三星電子(SSNGY)：開發(fā)出首款12nm級DDR5 DRAM
來源： 互聯(lián)網(wǎng)
作者：佚名
摘要： 據(jù)三星電子(SSNGY)官網(wǎng)12月21日新聞稿，該集團宣布已成功開發(fā)首款采用12nm級工藝技術(shù)打造的16GBDDR5DRAM，并與AMD(AMD)一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。
據(jù)三星電子(SSNGY)官網(wǎng)12月21日新聞稿，該集團宣布已成功開發(fā)首款采用12nm級工藝技術(shù)打造的16GB DDR5 DRAM，并與AMD(AMD)一起完成了兼容性方面的產(chǎn)品評估。
基于DDR5最新標準，三星12nm級DRAM將達到7.2千兆每秒（Gbps）的速度，這意味著一秒鐘內(nèi)處理兩部30GB的超高清(UHD)電影。新款DRAM同時擁有卓越的速度與更高的能效，與上一代三星DRAM產(chǎn)品相比，12nm級DRAM的功耗降低約23%，對于更多追求環(huán)保經(jīng)營的全球IT企業(yè)來說，這將會是值得考慮的優(yōu)選解決方案。
隨著2023年新款DRAM量產(chǎn)，三星電子計劃將這一基于先進12nm級工藝技術(shù)的DRAM產(chǎn)品擴展到更廣泛的市場領(lǐng)域，同時繼續(xù)與行業(yè)伙伴合作，推動下一代計算的快速發(fā)展。
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DRAM,nm,GB
