腦機(jī)接口+人形機(jī)器人+SiC量產(chǎn)+功率模塊 東微半導(dǎo)觸及漲停
摘要: 今日走勢(shì):東微半導(dǎo)今日觸及漲停板,該股近一年漲停1次。異動(dòng)原因揭秘:1、據(jù)2025年11月26日互動(dòng)易,公司董事長(zhǎng)與中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員共同設(shè)立上海東腦智合,專注侵入式腦機(jī)接口研發(fā)。
今日走勢(shì):東微半導(dǎo)今日觸及漲停板,該股近一年漲停1次。
異動(dòng)原因揭秘:1、據(jù)2025年11月26日互動(dòng)易,公司董事長(zhǎng)與中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員共同設(shè)立上海東腦智合,專注侵入式腦機(jī)接口研發(fā)。
2、據(jù)2025年10月15日互動(dòng)易及2025年半年度報(bào)告,公司中低壓SGT器件已批量用于人形機(jī)器人關(guān)節(jié)電機(jī)控制并實(shí)現(xiàn)出貨。

3、據(jù)2025年11月24日機(jī)構(gòu)調(diào)研,公司SiCMOSFET、Si2CMOSFET已規(guī)?;慨a(chǎn),第四代SiC平臺(tái)小批量試產(chǎn),車(chē)載OBC及主驅(qū)電控SiC模塊獲國(guó)內(nèi)頭部Tier1A樣定點(diǎn)。
4、據(jù)2025年11月24日機(jī)構(gòu)調(diào)研,公司超級(jí)結(jié)MOSFET塑封模塊在液冷式算力服務(wù)器電源領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)突破,功率模塊產(chǎn)品覆蓋車(chē)載OBC、主驅(qū)電控等場(chǎng)景。
?。庳?zé)聲明:本內(nèi)容由AI技術(shù)搜集公開(kāi)信息總結(jié)生成,僅供參考,不構(gòu)成投資建議,以上市公司公告為準(zhǔn))
后市分析:該股今日觸及漲停,后市或有繼續(xù)沖高動(dòng)能。
模塊








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