今日早盤，A股整體高開低走，上證指數(shù)、深證成指、上證50、創(chuàng)業(yè)板指等均由紅轉綠，北證50、科創(chuàng)50等漲幅也較盤初有所縮減。下跌個股遠多于上漲個股，成交保持平穩(wěn)。

　　盤面上，電網(wǎng)設備、消費電子、電機制造、芯片等板塊漲幅居前，產業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、人工智能、航天裝備、影視院線等板塊跌幅居前。

　　全球電網(wǎng)建設進入高峰期

　　早間，電力設備產業(yè)鏈全線走強，其中電網(wǎng)設備方向領漲，板塊指數(shù)盤初一度飆升逾6%，創(chuàng)歷史新高。博菲電氣（001255）（001255）開盤后秒速垂直漲停，連續(xù)第5日封板，漢纜股份（002498）開盤僅約6分鐘直線漲停，新風光、億能電力等逾10股漲停或漲超10%。

　　特高壓、高壓快充、智能電網(wǎng)、虛擬電廠等板塊也紛紛強勢上攻，電科院直線20%漲停，思源電氣（002028）、艾迪精密（603638）、積成電子（002339）等批量漲停。

　　昨日，國家電網(wǎng)發(fā)布消息稱，“十五五”時期，國家電網(wǎng)固定資產投資將達到4萬億元，創(chuàng)歷史新高，投資總額比“十四五”時期增長40%，資金將重點用于科技創(chuàng)新、新型電力系統(tǒng)建設等方面。

　　“十五五”時期，國家電網(wǎng)將初步建成主干電網(wǎng)、配電網(wǎng)和智能微電網(wǎng)協(xié)同的新型電網(wǎng)平臺，跨省區(qū)輸電能力較“十四五”末提升超過30%，支撐國家“沙戈荒”和西南大型水電清潔能源基地開發(fā)外送。

　　此外，AI數(shù)據(jù)中心用電需求激增，全球進入大規(guī)模電網(wǎng)建設周期。高盛預計，未來10年，AI推動的全球數(shù)字基礎設施和能源體系的投資規(guī)模將高達5萬億美元，其中電網(wǎng)設備將是這場投資浪潮中最直接的受益者。

　　國金證券認為，國網(wǎng)輸變電預計維持高景氣，2025年國網(wǎng)輸變電設備6批次招標為2026年的設備交付和業(yè)績兌現(xiàn)奠定了堅實基礎，龍頭企業(yè)訂單飽滿，業(yè)績確定性強。變壓器環(huán)節(jié)中，美國電網(wǎng)老化疊加AIDC加劇電力短缺，電力變壓器交付周期維持在100周以上的高位，海外供給缺口短期難以彌合，國內企業(yè)有望持續(xù)享受量價齊升。

　　消費電子掀漲價潮

　　消費電子概念早間高開高走，板塊指數(shù)一度大漲逾3%?？粕萍迹?03626）開盤僅約6分鐘直線漲停，股價創(chuàng)8年新高（復權，下同）；可川科技（603052）則在臨近午間漲停，創(chuàng)歷史新高；環(huán)旭電子（601231）、致尚科技（301486）、和林微納等多股股價也刷新歷史紀錄。

　　近期，電子行業(yè)多個細分板塊相關公司發(fā)布漲價通知，涉及存儲、CCL、BT載板、晶圓代工、封測等領域。

　　本輪漲價的根本原因在于AI驅動下存儲芯片(內存、硬盤)及顯卡供應短缺。三星、SK海力士等存儲巨頭將產能轉向利潤更高的HBM(高帶寬內存)，導致消費級DRAM與NAND閃存供應緊張。

　　TrendForce集邦咨詢發(fā)布最新調研報告，2026年第一季由于DRAM原廠大規(guī)模轉移先進制程以滿足AI服務器需求，導致其他市場供給嚴重緊縮，預估整體一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價將季增55%—60%。NAND Flash則因原廠控管產能，預計各類產品合約價持續(xù)上漲33%—38%。

　　花旗集團指出，AI數(shù)據(jù)中心推理需求遠超預期，也耗盡了PC和智能手機的芯片庫存。在2027年之前供應將持續(xù)緊張，預計不會有額外產能。2026年芯片囤積情況將更加嚴重。

　　存儲芯片在終端物料成本(BoM)中的占比顯著提高，在智能手機中，內存成本占比已從10%—15%上升至20%以上。在筆記本電腦中，內存與硬盤成本占比也從15%—18%升至25%左右。

　　湘財證券指出，消費電子延續(xù)復蘇態(tài)勢，人工智能的進步推動AI基建需求維持高景氣，消費電子市場或迎來景氣度回升。2026年，消費電子指數(shù)的營業(yè)收入和歸母凈利潤同比增幅將分別達到32.71%和44.82%。