5G發(fā)展不及預(yù)期、行業(yè)發(fā)展不及預(yù)期