【甬矽電子(688362)、股吧】(寧波)股份有限公司的主營業(yè)務(wù)為集成電路封裝和測試方案開發(fā)、不同種類集成電路芯片的封裝加工和成品測試服務(wù)，以及與集成電路封裝和測試相關(guān)的配套服務(wù)。最近發(fā)布了在上證科創(chuàng)板上市的消息，那么具體甬矽電子上市時間是什么時間呢，接下來我們具體看一下。

　　根據(jù)目前新股上市的規(guī)則，通常情況下新股申購?fù)瓿珊?，一般過8-14天(自然日)上市交易，甬矽電子申購的時間是11月7日，那么根據(jù)計算可得甬矽電子上市時間可能會在11月17日-11月21日。當(dāng)然新股中簽之后也會出現(xiàn)延遲上市的情況，但是一般不會超過14天的樣子。在新股中簽之后，投資者只需要保證賬戶當(dāng)中有足夠的申購資金就可以了，接下來就是耐心等待甬矽電子正式上市交易吧。

　　甬矽電子行業(yè)發(fā)展趨勢

　　1、集成電路進(jìn)入“后摩爾時代”，先進(jìn)封裝作用突顯

　　在集成電路制程方面，“摩爾定律”認(rèn)為集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔 18-24 個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。長期以來，“摩爾定律”一直引領(lǐng)著集成電路制程技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)步，自 1987 年的 1um 制程至 2015 年的 14nm 制程，集成電路制程迭代一直符合“摩爾定律”的規(guī)律。但 2015 年以后，集成電路制程的發(fā)展進(jìn)入了瓶頸，7nm、5nm、3nm 制程的量產(chǎn)進(jìn)度均落后于預(yù)期。隨著臺積電宣布 2nm 制程工藝實現(xiàn)突破，集成電路制程工藝已接近物理尺寸的極限，集成電路行業(yè)進(jìn)入了“后摩爾時代”。 “后摩爾時代”制程技術(shù)突破難度較大，工藝制程受成本大幅增長和技術(shù)壁壘等因素上升改進(jìn)速度放緩。根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu) IC Insights 統(tǒng)計，28nm 制程節(jié)點的芯片開發(fā)成本為 5,130 萬美元，16nm 節(jié)點的開發(fā)成本為 1 億美元，7nm 節(jié)點的開發(fā)成本需要 2.97 億美元，5nm 節(jié)點開發(fā)成本上升至 5.4 億美元。由于集成電路制程工藝短期內(nèi)難以突破，通過先進(jìn)封裝技術(shù)提升芯片整體性能成為了集成電路行業(yè)技術(shù)發(fā)展趨勢。

　　2、先進(jìn)封裝將成為未來封測市場的主要增長點

　　隨著 5G 通信技術(shù)、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能、視覺識別、自動駕駛等應(yīng)用場景的快速興起，應(yīng)用市場對芯片功能多樣化的需求程度越來越高。在芯片制程技術(shù)進(jìn)入“后摩爾時代”后，先進(jìn)封裝技術(shù)能在不單純依靠芯片制程工藝實現(xiàn)突破的情況下，通過晶圓級封裝和系統(tǒng)級封裝，提高產(chǎn)品集成度和功能多樣化，滿足終端應(yīng)用對芯片輕薄、低功耗、高性能的需求，同時大幅降低芯片成本。因此，先進(jìn)封裝在高端邏輯芯片、存儲器、射頻芯片、圖像處理芯片、觸控芯片等領(lǐng)域均得到了廣泛應(yīng)用。根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu) GIA 統(tǒng)計數(shù)據(jù)，中國先進(jìn)封裝市場規(guī)模到 2026 年將達(dá)到 76 億美元，年復(fù)合增長率為 6.2%，相比于其他國家增長最快。根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu) Yole 預(yù)測數(shù)據(jù)，全球先進(jìn)封裝在集成電路封測市場中所占份額將持續(xù)增加，2019 年先進(jìn)封裝占全球封裝市場的份額約為 42.60%。 2019 年至 2025 年，全球先進(jìn)封裝市場規(guī)模將以 6.6%的年均復(fù)合增長率持續(xù)增長，并在 2025 年占整個封裝市場的比重接近于 50%。與此同時，Yole 預(yù)測 2019 年至 2025 年全球傳統(tǒng)封裝年均復(fù)合增長率僅為 1.9%，增速遠(yuǎn)低于先進(jìn)封裝。

　　3、系統(tǒng)級封裝（SiP）是先進(jìn)封裝市場增長的重要動力

　　系統(tǒng)級封裝可以把多枚功能不同的晶粒（Die，如運算器、傳感器、存儲器）、不同功能的電子元器件（如電阻、電容、電感、濾波器、天線）甚至微機電系統(tǒng)、光學(xué)器件混合搭載于同一封裝體內(nèi)，系統(tǒng)級封裝產(chǎn)品靈活度大，研發(fā)成本和周期遠(yuǎn)低于復(fù)雜程度相同的單芯片系統(tǒng)（SoC）。以 2015 年美國知名企業(yè)推出的可穿戴智能手表為例，其采用了日月光的系統(tǒng)級封裝，將 AP 處理器、SRAM 內(nèi)存、NAND 閃存、各種傳感器、通訊芯片、功耗管理芯片以及其他被動電子元器件均集成在一塊封裝體內(nèi)。

　　通過系統(tǒng)級封裝形式，此可穿戴智能產(chǎn)品在成功實現(xiàn)多種功能的同時，還滿足了終端產(chǎn)品低功耗、輕薄短小的需求。根據(jù)市場調(diào)研機構(gòu) Yole 統(tǒng)計數(shù)據(jù)，2019 年全球系統(tǒng)級封裝規(guī)模為 134 億美元，占全球整個封測市場的份額為 23.76%，并預(yù)測到 2025 年全球系統(tǒng)級封裝規(guī)模將達(dá)到 188 億美元，年均復(fù)合增長率為 5.81%。

　　4、高密度細(xì)間距凸點倒裝產(chǎn)品（FC）類產(chǎn)品在移動和消費市場發(fā)展空間較大

　　所謂“倒裝”是相對于傳統(tǒng)的金屬線鍵合連接方式（Wire Bonding，WB）而言的。傳統(tǒng) WB 工藝，芯片通過金屬線鍵合與基板連接，電氣面朝上；倒裝芯片工藝是指在芯片的 I/O 焊盤上直接沉積，或通過 RDL 布線后沉積凸點（Bumping），然后將芯片翻轉(zhuǎn)，進(jìn)行加熱，使熔融的焊料與基板或框架相結(jié)合，芯片電氣面朝下。與 WB 相比，F(xiàn)C 封裝技術(shù)的 I/O 數(shù)多；互連長度縮短，電性能得到改善；散熱性好，芯片溫度更低；封裝尺寸與重量也有所減少。與應(yīng)用 FC 技術(shù)的 SiP 芯片不同，F(xiàn)C 芯片的沉積凸點（Bumping）更多，密度更大，大大減小了對面積的浪費。相比應(yīng)用 FC 技術(shù)的 SiP 芯片來說，F(xiàn)C 芯片有著諸多的優(yōu)勢，比如更小的封裝尺寸與更快的器件速度。

　　了解過甬矽電子上市時間的相關(guān)內(nèi)容，我們來看看新股的漲停知識。

　　新股上市首日上漲規(guī)則

　　目前實行的關(guān)于新股上市首日漲跌幅的限制是在2014年1月1日后實行的，股價最高漲幅為發(fā)行價44%。

　　根據(jù)上交所規(guī)定，新股上市首日集合競價進(jìn)行申報的價格有效區(qū)間是：下不得低于發(fā)行價格的80%，上不能高于發(fā)行價120%；在連續(xù)競價進(jìn)行申報有效價格區(qū)間是：下不得低于發(fā)行價格64%，上不能高于發(fā)行價格的144%。這就是對于新股上市首日漲跌幅限制的具體內(nèi)容。同時還做出了其他的規(guī)定：在盤中價格首次漲跌幅達(dá)到10%的時候，出現(xiàn)臨時停牌30分鐘，首次漲跌幅達(dá)到20%的時候，停牌當(dāng)日的下午2點55分。

　　和上交所不同的是，深交所在首日收盤的時候，不是集合競價而是集合定價，以下午2點57分成交價為定價，根據(jù)時間來對于申報進(jìn)行一次性的集中交易。在新股首次漲跌幅達(dá)到10%，停牌30分鐘；達(dá)到20%的時候，停牌到到當(dāng)日下午2點57分。

　　科創(chuàng)板新股上市的前五個交易日是沒有漲跌幅限制的，但交易所設(shè)置了新股上市前5日的盤中臨時停牌機制，即在盤中成交價格較當(dāng)日開盤價首次上漲或下跌達(dá)到30%、60%時，分別停牌10分鐘。甬矽電子首日上漲規(guī)則符合這一規(guī)定。

　　以上就是關(guān)于甬矽電子上市時間的全部內(nèi)容，希望對您能有所幫助。還有其他的需要可以咨詢客服。